意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時(shí)提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。

新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計(jì)算機(jī)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率，同時(shí)電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機(jī)時(shí)間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠自動(dòng)化等工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用也需要更大的輸出功率。這些應(yīng)用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結(jié)MOSFET技術(shù)的出色動(dòng)態(tài)開關(guān)性能使其成為工業(yè)應(yīng)用的最佳選擇。

意法半導(dǎo)體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項(xiàng)技術(shù)提升至一個(gè)全新的水平，單位面積同態(tài)電阻(Rds(on))和柵電荷量(Qg)均創(chuàng)市場(chǎng)最低，并擁有業(yè)界最佳的FoM(質(zhì)量因數(shù))[1]。新產(chǎn)品是時(shí)下主流電源拓?fù)涞睦硐脒x擇，包括標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振(quasi-resonant)有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器以及LLC[2]半橋式轉(zhuǎn)換器，均需要寬輸入電壓、高能效(高達(dá)96%)以及輸出功率近200W的電源。

該系列先推出的兩款產(chǎn)品是STW12N150K5和STW21N150K5，其最大漏源電流分別達(dá)到7A和14A，柵電荷量?jī)H為47nC(STW12N150K5)或通態(tài)電阻僅為0.9Ω(STW21N150K5)。兩款產(chǎn)品均已量產(chǎn)，采用TO-247封裝。