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電感器: 緊湊型SMT大電流扼流圈
TDK公司現(xiàn)有的ERU19系列扼流圈已擴展至十余種不同型號，進一步完善了其愛普科斯 (EPCOS) ERU SMT功率電感器的產品組合。新ERU扼流圈的電感值為1.0 μH ～ 30 μH，飽和
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質，近期逐漸得到了電力轉換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被構造
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小功率三極管自動判斷管腳的電路設計方案
在電子技術中，三極管是使用極其普遍的一種元器件，三級管的參數(shù)與許多電參量的測量方案、測量結果都有十分密切的關系，因此，在電子設計中，三極管的管腳、類型的判斷和測
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Linear 低損耗三相理想二極管橋式整流器可簡化熱設計
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款低損耗三相理想二極管橋式整流器參考設計并演示在評估板 DC2465 上 。傳統(tǒng)的三相整流器采用 6 個二極管，但是二極管會產生電壓降，并在負載電流僅為幾安培的情況下耗散大量的功率。這需要采用成本昂貴的散熱和主動冷卻解決方案，因而導致熱設計的復雜化和解決方案尺寸的增加。DC2465 設計采用了三個 LT4320 理想二極管橋控制器取代 6 個二極管，驅動 6 個低損耗 N 溝道 MOSFET，從而大幅度降低了功率和電壓損耗
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ST 推出MDmesh DM2 N-通道功率MOSFET 重新定義功率能效
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設計人員提高計算機、電信網絡、工業(yè)、消費電子產品的能效創(chuàng)造新的機會。
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Vicor 推出其最新電源系統(tǒng)設計工具在線設計工具
Vicor公司日前宣布推出其最新電源系統(tǒng)設計工具在線設計工具，為系統(tǒng)設計人員架構和優(yōu)化使用Vicor電源組件設計方法及高性能電源組件的端對端電源系統(tǒng)帶來了前所未有的高靈活性。
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合理選擇電容器來實現(xiàn)高性能的EMI濾波
本文將重點討論多層陶瓷電容器，包括表面貼裝和引腳兩種類型。討論如何計算這些簡單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關系。文中還介紹了一些改進型規(guī)格的測試，如引線電感和
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變頻器的保護及處理方法經驗小談
過電流保護功能:變頻器中過電流保護的對象主要指帶有突變性質的、電流的峰值超過了變頻器的容許值的情形.由于逆變器件的過載能力較差所以變頻器的過電流保護是至關重要的一
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汽車電子元件故障時應如何檢測？
當汽車電子元件出現(xiàn)故障進行檢查時，最重要的是測量數(shù)據和故障原因的推理過程。因為電子元件內部的情況不像機械部件能拆開看見，而利用合理的邏輯步驟檢測可很快發(fā)現(xiàn)問題，
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教你怎樣選擇A/D芯片
A/D器件和芯片是實現(xiàn)單片機數(shù)據采集的常用外圍器件。A/D轉換器的品種繁多、性能各異，在設計數(shù)據采集系統(tǒng)時，首先碰到的就是如何選擇合適的A/D轉換器以滿足系統(tǒng)設計要求的問
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數(shù)字萬用表判斷電解電容好壞的方法
本文主要介紹了一下關于數(shù)字萬用表判斷電解電容好壞的方法。1)好壞的判斷第一步：擋位的選擇。將數(shù)字萬用表的轉換開關撥到標有“Ω”符號的擋位，選定&ldq
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一種特殊工模電感在saber當中的仿真
saber是目前市場上最為專業(yè)也是應用最為廣泛的一種仿真軟件。Saber雖然功能強大，但是其代價就是操作復雜，對于新人入門來說并不友好。因此在saber的使用過程中初學者會遇到
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安森美半導體推出基于第三代超場截止技術的1200 V器件
21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場截止溝槽技術。NGTB40N120F
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英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術，助力電源轉換設計達到前所未有的效率和性能
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC™ MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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解析如何正確地選擇運算放大器
在便攜電子領域，設計師基于多種因素(尺寸、成本和性能)，利用他們的專業(yè)知識和最佳判斷來選擇器件。但這些因素通常需要進行權衡，設計師必須依據所需的最終產品謹慎選擇元
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