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英飛凌推出新款A(yù)dvantage系列IGBT產(chǎn)品為逆變焊機(jī)的持續(xù)發(fā)展注入動力

近年來，中國的逆變焊機(jī)技術(shù)已日趨成熟，逆變焊機(jī)本身的技術(shù)和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶的認(rèn)可，并逐漸進(jìn)入國際市場。作為功率半導(dǎo)體市場領(lǐng)軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)力，重視中國本土客戶的需求，全新推出針對于逆變焊機(jī)應(yīng)用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價(jià)比，其品質(zhì)和可靠性達(dá)到英飛凌一貫高標(biāo)準(zhǔn)。

功率器件
2015-06-16

igbt 電源新品英飛凌
電源充電變換器電子電路原理分析

220V交流輸入，一端經(jīng)過一個(gè)4007半波整流，另一端經(jīng)過一個(gè)10歐的電阻后，由10uF電容濾波。這個(gè) 10歐的電阻用來做保護(hù)的，如果后面出現(xiàn)故障等導(dǎo)致過流，那么這個(gè)電阻將被燒斷，從而避免引起更大的故障。右邊的4007、4700pF電容、82KΩ電阻，構(gòu)成一個(gè)高壓吸收電路。

功率器件
2015-06-16

電源管理電源技術(shù)解析變換器電源設(shè)計(jì)
多種電流檢測放大器應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

由于現(xiàn)代的精巧器件將更多的性能和功能集成到更小的封裝，所以管理電子產(chǎn)品中的散熱狀況變得更為重要。即使是基站或服務(wù)器等“大型”項(xiàng)目也比它們以前的性能顯著

功率器件
2015-06-15

放大器電源技術(shù)解析控制
單片機(jī)中最小二乘方濾波器的向量測量及功率計(jì)算研究

單片機(jī)是一種集成在電路芯片，是采用超大規(guī)模集成電路技術(shù)把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU隨機(jī)存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時(shí)器/計(jì)時(shí)器等功能(可

功率器件
2015-06-15

測量電源技術(shù)解析功率
Fairchild大幅降低IGBT損耗助力工業(yè)和汽車應(yīng)用中效率的提升

Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT損耗，降幅達(dá)30%。Fairchild采用工業(yè)和汽車市場中專為高/中速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的新方案，提供了行業(yè)領(lǐng)先的性能水平，同時(shí)具有極強(qiáng)的閂鎖效應(yīng)，確保了優(yōu)異牢固性和可靠性。Fairchild將在2015 亞洲PCIM中演示各種應(yīng)用的測試結(jié)果和方案。

功率器件
2015-06-15

fairchild igbt 電源新品
意法半導(dǎo)體新款汽車級1200V晶閘管率先通過超高可靠性功率控制測試

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的TN5050H-12WY是世界首款大功率可控硅整流晶閘管(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor)，提供高達(dá)1200V的截止電壓以及汽車級

功率器件
2015-06-15

意法半導(dǎo)體晶閘管電源新品
感測的內(nèi)容是什么？用于電容感測的有源屏蔽

你在傳感器系統(tǒng)中是否遇到過電容測量值的波動呢?對于這些測量值的波動有幾種解釋，但是最常見的根本原因是外部寄生電容干擾。這種干擾，比如說不經(jīng)意間將手靠的太近或者周圍區(qū)域中的電磁干擾 (EMI)，需要引起我們的注意，并在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)解決這些問題，其原因在于這些干擾會大大地降低系統(tǒng)可靠性和靈敏度。幸運(yùn)的是，有幾種方法可以幫助緩解這些干擾因素，這樣它們就不會影響到電容測量值的讀數(shù)了;其中一個(gè)方法就是有源屏蔽。FDC1004的最大特點(diǎn)就是有能夠降低干擾并幫助集中電容傳感器的感測區(qū)域。

功率器件
2015-06-12

感測電源技術(shù)解析電容感測有源屏蔽
電路設(shè)計(jì)中電阻的選擇及其作用

電阻在電子產(chǎn)品中是最常用的器件之一，基本上只要是電子產(chǎn)品，內(nèi)部就會存在電阻。電阻可以在電路中用作分壓器、分流器和負(fù)載電阻;它與電容器—起可以組成濾波器及延時(shí)電路;在電源電路或控制電路中用作取樣電阻;在半導(dǎo)體管電路中用作偏置電阻確定工作點(diǎn);使用特殊性質(zhì)的電阻如壓敏電阻、熱敏電阻實(shí)現(xiàn)防浪涌電壓、抑制沖擊電流，實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)等等。電阻是最普通的器件，同時(shí)也是電路中不可或缺的器件，選好用好電阻對產(chǎn)品的穩(wěn)定運(yùn)行及使用可靠性是至關(guān)重要的。

