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英飛凌推出新款Advantage系列IGBT產(chǎn)品 為逆變焊機的持續(xù)發(fā)展注入動力
近年來，中國的逆變焊機技術已日趨成熟，逆變焊機本身的技術和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶的認可，并逐漸進入國際市場。作為功率半導體市場領軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗和創(chuàng)新實力，重視中國本土客戶的需求，全新推出針對于逆變焊機應用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價比，其品質和可靠性達到英飛凌一貫高標準。
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電源充電變換器電子電路原理分析
220V交流輸入，一端經(jīng)過一個4007半波整流，另一端經(jīng)過一個10歐的電阻后，由10uF電容濾波。這個 10歐的電阻用來做保護的，如果后面出現(xiàn)故障等導致過流，那么這個電阻將被燒斷，從而避免引起更大的故障。右邊的4007、4700pF電容、82KΩ電阻，構成一個高壓吸收電路。
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多種電流檢測放大器應用電路設計
由于現(xiàn)代的精巧器件將更多的性能和功能集成到更小的封裝，所以管理電子產(chǎn)品中的散熱狀況變得更為重要。即使是基站或服務器等“大型”項目也比它們以前的性能顯著
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單片機中最小二乘方濾波器的向量測量及功率計算研究
單片機是一種集成在電路芯片，是采用超大規(guī)模集成電路技術把具有數(shù)據(jù)處理能力的中央處理器CPU隨機存儲器RAM、只讀存儲器ROM、多種I/O口和中斷系統(tǒng)、定時器/計時器等功能(可
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Fairchild大幅降低IGBT損耗 助力工業(yè)和汽車應用中效率的提升
Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT損耗，降幅達30%。Fairchild采用工業(yè)和汽車市場中專為高/中速開關應用設計的新方案，提供了行業(yè)領先的性能水平，同時具有極強的閂鎖效應，確保了優(yōu)異牢固性和可靠性。Fairchild將在2015 亞洲PCIM中演示各種應用的測試結果和方案。
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意法半導體新款汽車級1200V晶閘管率先通過超高可靠性功率控制測試
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的TN5050H-12WY是世界首款大功率可控硅整流晶閘管(Silicon-Controlled Rectifier Thyristor)，提供高達1200V的截止電壓以及汽車級
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感測的內(nèi)容是什么？ 用于電容感測的有源屏蔽
你在傳感器系統(tǒng)中是否遇到過電容測量值的波動呢?對于這些測量值的波動有幾種解釋，但是最常見的根本原因是外部寄生電容干擾。這種干擾，比如說不經(jīng)意間將手靠的太近或者周圍區(qū)域中的電磁干擾 (EMI)，需要引起我們的注意，并在系統(tǒng)設計時解決這些問題，其原因在于這些干擾會大大地降低系統(tǒng)可靠性和靈敏度。幸運的是，有幾種方法可以幫助緩解這些干擾因素，這樣它們就不會影響到電容測量值的讀數(shù)了;其中一個方法就是有源屏蔽。FDC1004的最大特點就是有能夠降低干擾并幫助集中電容傳感器的感測區(qū)域。
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電路設計中電阻的選擇及其作用
電阻在電子產(chǎn)品中是最常用的器件之一，基本上只要是電子產(chǎn)品，內(nèi)部就會存在電阻。電阻可以在電路中用作分壓器、分流器和負載電阻;它與電容器—起可以組成濾波器及延時電路;在電源電路或控制電路中用作取樣電阻;在半導體管電路中用作偏置電阻確定工作點;使用特殊性質的電阻如壓敏電阻、熱敏電阻實現(xiàn)防浪涌電壓、抑制沖擊電流，實現(xiàn)過溫保護等等。電阻是最普通的器件，同時也是電路中不可或缺的器件，選好用好電阻對產(chǎn)品的穩(wěn)定運行及使用可靠性是至關重要的。
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SiC Mosfet管特性及其專用驅動電源
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅動電路的SIC驅動電源模塊。
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Vishay的新款繞線電阻可提供超標準的、可靠的高能浪涌保護能力
21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新系列硅樹脂涂層的軸向引線繞線電阻---CW - High Energy。Vishay Dale CW - High Energy系列電阻的短時高能浪
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TI推出業(yè)界首款全集成型磁通門傳感器、信號調節(jié)和補償線圈驅動器IC
無與倫比的集成度實現(xiàn)了高準確度、動態(tài)范圍和線性度，并簡化了系統(tǒng)設計日前，德州儀器(TI)推出業(yè)界首款具有全集成型磁通門傳感器和補償線圈驅動器，以及所有必須的信號調節(jié)
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優(yōu)化低成本BJT開關方案 滿足DoE和CoC新效率標準
眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當功率級提高到3W以上時，BJT中的開關損失可能就會成為大問題。Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結型晶體管(BJT)開關，能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開關更高的效率。新的系列器件專門適用于要求滿足美國能源部(DoE)和歐盟行為準則(CoC)嚴格的新效率標準的充電器和適配器，幫助工
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函數(shù)信號發(fā)生器和示波器二合一儀器設計，提供源碼
1.總體設計方案 1.1 主控制模塊方案一：采用單片機。單片機的應用較為廣泛，但是單片機的處理頻率達不到我們的要求。所以我們只能夠使用處理速度較快的處理器。方案二：采
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英飛凌推出新款大功率光觸發(fā)晶閘管 首次集成保護功能
英飛凌科技Bipolar有限公司進一步擴大雙極半導體產(chǎn)品陣容，推出光觸發(fā)晶閘管，它們可增強系統(tǒng)可靠性、降低系統(tǒng)成本并簡化超大功率應用的設計。英飛凌新推出的6英寸晶閘管搭載可靠的光觸發(fā)組件，無需加裝外部電觸發(fā)電路。此外，過壓保護、dv/dt 保護和在恢復時間防止正向電壓瞬變等板載安全功能，使得元件數(shù)量進一步減少，并有效降低設計復雜性。 晶閘管是控制超高電流和電壓的理想之選，因為在通態(tài)損耗和對稱阻斷能力方面，晶閘管的性能優(yōu)于基于IGBT的電壓源換流器(VSC)。英飛凌這次推出的高度集成的光觸發(fā)晶閘管首次
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壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容 英飛凌推出OptiMOS 300 V
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容，樹立功率場效應管市場新標準。300V OptiMOS 的發(fā)布有助于英飛凌進一步鞏固其在通信電源、不
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