基本知識(shí)

NAND flash： 速度快，擦寫5ms內(nèi);位翻轉(zhuǎn)概率較大，為10%左右;容量大，塊容量在8K以上，擦寫次數(shù)較多;接口為IO接口

NOR flash： 速度慢，擦除5S時(shí)間;位翻轉(zhuǎn)概率小于NAND flash;容量較小，塊容量在64K以上，擦寫次數(shù)沒有NAND flash多;接口為RAM接口，可以直接運(yùn)行程序

2、注意事項(xiàng)

2.1：在每次寫操作之前需要進(jìn)行擦除操作

2.1：使用前掃描壞塊，不再使用

3、容量關(guān)系

1頁 = 512 + 16字節(jié)

1塊 = 512B * 32頁

= (16K + 512)字節(jié)

1個(gè)器件 = 4096塊 = 528M

不同的flash有不一樣的頁塊大小，對(duì)于K9F2G08U0C來說

1頁 = 2K

1塊 = 128K = 64頁

冗余區(qū)大小 = 512 * 16 byte

一個(gè)器件兩層

一層 = 1GB = 8塊

4、一次傳輸

4.1：傳命令 檢查狀態(tài)

4.2：傳地址 檢查狀態(tài)

4.3：傳數(shù)據(jù) 檢查狀態(tài)

5、NAND flash interface(基本接口)

RnB : 就緒/忙 輸出信號(hào) Busy

nFRE: 讀使能

nFCE: 芯片使能

CLE : 命令鎖存使能

ALE : 地址鎖存使能

nFWE: 寫使能

DATA[0~7]: 數(shù)據(jù)輸入輸出

擴(kuò)展

WP : 寫保護(hù)

6、關(guān)于時(shí)間

寄存器NFCONF的 TACLS = setup time

TWRPH0 = WE High to Busy

TWRPH1 = Hold time

7、關(guān)于位地址操作

由于本板子上的nand flash標(biāo)寫的是八位的，而技術(shù)手冊(cè)上明確表示

8位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A11 A12-A19 A20-A27 A28

16位、2048bit、5 cycle address的取址操作是A0-A7 A8-A10 A11-A18 A19-A26 A27

但是在本板子上實(shí)驗(yàn)的結(jié)果是按16位的可以正確索引到地址，而按8位的反而不能找到地址了，而韋東山的程序也是按照16位的，并且還多出了A28，暫且在此認(rèn)為是硬件的問題

8、NAND flash 的操作步驟

8.1、NFCONF寄存器的配置：主要是關(guān)于時(shí)序的問題，板子上集成的nand flash 模塊可以發(fā)出特定的時(shí)序，只需要簡單的配置一下時(shí)間，

具體可以參照NAND flash 對(duì)應(yīng)的技術(shù)手冊(cè)。

8.2、NFCONT寄存器的配置：主要關(guān)注的是使能ECC，關(guān)閉片選，類似于LCD1602的配置方式，其中有些位是由外部引腳的狀態(tài)所決定的，

具體可以參照S3C2440技術(shù)手冊(cè)的NAND flash控制章節(jié)。

8.3、復(fù)位：復(fù)位指令0xFF，需要先片選，等待操作成功，取消片選

指令的下達(dá)，有關(guān)操作可以參照NAND flash的控制步驟

Tips: 用define的時(shí)候一定要在后面加上括號(hào)

例如：#define S3C2440_NAND ((S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000)

形如：#define S3C2440_NAND (S3C2440_NAND_FLASH *)0x4E000000 是錯(cuò)誤的