電源用分立器件包括雙極型晶體管開關、FET(場效應晶體管)、整流二極管等。雙極型晶體管從門斷開晶體管到絕緣柵雙極晶體管都正向高速度、低損耗發(fā)展。FET從結型FET到電源MOS
IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終止”概念(也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。
全球領先的嵌入式解決方案供應商賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corp.)(納斯達克代碼:CY)近日推出支持PD協(xié)議的全新USB-C解決方案。每年全球電源適配器的產(chǎn)量預計都超過百萬噸,該方案的推出將減少隨之產(chǎn)生的電子垃圾。對于備受困擾的消費者而言,賽普拉斯EZ-PD圓柱形替換為USB-C插頭的BCR解決方案,有望將現(xiàn)有電源適配器所采用的多種插頭統(tǒng)一為USB-C插頭。此外,該解決方案還可以取代所有傳統(tǒng)的僅能提供7.5w輸出的USB micro-B接口,已遠遠無法滿足大多數(shù)消費
優(yōu)化太陽能系統(tǒng)效率和可靠性的一種較新方法是使用連接至每個單獨太陽能板的微型逆變器。為每個太陽能板都安裝其自己的微型逆變器,讓系統(tǒng)可以適應其變化的負載和空氣環(huán)
MOSFET 的柵極電荷特性與開關過程 盡管 MOSFET 在開關電源、電機控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應用,但是許多電子工程師并沒有十分清楚的理解 MOSFET 開關過程,以
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復合的器件。它既有功率MOSFET易于驅動,控制簡單、開關頻率高的優(yōu)點,又有功率晶體管的導通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小
對于今天的大多數(shù)設計團隊來說,從事空間受限的電池供電的消費電子產(chǎn)品開發(fā)工作將成為最具挑戰(zhàn)性的產(chǎn)品。除了能夠在給定的機箱尺寸內實現(xiàn)所需的功能之外,最重要的考慮因素
使用模擬MCU,LDO,外部熱敏電阻和一些分立器件,您可以構建高精度的溫度傳感應用。圖1中的電路顯示了Analog DevicesADuC7122精密模擬微控制器的工作原理可用于精確的熱敏電
由于摩爾定律,電子設備繼續(xù)提高他們的智商。隨著MIPS和兆字節(jié)軟件的不斷涌現(xiàn),設計人員可以獲得前所未有的處理能力。但在添加引人注目的新產(chǎn)品功能時,這只是答案的一部分
片上系統(tǒng) (SoC) 設備可實現(xiàn)更高的集成度,而高密度現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 可讓更多功能集成到工業(yè)系統(tǒng)中。 盡管如此,由于現(xiàn)在工業(yè)系統(tǒng)所扮演的角色,以前需要多種產(chǎn)品的
雖然32位MCU受到了關注,但絕大多數(shù)嵌入式設備都使用8位設備。通過選擇集成了一些精密模擬外設,可配置GPIO引腳,串行接口和快速數(shù)據(jù)總線架構的低引腳數(shù)8位MCU,您可以通過
掌握了下面這些技巧,三極管放大電路計算So easy。放大電路的核心元件是三極管,所以要對三極管要有一定的了解。用三極管構成的放大電路的種類較多,我們用常用的幾種來解說
隨著觸摸屏變得越來越復雜,使用它們進行設計變得更具挑戰(zhàn)性。幸運的是,良好設計的規(guī)則沒有改變,并且有許多解決方案可以幫助您應對挑戰(zhàn)。人機界面(HMI)在過去幾年中經(jīng)歷了
所有內含音頻功率放大器的電子設備,例如立體聲電視機以及多通道AV接收機,通常都有一個重要的指標,即輸出功率,該指標是指所能提供的最大音量,這對于許多消費者來說是一
隨著脈沖信號頻率的越來越高及信號跳變沿(上升沿和下降沿)的越來越短,對脈沖信號傳輸完整性的分析就變的越來越重要。如何保證脈沖信號傳輸?shù)耐暾裕瑴p少信號在傳輸過程中