分享一個比較經(jīng)典的MOS管驅(qū)動電路 問題提出: 現(xiàn)在的MOS驅(qū)動,有幾個特別的需求: 1,低壓應用 當使用5V電源,這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101,具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits
在電源設計小貼士 #42 中,我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器,并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設計小貼士中,我們
以前有篇設計實例描述了一種可編程電流源,使用的是美國國家半導體公司的LM317可調(diào)三端穩(wěn)壓器(參考文獻1)。雖然該電路可以編程設定輸出電流,但負載電流要流經(jīng)BCD(二-十
在電源設計中,工程師通常會面臨控制IC驅(qū)動電流不足的問題,或者面臨由于柵極驅(qū)動損耗導致控制IC功耗過大的問題。為緩解這一問題,工程師通常會采用外部驅(qū)動器。半導體廠商
在電源設計中,工程師通常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題,或者面臨由于柵極驅(qū)動損耗導致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題,工程師通常會采用外部驅(qū)動器。半導體
電源反接,會給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避免的。所以,我么就需要給電路中加入保護電路,達到即使接反電源,也不會損壞的目的。 一般可以使用在電源的正極串入
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成,顯著提升高壓應用的系統(tǒng)效率,并提供最大功效,幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設計致力于提供功率、安全、可靠
引言:為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約,半導體物理學界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu),稱為Super Junction MOS(以下簡稱SJ-MOS),其導通電阻與反向擊穿
近年來,由于集成電路的飛速發(fā)展,基準電壓源在模擬集成電路、數(shù)?;旌想娐芬约跋到y(tǒng)集成芯片(SOC)中都有著非常廣泛的應用,對高新模擬電子技術(shù)的應用和發(fā)展也起著至關(guān)重要的
什么是負載負載是指連接在電路中的電源兩端的電子元件。電路中不應沒有負載而直接把電源兩極相連,此連接稱為短路。常用的負載有電阻、引擎和燈泡等可消耗功率的元件。把電
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊
光耦在電路中的作用主要是對光能與電能進行隔離,在方便設計的同時避免干擾的產(chǎn)生。通常來說,光耦分為三大類,每一大類擁有不同的測量與在線檢測方式。本文就將針對其中的
從數(shù)十年前被發(fā)明以來,MOS晶體管的尺寸已經(jīng)被大大縮小。門氧化層厚度、通道長度和寬度的降低,推動了整體電路尺寸和功耗的大大減少。由于門氧化物厚度的減小,最大可容許電
隨著現(xiàn)代通信技術(shù)的廣泛應用,高速低功耗的電子設備成為市場的主流,這些設備都依賴高性能的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),特別是對速度的要求越來越高,高速ADC成為決定設備性能的關(guān)鍵