新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步,從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率
SPI:Serial Peripheral Interface 串行外圍接口ISP:In Syesterm Program 在系統(tǒng)編程AT89S52在系統(tǒng)編程(ISP)所用到的幾個(gè)引腳定義: ISP SPI JTAG 三者區(qū)別詳解SPI簡述(Ser
作為一個(gè)微電子專業(yè)的IC learner,這個(gè)學(xué)期也有一門課:《微電子器件》,今天我就來聊聊基本的器件:CMOS器件及其電路。在后面會(huì)聊聊鎖存器和觸發(fā)器。今天的主要內(nèi)容如下所
電路原理 圖IC1-4069中Y1、Y2組成一個(gè)頻率為76KHZ的振蕩器,經(jīng)Y3-Y6隔離整形后,送入IC2雙JK觸發(fā)器CD4027組成的二組分頻電路,產(chǎn)生對(duì)稱的 /-38KHZ和19KHZ的方波,其中 /-38
沒有阻抗控制的話,將引發(fā)相當(dāng)大的信號(hào)反射和信號(hào)失真,導(dǎo)致設(shè)計(jì)失敗。常見的信號(hào),如PCI總線、PCI-E總線、USB、以太網(wǎng)、DDR內(nèi)存、LVDS信號(hào)等,均需要進(jìn)行阻抗控制。阻抗控
微控制器制造商的開發(fā)板,以及他們與開發(fā)板一起提供的軟件項(xiàng)目例程,在工程師著手一個(gè)新設(shè)計(jì)時(shí)可以提供很大幫助。但在設(shè)計(jì)項(xiàng)目完成其早期階段后,進(jìn)一步設(shè)計(jì)時(shí),制造商提供
對(duì)應(yīng)國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)為GB22794:2008《家用和類似用途的不帶和帶過電流保護(hù)的B型剩余電流動(dòng)作斷路器》B型剩余電流保護(hù)器不僅能夠?qū)涣魇S嚯娏鳌⒚}動(dòng)直流剩余電流進(jìn)行保護(hù),此外,
硬件平臺(tái):STM32F103ZET6;開發(fā)環(huán)境:KEIL 4;先說說應(yīng)用通訊模式,串口終端的工作方式和迪文屏差不多,終端被動(dòng)接受MCU發(fā)的指令,終端會(huì)偶爾主動(dòng)發(fā)送一些數(shù)據(jù)給MCU(像迪文屏
在我們接下來關(guān)于電流檢測(cè)放大器的博客中,我們將談?wù)勅绾闻渲肗CS21xR和NCS199AxR電流放大器,以使其輸出精確的電流。在某些應(yīng)用中,系統(tǒng)數(shù)據(jù)讀取板離監(jiān)測(cè)系統(tǒng)電流的電路較
三端穩(wěn)壓器是什么三端穩(wěn)壓器,主要有兩種,一種輸出電壓是固定的,稱為固定輸出三端穩(wěn)壓器,另一種輸出電壓是可調(diào)的,稱為可調(diào)輸出三端穩(wěn)壓器,其基本原理相同,均采用串聯(lián)
基本知識(shí)NAND flash: 速度快,擦寫5ms內(nèi);位翻轉(zhuǎn)概率較大,為10%左右;容量大,塊容量在8K以上,擦寫次數(shù)較多;接口為IO接口NOR flash: 速度慢,擦除5S時(shí)間;位翻轉(zhuǎn)概率小于N
為什么2440與SDRAM地址線錯(cuò)兩位相連?網(wǎng)上說,錯(cuò)兩位是為了32位對(duì)齊(地址為8位數(shù)據(jù)地址,2440位寬為32,錯(cuò)兩位,一次跳4byte)。下面是聽南方大哥的教程時(shí)記錄的:由于兩個(gè)內(nèi)
是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分,它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分,它有結(jié)型場(chǎng)
先提一下位寬的概念,對(duì)于具體器件而言,它的位寬是一定的,所謂位寬,指的是“讀/寫操作時(shí),最小的數(shù)據(jù)單元”──別說最小單元是“位”,一般設(shè)備上沒
flash連接CPU時(shí),根據(jù)不同的數(shù)據(jù)寬度,比如16位的NOR FLASH (A0-A19),處理器的地址線要(A1-A20)左移偏1位。為什么要偏1位?從軟件和CPU的角度而言,一個(gè)地址對(duì)應(yīng)一個(gè)字節(jié),