相信很多剛剛接觸大功率可控硅觸發(fā)電路的朋友都有這樣一個(gè)疑問,那就是在可控硅觸發(fā)電路當(dāng)中的脈沖變壓器作用究竟是什么?針對(duì)這個(gè)疑問,小編特意為大家收集整理了答案,并
EPC公司的全新開發(fā)板可以被配置為一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS D類放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自舉電路的柵極驅(qū)動(dòng)器在高頻工作時(shí)可以減少損耗。
英飛凌科技股份公司近日推出集成式功率級(jí)產(chǎn)品系列。全新功率級(jí)器件的電源效率達(dá)到96%,可與英飛凌最新一代數(shù)字PWM電源管理控制器結(jié)合在一起。這能為服務(wù)器、存儲(chǔ)器、電腦和
電感器習(xí)慣上簡稱為電感,是常用的基本電子元件之一。電感器種類繁多,形狀各異,下面就來一一介紹。1、電感器習(xí)慣上簡稱為電感,是常用的基本電子元件之一。電感器種類繁多
摘要:為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題,通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖,定位了MOSFET開關(guān)損耗的來源,進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化,減少M(fèi)OSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的效率和功率密度設(shè)計(jì)需要,設(shè)計(jì)工程師一直在尋找GaN技術(shù)等可替代傳統(tǒng)MOS技術(shù)
輸入阻抗即輸入電壓與電流之比,即 Ri = U/I。在同樣的輸入電壓的情況下,如果輸入阻抗很低,就需要流過較大電流,這就要考驗(yàn)前級(jí)的電流輸出能力了;而如果輸入阻抗很高,那
在電源調(diào)節(jié)過程中,盡管同時(shí)控制多個(gè)環(huán)路會(huì)存在一些問題,但如果我們能了解系統(tǒng)的約束條件,就可以想出一種可行的策略。在我的職業(yè)生涯中,我設(shè)計(jì)的大多數(shù)電源都具有一個(gè)固
如同當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)幾乎所有事情一樣,硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)師也正在極力做到少花錢多辦事。當(dāng)您增加新的單功能集成電路(IC)時(shí),您需要花費(fèi)時(shí)間進(jìn)行評(píng)估、閱讀新數(shù)據(jù)資料,甚至尋
伊頓公司今天宣布推出XLR超級(jí)電容儲(chǔ)能模塊,為在戶外震動(dòng)和沖擊強(qiáng)烈的惡劣環(huán)境中需要頻繁進(jìn)行大電流充放電的系統(tǒng)提供高可靠性、壽命長和免維護(hù)的操作。XLR模塊作為取代電池
在光耦可控硅控制當(dāng)中,電阻是非常重要的器件。但很多新手在接觸光耦可控硅當(dāng)中的電阻時(shí),都會(huì)遇到這樣那樣的問題。本文就將以一款光耦可控硅為例,為大家分析其中的電阻問
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新的鉭殼液鉭電容器---T22。電容器有玻璃到鉭的密封,在業(yè)內(nèi)首次采用9mm x 7.1mm x 7.4mm小外形尺寸。表
高度集成電源管理、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、固態(tài)照明(SSL)和藍(lán)牙智能(Bluetooth® Smart)技術(shù)供應(yīng)商Dialog 半導(dǎo)體公司(法蘭克福證券交易所交易代碼:DLG)日前宣布,其Qualcomm Q
摘要:針對(duì)大功率電解電鍍開關(guān)電源的輸入整流級(jí)引起的無功和諧波等電能質(zhì)量問題,研究了一種基于高效 PWM 整流的高頻開關(guān)電源.該電源前級(jí)整流器僅用4個(gè)開關(guān)管來進(jìn)行PWM 整流
【摘要】:隨著高頻和大功率開關(guān)電源功率密度的不斷提高,合理的熱設(shè)計(jì)是保證電源可靠工作的前提條件。本文提出了電源結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)的一般方法,給出風(fēng)機(jī)和散熱片的詳細(xì)設(shè)計(jì)方案