一、引言MOSFET作為主要的開關功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損
前 言無線頻率識別(RFID)是一種自動 ID 技術,其可識別任何含有編碼卷標的物體。UHFRFID 系統(tǒng)由一個讀取器 (或詢問器) 組成,該讀取器調變一個 860MHz 至 960MHz 頻率范圍內
簡介:在電子系統(tǒng)里濾波器是很見的組成部分,可以通過R,L,C的搭配組成各種濾波電路。一階RC濾波器的截止頻率等于1/2*pi*RC.,R,C,L串聯可以搭建二階帶通濾波器等等。在電子
簡介:由上下拉電阻的作用引出本文的內容,OC和OD門。OC(open collector)是集電極開路,必須外界上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓
Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch -EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制,因此可提供出色的多路輸出交叉調整率,同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應,并且空載功耗低于 10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink 技術,可設計出無需光耦的高效率、高精度和高可靠性的電源電路,適用于家電、暖通空調(HVAC)、消費電子產品、
摘要: 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用,分析了MOSFET損耗特點,提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關系。關鍵詞:MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
0 引言變頻器在日常維護過程中,經常會遇到各種各樣的問題,如外圍線路問題,參數設定問題,通訊問題或機械故障等。如果是變頻器出現故障,如何去判斷是哪一部分的問題,以
1 故障現象中鋁青海分公司三期煅燒4# 回轉窯新建于2005 年5 月,其石油焦煅燒能力為12 t/h;大窯拖動系統(tǒng)采用變頻器進行調速控制,在正常生產時投料量一般控制在10~11.6 t/h
0 引言隨著變頻器、電力節(jié)電器等非線性負荷的推廣使用,電力網的諧波含量越來越大。電網諧波對電力無功補償設備有著極大的影響,在諧波嚴重的局部電網,無電抗的電容器無功
簡介:注釋:靜電損壞器件是擊穿,和燒毀是兩個概念,不要混淆在一起。前段時間開發(fā)了一個產品,由單片機控制對負載供電,滿負載時基準電流為800毫安,程序提供不同的供電模
簡介:常用的濾波電路有無源濾波和有源濾波兩大類。電容濾波為無源濾波,本文詳細介紹了電容濾波的工作原理以及其作用。濾波電容的作用簡單講是使濾波后輸出的電壓為穩(wěn)定的
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產品線,可協助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求,最大限度提升電源功率密度。
宜普電源轉換公司推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極器件,它采用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm),于柵極施加5 V電壓時的最高RDS(on) 為 60 mΩ。由于EPC2110具備超高開關頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及采用非常纖薄的封裝,因此這種氮化鎵IC可以實現高性能。
摘要:在現代電子產業(yè)中,貼片電阻經常是電子產品內部最多的器件,而它們卻又經常被我們所忽視,導致各種不可預測的產品故障出現。
摘要:隨著電子集成化的發(fā)展,器件、設備小型化的趨勢越來越明顯,對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術發(fā)展的方向。那么,電源的小型化