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如何排查低壓差測(cè)量中的誤差問(wèn)題
許多數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)直接連接傳感器。與所有測(cè)量系統(tǒng)一樣，你必須找出誤差，并盡最大可能地減小這些誤差。由于熱漂移、EMI/RFI、內(nèi)部噪聲、走線、接地和屏蔽造成的誤差都會(huì)對(duì)總
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為什么晶振的頻率是32.768kHz？
振蕩電路用于實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC，對(duì)于這種振蕩電路只能用32.768KHZ 的晶體，晶體被連接在OSC3 與OSC4 之間而且為了獲得穩(wěn)定的頻率必須外加兩個(gè)帶外部電阻的電容以構(gòu)成振蕩電路。
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EMC作用是什么？淺析EMC在電路設(shè)計(jì)當(dāng)中的問(wèn)題
在電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)中EMC對(duì)于很多新手來(lái)說(shuō)都快成為“玄學(xué)”了，主要原因是說(shuō)起來(lái)簡(jiǎn)單，處理起來(lái)難。 簡(jiǎn)單說(shuō)起來(lái)就是內(nèi)外部干擾，處理起來(lái)難常常就是一團(tuán)亂麻找不
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我們一起來(lái)認(rèn)識(shí)一下RC反饋回路
關(guān)于運(yùn)算放大器的使用，相信大家已經(jīng)很熟悉了。現(xiàn)在我針對(duì)運(yùn)算放大器中常見(jiàn)的RC電路反饋?zhàn)錾钊氲姆治?。在積分電路的反饋電容C并聯(lián)一電阻，則該積分電路就變形為帶有增益的低
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功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)采用的長(zhǎng)延時(shí)熱脫扣試驗(yàn)方案是通過(guò)變壓器直接對(duì)斷路器施加一個(gè)電壓以獲得測(cè)試電流。在測(cè)試過(guò)程中，由于電網(wǎng)電壓的波動(dòng)、載流電路中引線電阻變化、負(fù)載本身電
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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“
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電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)
１ 驅(qū)動(dòng)電源電路設(shè)計(jì) １.1 電源拓?fù)湓O(shè)計(jì) 該電源的輸入是新能源乘用車常規(guī)的12V電源，該電源通常波動(dòng)范圍是8~16V，而驅(qū)動(dòng)電源的輸出需要相對(duì)穩(wěn)定。需要設(shè)計(jì)多組寬壓輸入、定
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MOSFET安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
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最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術(shù)詳解，設(shè)計(jì)技巧，應(yīng)用案例
基礎(chǔ)理論IGBT系統(tǒng)的介紹 就IGBT的定義、工作原理、等效電路、特性參數(shù)、設(shè)計(jì)技巧等作全面介紹…… 設(shè)計(jì)技巧IGBT的驅(qū)動(dòng)和過(guò)流保護(hù)電路的研究IGBT目前被廣泛使
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能源采集器為超級(jí)電容器充電的技術(shù)方案
導(dǎo)讀：超級(jí)電容器是自主供電系統(tǒng)中重要的蓄能機(jī)制。其蓄能能力強(qiáng)，支持高功率輸出，是超低功耗無(wú)線傳感器節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)的理想選擇。但超級(jí)電容器在低能源采集輸入期間會(huì)大量放電
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Linear宣布推出高壓降壓型開(kāi)關(guān)電容器轉(zhuǎn)換器LTC3255
導(dǎo)讀：日前，凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出通用的高壓降壓型開(kāi)關(guān)電容器轉(zhuǎn)換器LTC3255該器件提供高達(dá)50mA的輸出電流。LTC3255從范圍為4V~48V和容限為+
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新型軟開(kāi)關(guān)高壓脈沖電容恒流充電技術(shù)分析
摘 要： 介紹了新型軟開(kāi)關(guān)脈沖電容充電技術(shù)， 其基本電路采用串聯(lián)諧振拓?fù)洌?具備零電流開(kāi)關(guān)、恒流充電、內(nèi)在短路保護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。導(dǎo)出了該基本電路重要參數(shù)的計(jì)算公式。仿真了
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一種CMOS欠壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
1.引言在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等系統(tǒng)中電壓的穩(wěn)定尤為重要，欠壓、過(guò)壓保護(hù)是必不可少的，因此通過(guò)在芯片內(nèi)部集成過(guò)壓、欠壓保護(hù)電路來(lái)提高電源的可靠性和安全性。對(duì)功率集成電路
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NexFETTM：新一代功率MOSFET
對(duì)于理想開(kāi)關(guān)的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開(kāi)關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負(fù)載電流的開(kāi)關(guān)。作為負(fù)載開(kāi)關(guān)使用時(shí)，由于切換時(shí)
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三極管開(kāi)關(guān)電路PK場(chǎng)效應(yīng)管電路優(yōu)劣大不同
一般我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)時(shí)候，三極管開(kāi)關(guān)電路和MOS管開(kāi)關(guān)電路有著以下四種區(qū)別：首先是三極管是用電流控制，MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問(wèn)題，三極管便宜，MOS管貴;其次是
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- 有獎(jiǎng)活動(dòng)：貿(mào)澤電子硬件狂想設(shè)計(jì)大賽
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- 學(xué)習(xí)ST“電源與能源”課程，為電源設(shè)計(jì)添點(diǎn)“彩”
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