功率器件
2015-06-12

電路設(shè)計(jì) 電阻電源技術(shù)解析
SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽可簡化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。

功率器件
2015-06-12

MOSFET 電源技術(shù)解析驅(qū)動電源
Vishay的新款繞線電阻可提供超標(biāo)準(zhǔn)的、可靠的高能浪涌保護(hù)能力

21ic電源網(wǎng)訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列硅樹脂涂層的軸向引線繞線電阻---CW - High Energy。Vishay Dale CW - High Energy系列電阻的短時(shí)高能浪

功率器件
2015-06-10

電阻 Vishay 電源新品
TI推出業(yè)界首款全集成型磁通門傳感器、信號調(diào)節(jié)和補(bǔ)償線圈驅(qū)動器IC

無與倫比的集成度實(shí)現(xiàn)了高準(zhǔn)確度、動態(tài)范圍和線性度，并簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)日前，德州儀器(TI)推出業(yè)界首款具有全集成型磁通門傳感器和補(bǔ)償線圈驅(qū)動器，以及所有必須的信號調(diào)節(jié)

功率器件
2015-06-10

驅(qū)動器ic 電源新品
優(yōu)化低成本BJT開關(guān)方案滿足DoE和CoC新效率標(biāo)準(zhǔn)

眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當(dāng)功率級提高到3W以上時(shí)，BJT中的開關(guān)損失可能就會成為大問題。Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結(jié)型晶體管(BJT)開關(guān)，能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開關(guān)更高的效率。新的系列器件專門適用于要求滿足美國能源部(DoE)和歐盟行為準(zhǔn)則(CoC)嚴(yán)格的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，幫助工

功率器件
2015-06-10

電源技術(shù)解析 bjt開關(guān) 雙極性結(jié)式晶體管
函數(shù)信號發(fā)生器和示波器二合一儀器設(shè)計(jì)，提供源碼

1.總體設(shè)計(jì)方案 1.1 主控制模塊方案一：采用單片機(jī)。單片機(jī)的應(yīng)用較為廣泛，但是單片機(jī)的處理頻率達(dá)不到我們的要求。所以我們只能夠使用處理速度較快的處理器。方案二：采

功率器件
2015-06-09

測量單片機(jī) 電源技術(shù)解析
英飛凌推出新款大功率光觸發(fā)晶閘管首次集成保護(hù)功能

英飛凌科技Bipolar有限公司進(jìn)一步擴(kuò)大雙極半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容，推出光觸發(fā)晶閘管，它們可增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性、降低系統(tǒng)成本并簡化超大功率應(yīng)用的設(shè)計(jì)。英飛凌新推出的6英寸晶閘管搭載可靠的光觸發(fā)組件，無需加裝外部電觸發(fā)電路。此外，過壓保護(hù)、dv/dt 保護(hù)和在恢復(fù)時(shí)間防止正向電壓瞬變等板載安全功能，使得元件數(shù)量進(jìn)一步減少，并有效降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性。晶閘管是控制超高電流和電壓的理想之選，因?yàn)樵谕☉B(tài)損耗和對稱阻斷能力方面，晶閘管的性能優(yōu)于基于IGBT的電壓源換流器(VSC)。英飛凌這次推出的高度集成的光觸發(fā)晶閘管首次

功率器件
2015-06-09

晶閘管電源新品英飛凌
壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容英飛凌推出OptiMOS 300 V

21ic電源網(wǎng)訊英飛凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容，樹立功率場效應(yīng)管市場新標(biāo)準(zhǔn)。300V OptiMOS 的發(fā)布有助于英飛凌進(jìn)一步鞏固其在通信電源、不

功率器件
2015-06-08

MOSFET 通信電源電源新品

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電源充電變換器電子電路原理分析

多種電流檢測放大器應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

單片機(jī)中最小二乘方濾波器的向量測量及功率計(jì)算研究

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意法半導(dǎo)體新款汽車級1200V晶閘管率先通過超高可靠性功率控制測試

感測的內(nèi)容是什么？用于電容感測的有源屏蔽

電路設(shè)計(jì)中電阻的選擇及其作用

SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

Vishay的新款繞線電阻可提供超標(biāo)準(zhǔn)的、可靠的高能浪涌保護(hù)能力

TI推出業(yè)界首款全集成型磁通門傳感器、信號調(diào)節(jié)和補(bǔ)償線圈驅(qū)動器IC

優(yōu)化低成本BJT開關(guān)方案滿足DoE和CoC新效率標(biāo)準(zhǔn)

函數(shù)信號發(fā)生器和示波器二合一儀器設(shè)計(jì)，提供源碼

英飛凌推出新款大功率光觸發(fā)晶閘管首次集成保護(hù)功能

壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容英飛凌推出OptiMOS 300 V

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