逆變器的脈寬調(diào)制技術PWM是一種參考波為“調(diào)制波”,而以N倍于調(diào)制波頻率的正三角波為“載波”。由于正三角波或鋸齒波的上下寬度是線性變化的波形,因此,它與調(diào)制波相
對于模擬CMOS而言,有兩大主要危害,其一是靜電,其二是過壓。因此,要做好CMOS的保護,就需從這兩大主要因素入手,避免錯誤地使用CMOS,從而延長CMOS的使用壽命。本文
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)
TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎上發(fā)展起來的一種新產(chǎn)品。其電路符號和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無異,當TVS管
在物聯(lián)網(wǎng)時代,電池供電應用日益興盛。本文將說明我們并非一定要在節(jié)省功耗和精度之間進行取舍。有些運算放大器有禁用引腳,如果使用得當,可以節(jié)省高達 99%的功耗,同時不
正弦波逆變器是我們業(yè)界常用的逆變器產(chǎn)品,如何設計制作一臺實用性強、價廉物美的正弦波逆變器,一直是廣大電子產(chǎn)品愛好者所關注的。最近,筆者花了近一個月的時間,制作了
電容開關是一種高度智能化的物位測量產(chǎn)品,原理是采用先進的射頻電容技術,通過幾班電容的變化來測定物位并具有報警開關的開關器件。有單點、雙點、三點、四點可供選擇。
本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關問題,并從實際應用中總結出各種保護方法,這些方法實用性強,保護效果好,是IGBT保護電路設計必備知識。 IGBT(
1.概述 功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動。功率MOSFET已大量應用于電力電子,消費電子、
本文介紹新型的MOSFET逆變模塊,用于驅(qū)動風扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應的高壓柵極驅(qū)動電路 (HVIC)。通過使用專門設計的MOSFET和
全橋變換器是開關電源的基礎拓撲結構之一,其作用不言而喻,小編在本文將要分享的這款設計就是采用全橋變換器結構,MOSFET作為開關管來使用,采用移相ZVZCSPWM控制,即超前
逆變電源是不間斷電源、靜止航空電源、新能源發(fā)電技術等許多設備的關鍵部件。許多場合都要求逆變器能輸出失真度小的正弦波,因而消除諧波是逆變電源的基本要求之一。筆
電容器是我們經(jīng)常用到的電子元器件之一,其獨有的結構使其具有了獨特的作用。那么,究竟這小小的電容器在電路中能起到什么樣的作用呢?請跟隨小編的腳步,去一探究竟吧。這
阿特茲在同級車里算得上是個“技術控”了。除了那個讓人耳朵起繭的創(chuàng)馳藍天以外,它的i-stop和i-ELOOP也都算是不錯的“發(fā)明創(chuàng)造”。有人說了,那不就是自動啟停和制動能量回
隨著人類社會對綠色能源需求的擴大,逆變器設計成為了大勢所趨,高效可靠的逆變系統(tǒng)對功率因數(shù)校正和電流諧波抑制提出了更高的要求。本文將介紹具有功率因數(shù)校正功能的3中常