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零歐姆電阻的十二種作用
我們經(jīng)常在電路中見(jiàn)到0歐的電阻，對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，往往會(huì)很迷惑：既然是0歐的電阻，那就是導(dǎo)線，為何要裝上它呢?還有這樣的電阻市場(chǎng)上有賣嗎?其實(shí)0歐的電阻還是蠻有用的。零歐
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精確的溫度至比特轉(zhuǎn)換器解決了溫度傳感器測(cè)量難題
溫度，所有人都很熟悉，但卻難以準(zhǔn)確測(cè)量。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品時(shí)代到來(lái)之前，伽利略(Galileo)發(fā)明了能夠檢測(cè)溫度變化的基本溫度計(jì)。兩百年后，席貝克(Seebeck)發(fā)現(xiàn)了熱電偶，這
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優(yōu)化低成本BJT開(kāi)關(guān)方案 滿足DoE和CoC新效率標(biāo)準(zhǔn)
眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管(BJT)在成本上有很大的優(yōu)勢(shì)。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當(dāng)功率級(jí)提高到3W以上時(shí)，BJT中的
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Diodes全新微型晶體管縮減40%占位面積
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封裝的NPN晶體管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶體管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新產(chǎn)品的電路板面積
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反激式開(kāi)關(guān)電源可在1.1V電壓下工作并點(diǎn)亮HBLED燈
本設(shè)計(jì)實(shí)例展示的是一種利用單節(jié)1.5V電池驅(qū)動(dòng)小功率電子電路的方法。它基于一種自激振蕩器設(shè)計(jì)，該自激振蕩器可驅(qū)動(dòng)一個(gè)反激式變壓器生成更高的可控電壓。本設(shè)計(jì)可以用來(lái)為
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為醫(yī)療設(shè)備選擇小巧可靠的無(wú)源元件
近些年來(lái)，醫(yī)療設(shè)備一直朝著體積越來(lái)越小的趨勢(shì)發(fā)展;小型可植入設(shè)備在植入過(guò)程中能夠讓患者感覺(jué)更舒適，對(duì)身體的擾亂也更小。為滿足可植入醫(yī)療設(shè)備對(duì)更小型混合元件的需求，
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MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或
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三極管做開(kāi)關(guān)擴(kuò)流的常用電路及使用誤區(qū)
三極管比較便宜，用起來(lái)方便，常用在數(shù)字電路開(kāi)關(guān)控制。一般來(lái)說(shuō)低成本場(chǎng)合，普通應(yīng)用的先考慮用三極管。三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是
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TDK開(kāi)發(fā)出06505尺寸積層低通濾波器 2015年1月起開(kāi)始量產(chǎn)
·與以往產(chǎn)品相比體積減少51%，實(shí)現(xiàn)小型薄型化TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)開(kāi)發(fā)出支持智能手機(jī)、平板終端等移動(dòng)設(shè)備中的LTE和新一代高速無(wú)線通信系統(tǒng)的06505尺寸積層
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哪一個(gè)更簡(jiǎn)單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？
我曾經(jīng)遇到過(guò)節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當(dāng)時(shí)就意識(shí)到“跑”這個(gè)單詞會(huì)有多少種意思呢。我聽(tīng)說(shuō)單單作為動(dòng)詞，他就有645個(gè)意
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式晶體管，進(jìn)一步擴(kuò)展其獲獎(jiǎng)的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品系列。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80
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Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn)：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適
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德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻
采用5 mm x 6 mm QFN封裝并集成超低導(dǎo)通電阻的25 V和30 V器件21ic電源網(wǎng)訊 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低
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只用三個(gè)芯片的相位計(jì)設(shè)計(jì)電路
一個(gè)簡(jiǎn)單而有效的低頻相位計(jì)電路，只需要三塊IC，達(dá)到絕對(duì)精度優(yōu)于0.5°而且分辨到滿360°。這三塊芯片是：一塊CMOS D觸發(fā)器，一塊CMOS施密特反相器和一塊雙極性四邊
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Intersil推出業(yè)內(nèi)最小雙路3A/單路6A降壓電源模塊
該器件外形尺寸小，功率密度高，轉(zhuǎn)換效率高，適合通信和工業(yè)應(yīng)用21ic電源網(wǎng)訊 Intersil公司今天宣布，推出一款雙路3A/單路6A降壓DC/DC電源模塊---ISL8203M。該模塊緊湊型9.
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