隨著對功率的大小不斷的追求,大功率變頻電源的技術(shù)也必須要創(chuàng)新,讓變頻電源變得更安全。輸出為純正弦波,波形失真率小,沒有干擾控制,精度高。能適應(yīng)各種輸出負(fù)載,像阻性負(fù)載,容性負(fù)載,感性負(fù)載都能適應(yīng),適用的環(huán)境很廣。
隨著對功率的大小不斷的追求,大功率變頻電源的技術(shù)也必須要創(chuàng)新,讓變頻電源變得更安全。輸出為純正弦波,波形失真率小,沒有干擾控制,精度高。能適應(yīng)各種輸出負(fù)載,像阻性負(fù)載,容性負(fù)載,感性負(fù)載都能適應(yīng),適用的環(huán)境很廣。
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。
通常功率電子器件可以分為半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶閘管為半控型器件,承受電壓和電流容量在所有器件中最高;電力二極管為不可控器件,結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠;還可以分為電壓驅(qū)動型器件和電流驅(qū)動型器件,其中GTO、GTR為電流驅(qū)動型器件,IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動型器件。
盡管電力電子器件發(fā)展過程遠(yuǎn)比我們現(xiàn)在描述的復(fù)雜,但是MOSFET和IGBT,特別是IGBT已經(jīng)成為現(xiàn)代功率電子器件的主流。
說道功率半導(dǎo)體,早期的功率半導(dǎo)體器件:大功率二極管、晶閘管等等,主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)(正因如此,早期才被稱為電力電子器件)半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。
基礎(chǔ)知識要記牢!
今天我們來聊了聊有關(guān)碳化硅作為高壓低損耗的功率半導(dǎo)體器件材料的潛力
通常我們對于一種特定器件,可以使用上述靜態(tài)的方式,結(jié)合紅外熱成像測溫儀,校核它們之間的差值,然后在實際的測量中,使用這個差值來得到結(jié)溫。
隨著以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件逐漸接近其理論極限值,利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比 Si 和 GaAs 更優(yōu)異的特性,給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了新的生機。
作為電源行業(yè)值得信賴的測試專家,泰克為工程師在電源設(shè)計各個階段提供可靠的解決方案,使工程師堅定每一步設(shè)計,優(yōu)化每個階段設(shè)計,從而加速新產(chǎn)品的上市周期。
通常來說LED,LED背光,OLED是三種完全不同的成像技術(shù)。而目前市場上普遍見到的LED背光顯示器或液晶電視實際上并不是顯示技術(shù)的更新?lián)Q代,只能說是一個原件的換代。同時將LED背光混淆為LED也是不正確的。
此次小編所寫的文章中所述的電路顯示了創(chuàng)建可編程 LED 驅(qū)動器更簡單的方法,該驅(qū)動器非常適用于需要緊湊、可擴展、易于供電和高線性度電源的精確照明控制應(yīng)用。不過,尺寸必須適應(yīng)應(yīng)用的要求,以避免由于各種存在的電感(例如線路電感和寄生電感)引起的任何故障。
通常來說全閉環(huán)控制,檢測輸出電流,來發(fā)出 PWM 信號,是真正的恒流電源驅(qū)動控制技術(shù)。實驗表明,相對于其他非閉環(huán)的方案,這種獨有的閉環(huán)恒流控制技術(shù)使輸出電流精度有了質(zhì)的飛躍,使整機電源在全電壓、全負(fù)載、電感變化范圍內(nèi)的電流精度達到行業(yè)內(nèi)目前最高的±0.9%。
什么是共模干擾?它有什么作用?其實,對于共模干擾的困擾都是來自于實際操作中。而共模干擾往往對系統(tǒng)損傷最大,打比方如大功率電機、斷路器或開關(guān),短路,雷擊感應(yīng)等,這些類型大都是外來的共模信號,其脈寬在數(shù)百us到s之間,周期最長也是數(shù)秒,這樣的脈沖持續(xù)引起對地的高電壓波動,從而損傷系統(tǒng)。但是對于高頻共模干擾,從干擾源開始,大部分能量是以輻射的方式作為能量傳輸途徑的,而且這樣的共模干擾多產(chǎn)生于系統(tǒng)本身。