英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列。該系列經(jīng)過優(yōu)化,適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用,在降低開關(guān)損耗、實(shí)現(xiàn)出類拔萃的效率方面,樹立了行業(yè)新標(biāo)桿,并可滿足開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用需求。
近年來,各種產(chǎn)品對分立式IGBT的需求促使設(shè)計(jì)者尋求具備優(yōu)化特性的IGBT,比如開關(guān)和通態(tài)損耗優(yōu)化,以期充分發(fā)揮產(chǎn)品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機(jī)、太陽能逆變器、開關(guān)電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應(yīng)用,幫助最大限度發(fā)揮系統(tǒng)的性能。
英飛凌公司IGBT功率分立式器件高級營銷經(jīng)理Roland Stele指出:“最近幾年,工業(yè)驅(qū)動(dòng)、感應(yīng)加熱、電焊機(jī)、UPS和太陽能逆變器等應(yīng)用對IGBT的需求大幅提高。所有這些產(chǎn)品都需要具有特定優(yōu)化特性的功率開關(guān)。英飛凌提供的新一代突破性IGBT針對高頻應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,具備最低的開關(guān)損耗并提高了系統(tǒng)效率?!?/p>
全新的高速3 IGBT系列經(jīng)過優(yōu)化,適用于開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的產(chǎn)品。它相對于上一代器件,總關(guān)斷損耗降低35%。關(guān)斷損耗的大幅降低主要源自于極短的拖尾電流時(shí)間。拖尾電流時(shí)間縮短75%,并表現(xiàn)出類似MOSFET的關(guān)斷開關(guān)行為。
由于Vce(sat)(通態(tài)飽和電壓)對總體損耗也很關(guān)鍵,因此需要在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡。全新的高速3系列不僅具備極低的開關(guān)損耗,而且具備較低的導(dǎo)通損耗,這主要得益于采用本身具備較低通態(tài)飽和電壓的、成熟的Trenchstop™ 技術(shù)。
對于高速3系列中具備續(xù)流二極管的IGBT而言,其二極管的尺寸經(jīng)過優(yōu)化,適用于高速開關(guān),同時(shí)可維持較高的軟度,使產(chǎn)品具備出色的抗電磁干擾性能。
供貨與定價(jià)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的全新高速3 IGBT系列,其600V器件的電流范圍為20A至50A,其1200V器件的電流范圍為15A至40A。該系列目前全面投入量產(chǎn)。
樣品數(shù)量的價(jià)格范圍為1.90歐元(600V 20A)至5.10歐元(1200 40A)。
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