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  • Rohm羅姆最新幾款電源芯片

    BD7F205EFJ-C是一種無光耦合器的隔離反彈射轉(zhuǎn)換器。不需要光耦或變壓器輔助繞組的反饋電路，從而減少設(shè)定件。此外，采用原始適應(yīng)的接通時(shí)間控制技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)快速負(fù)載響應(yīng)。此外，各種保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)了高可靠性隔離電源應(yīng)用的設(shè)計(jì)。

  • 如何合理的測試DCDC電源第一部分，測試原因和設(shè)備

    在我擔(dān)任現(xiàn)場應(yīng)用工程師的這么多年中，我看到了相當(dāng)多的電源設(shè)計(jì)。在許多情況下，這些設(shè)計(jì)可以毫無問題地工作。有時(shí)，我發(fā)現(xiàn)在將產(chǎn)品投入生產(chǎn)之前通過一些額外的工程工作可以避免的問題。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員常常在使用電源電路時(shí)沒有徹底確保其在整個(gè)極端工作條件下都能正常工作。存在原型工作正常的情況，因此忽略了進(jìn)一步的電源測試，或者是檢查是否正常運(yùn)行的最后一項(xiàng)。有時(shí)直到產(chǎn)品投入生產(chǎn)后才會出現(xiàn)問題，從而導(dǎo)致現(xiàn)場故障。

    電源
    2022-07-20
    電源測試 DCDC

  • 如何為測試應(yīng)用確定最佳電源，第一部分功率和噪聲

    大多數(shù)電氣工程師認(rèn)為他們對電源有很好的了解，因?yàn)樗鼈兪窍鄬唵蔚膯喂δ苤绷髟O(shè)備，旨在輸出受控電壓。但是，電源的功能遠(yuǎn)不止此描述所暗示的。盡管電源的規(guī)格對大多數(shù)應(yīng)用都充分描述了其性能，但指定其性能(或任何儀器的性能)的每個(gè)可能方面在金錢和時(shí)間方面都太昂貴了。

  • 高速互連要求推動更便宜的 PCB 材料

    在閱讀和研究文章和互聯(lián)網(wǎng)上的大量觀點(diǎn)時(shí)，很容易假設(shè)知情人士一致認(rèn)為，使用傳統(tǒng)低成本 PCB 材料進(jìn)行下一代高速設(shè)計(jì)的日子已經(jīng)一去不復(fù)返了走了。還有一種觀點(diǎn)認(rèn)為，現(xiàn)代技術(shù)(如 PCIe 5.0 及更高版本)的要求已將電路板設(shè)計(jì)和制造的界限推向了邊緣。

  • 如何合理的測試DCDC電源第二部分，輸出電壓測試

    使用計(jì)劃生產(chǎn)的組件設(shè)計(jì)和構(gòu)建電源后，將其放置在允許訪問電源輸入和輸出的位置。如果可能，請斷開系統(tǒng)負(fù)載與電源的連接以進(jìn)行初始測試。在系統(tǒng)負(fù)載斷開的情況下，您可以測試最小和最大負(fù)載，同時(shí)保護(hù)系統(tǒng)免受任何可能的電源故障情況的影響。

    電源
    2022-07-20
    輸出電壓 DCDC

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 1 部分如何選擇 IGBT

    IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件，它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，在電壓電流轉(zhuǎn)換，電能輸出領(lǐng)域用的非常多，特別是在高壓大電流領(lǐng)域，IGBT占主導(dǎo)地位，是人類控制電能，利用電能的核心半導(dǎo)體器件之一，這種主要應(yīng)用在電子電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，我們統(tǒng)稱功率半導(dǎo)體

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 2 部分IGBT概述

    N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個(gè)額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導(dǎo)致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹

    所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點(diǎn)在N一區(qū)。NPT在實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)的時(shí)間(1982年)要早于PT(1985)，但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時(shí)間比NPT早，所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術(shù)復(fù)雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達(dá)到了100μm和200μm。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 4 部分?jǐn)?shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性一

    從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計(jì)人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計(jì)人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 5 部分?jǐn)?shù)據(jù)表中有關(guān) IGBT的特性二

    從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設(shè)計(jì)人員有用且方便的相關(guān)信息，用于選擇合適的器件以及預(yù)測其在應(yīng)用中的性能。提供圖表以使設(shè)計(jì)人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應(yīng)該注意的是，測試結(jié)果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)和布局。不同的測試電路產(chǎn)生不同的結(jié)果。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 6 部分IGBT靜態(tài)特性

    IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓 的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。 無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓 做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平， 限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 7 部分IGBT動態(tài)特性

    一個(gè)等效的 IBGT 模型，其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。

  • IGBT 基礎(chǔ)教程：第 8 部分IGBT熱和機(jī)械特性

    這是從芯片結(jié)到器件外殼外部的熱阻。熱量是設(shè)備本身功率損失的結(jié)果，熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關(guān)。之所以稱為熱阻，是因?yàn)槭褂秒姎饽Ｐ透鶕?jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預(yù)測溫升。

  • 通過設(shè)計(jì) PCB對電路進(jìn)行功能分區(qū)，避免噪聲信號影響 EMI

    在本文中，我將提供有關(guān)EMI分區(qū)的更多詳細(xì)信息。雖然分區(qū)的概念很簡單，但真正的電路板通常需要更多的思考。 當(dāng)涉及混合信號設(shè)計(jì)時(shí)，分區(qū)尤其重要，例如模擬和數(shù)字或無線和數(shù)字的組合。我的許多客戶將無線(蜂窩、Wi-Fi、藍(lán)牙和 GPS)與數(shù)字處理和模擬(例如音頻放大器或視頻)結(jié)合在一起。對于小型移動或物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，充分劃分電路功能的重要性變得強(qiáng)制性，以消除數(shù)字開關(guān)電流對敏感接收器的干擾。

  • 數(shù)碼相機(jī)設(shè)計(jì)，CMOS 圖像傳感器的基本噪聲考慮

    文章展示了基本的 5T 電荷轉(zhuǎn)移像素如何通過使用一種方法將像素中的電荷集成與電荷感應(yīng)功能分開來解決復(fù)位參考電平問題。最后，我們看到電荷轉(zhuǎn)移像素可以在卷簾快門和全局快照快門模式下運(yùn)行，從而解決了當(dāng)場景中存在運(yùn)動時(shí)卷簾快門運(yùn)行模式所遭受的焦平面失真問題。我們還注意到，電荷轉(zhuǎn)移像素中使用的動態(tài)電荷存儲可能會導(dǎo)致圖像質(zhì)量下降，這是由于暗信號引起的噪聲增加而導(dǎo)致的。

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