新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設計

致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產(chǎn)品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創(chuàng)新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業(yè)應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫(yī)療設備的解決方案。

美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據(jù)市場研究機構Yole Développement預計，從2015年至2020年，SiC功率半導體市場的同比增長率將達到39%，而且Market Research預計SiC半導體市場將于2022年達到53億美元，同比增長率38%。

新型SiC MOSFET器件

全新SiC MOSFET器件采用來自美高森美的專利技術，特別設計以幫助客戶開發(fā)在更高頻率下運行并提升系統(tǒng)效率的解決方案。

美高森美的專利 SiC MOSFET技術特性包括 ：

同級最佳的RDS(on)對比溫度

超低柵極電阻，最大限度減小開關能耗

出色的最大開關頻率

卓越的穩(wěn)定性和出色的短路耐受性

美高森美功率產(chǎn)品組總經(jīng)理Marc Vandenberg表示：“美高森美的1200V SiC MOSFET建立了全新的性能基準，我們利用公司內(nèi)部的SiC制造能力，繼續(xù)擴大SiC產(chǎn)品組合，為客戶提供創(chuàng)新的大功率解決方案。”

美高森美的1200V SiC MOSFET器件的額定電阻為 80mΩ和 50mΩ，通過同時提供行業(yè)標準TO-247和SOT-227封裝，可為客戶提供更多的開發(fā)靈活性 ：

APT40SM120B 1200V、80mΩ、40A、TO-247 封裝

APT40SM120J 1200V、80mΩ、40A、SOT-227封裝

APT50SM120B 1200V、50mΩ、50A、TO-247封裝

APT50SM120J 1200V、50mΩ、50A、SOT-227封裝

新型SiC MOSFET功率模塊

美高森美SiC MOSFET還可以集成進公司擴展的MOSFET功率模塊中，用于電池充電、航空航天、太陽能、焊接和其它大功率工業(yè)應用。新的功率模塊具有更高的工作頻率并提升了系統(tǒng)效率。

新型1700V肖特基二極管

美高森美的 SiC MOSFET器件也與公司完整的SiC肖特基二極管產(chǎn)品系列相輔相成，全新的1700V SiC肖特基二極管將產(chǎn)品線擴展至1200V和650V以上，這些產(chǎn)品設計使用出色的鈍化技術，在室外和潮濕應用中實現(xiàn)穩(wěn)健性。