1.干擾的來源復(fù)雜和惡劣的工作環(huán)境是產(chǎn)生電磁干擾的源頭。電氣設(shè)備有時直接或間接地受到外部影響,如焊接作業(yè)的電火花、設(shè)備操作過電壓、大氣環(huán)境過電壓、無線對講設(shè)備高頻
隨著現(xiàn)代科技的進步,生產(chǎn)自動化水平也不斷提高。在工業(yè)生產(chǎn)中.廣泛應(yīng)用各種傳感器及自動檢測裝置來監(jiān)視生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié),有的還需要計算機來控制生產(chǎn)的全過程,這樣的系統(tǒng)中
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化,同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管,并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計中。
微控制器被用作幾乎每個應(yīng)用可以想象在主控制元件。他們的權(quán)力和靈活性,讓他們?nèi)サ浇M件的大多數(shù)設(shè)計的心臟。關(guān)鍵要建立高效的設(shè)計中使用的MCU往往依賴于使功耗和性能之間的
個公認的能源解決方案,傳統(tǒng)的雙電層電容器(EDLC)具有與自放電特性,能量密度,可靠性,壽命和散熱設(shè)計許多著名的弊端。太陽誘電鋰離子電容器克服這些問題,并且是一個有效
IGBT的優(yōu)勢在于輸入阻抗很高,開關(guān)速率快,導(dǎo)通態(tài)電壓低,關(guān)斷時阻斷電壓高,集電極和發(fā)射機承受電流大的特點,目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了,由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展,單管模塊,半橋模塊,6管模塊,到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動設(shè)計上比較復(fù)雜,需要考慮較多的因素,諸如合理的選擇驅(qū)動電壓Uge和門極驅(qū)動電阻Rg,過流過壓保護等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS,感應(yīng)加熱,逆變焊機電源,變頻器等領(lǐng)域。
電源系統(tǒng)設(shè)計工程師總想在更小電路板面積上實現(xiàn)更高的功率密度,對需要支持來自耗電量越來越高的FPGA、ASIC和微處理器等大電流負載的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和LTE基站來說尤其如此。
在一個高速印刷電路板 (PCB) 中,通孔在降低信號完整性性能方面一直飽受詬病。然而,過孔的使用是不可避免的。在標準的電路板上,元器件被放置在頂層,而差分對的走線在內(nèi)層
這里給出了 一個 50~300MHz 的低噪聲寬帶放大器的設(shè)計,該放大器在工作頻段內(nèi)具有優(yōu)良的增益平坦度和噪聲系數(shù),能提高接收機的靈敏度。1 寬帶實現(xiàn)和負反饋原理寬帶放大器設(shè)
21ic訊,日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的表面貼裝Power Metal Strip®檢流電阻---WSK1206。電阻采用開爾文四端子連接,使TCR降低
在一些情況下,全差分電壓反饋型放大器的穩(wěn)定性似乎受反饋電阻值很大影響—RF/RG比始終正確,這到底是因為什么呢?信號需要增益時,放大器是首選組件。對于電壓反饋型和
無線充電技術(shù)由于可以擺脫“抱墻”的窘迫,擺脫充電器和充電線的束縛,而成為一種時尚。就無線充電技術(shù)而言,2015年或?qū)⑹且粋€技術(shù)更替開始發(fā)生的一年。安森美半
1 介紹本文介紹了心率檢測系統(tǒng)。本系統(tǒng)包括硬件模塊和軟件模塊。硬件模塊負責(zé)了心跳信息的收集、處理和發(fā)送;軟件模塊即為運行于Android平臺上的客戶端,用以接收硬件模塊發(fā)
據(jù)統(tǒng)計,市面上80%以上的產(chǎn)品采用的粗略的電量計量方式,同質(zhì)化嚴重。為了讓消費者有更好的用戶體驗,攜帶多重優(yōu)秀品質(zhì)的高性價比LCD移動電源應(yīng)運而生。本文介紹一款低成本
在平時的工作中,可控硅整流器作為一種常用到的重要元件,在工程師們的設(shè)計方案中出現(xiàn)頻率是很高的。其中,6脈沖可控硅整流器和12脈沖可控硅整流器都非常受歡迎。那么,這兩