最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝包括最低導通電阻 80V 及 100V 器件

德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機控制及電源應用提供優(yōu)異的散熱性能。

最低導通電阻

兩款最新 80V 及 100V NexFET 器件可在不影響高柵極電荷的情況下，通過 TO-220 封裝實現(xiàn)業(yè)界最低導通電阻，從而可在更大電流下為設計人員提供更高的電源轉換效率。CSD19506 可在高達 80V 的輸入電壓下支持 2.0 毫歐姆的導通電阻，而 CSD19536 則可在 100V 輸入電壓下支持 2.3 毫歐姆的導通電阻。這兩款產品都采用支持高雪崩性能的塑料封裝，支持高應力電機控制應用。此外，設計人員還可通過訪問 TI 獲獎的 WEBENCH® 在線設計工具便捷選擇最新產品，模擬電源設計。

簡單易用的評估板

TI 還基于 60V NexFET 產品推出了幾款簡單易用的評估板，都可通過 TI eStore™ 訂購：

· 步進電機前置驅動器：DRV8711EVM 評估板基于 DRV8711 步進電機控制器，與 NexFET 器件搭配，可驅動一個大電流雙極步進電機或兩個有刷 DC 電機;

· 電機驅動 BoosterPack：BOOSTXL-DRV8301 套件是基于 DRV8301 前置驅動器的 10A 三相位無刷 DC 驅動級，適用于學習無傳感器無刷控制技術以及驅動級設計的人員;

· 數(shù)字電源：UCD3138PSFBEVM-027 可幫助電源開發(fā)人員設計數(shù)控移相離線 12V、360W 電源轉換器應用;

· 負載點控制：TPS40170EVM-597 評估板支持 TI 具有 2 個 NexFET 器件的 TPS40170 同步降壓控制器。

關于 NexFET 功率 MOSFET

TI NexFET 功率 MOSFET 技術可提升高功率計算、網(wǎng)絡、工業(yè)以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率 MOSFET 可為系統(tǒng)設計人員提供現(xiàn)已上市的最高級 DC/DC 電源轉換解決方案。

供貨情況

CSD19506KCS 與 CSD19536KCSN 通道器件現(xiàn)已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權分銷商全球網(wǎng)絡進行訂購。每款產品都采用 3 引腳標準 TO-220 封裝。此外，TI 還提供采用無引線 5 毫米 × 6 毫米 SON 封裝的 40V、60V、80V 以及 100V FET。