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Diodes高壓穩(wěn)壓器晶體管為微控制器提供5V電源并節(jié)省占位面積

21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的穩(wěn)壓器ZXTR2105F，該產(chǎn)品把晶體管、齊納二極管及電阻器單片式集成起來，有效在高達(dá)60V的輸入情況下提供5V 15mA的

功率器件
2015-03-26

diodes 電源新品穩(wěn)壓器
在精密電阻應(yīng)用中更小并不意味著更好

如今設(shè)備是越做越小，這個(gè)趨勢要求越來越小的精密電阻能夠支持越來越高的功率密度。這通常意味著只要可能就應(yīng)該使用表貼片狀電阻。是這么個(gè)說法嗎?SMT技術(shù)也不是十全十美的

功率器件
2015-03-25

電源技術(shù)解析功率
電容的用途有哪幾種

電容的用途非常多，主要有如下幾種：.隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。.旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。在電子電路中，去耦電容和旁路電

功率器件
2015-03-25

電源技術(shù)解析
Linear 推出雙路 3V 至 30V 低功率運(yùn)算放大器 LT6023

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙路 3V 至 30V 低功率運(yùn)算放大器 LT6023，該器件具 30µV 最大輸入失調(diào)電壓，並可在 60µs 穩(wěn)定至 0.01%。

功率器件
2015-03-24

Linear 運(yùn)算放大器電源新品
CUI推出 90 A數(shù)字負(fù)載點(diǎn)模塊系列應(yīng)對日益增多的先進(jìn)IC供電挑戰(zhàn)

市場上最高電流POL產(chǎn)品滿足聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用日益增長的功率需求CUI Inc宣布推出最高電流數(shù)字負(fù)載點(diǎn)POL系列產(chǎn)品NDM3Z-90，這些器件專為滿足現(xiàn)今最先進(jìn)的集成電路產(chǎn)品快速增長的功率

功率器件
2015-03-23

cui 電源新品
RFID與NFC常用標(biāo)準(zhǔn)及應(yīng)用場合

RFID與NFC有很多相似之處，除了應(yīng)用場合以及使用頻段，他們也同時(shí)共享了許多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，今天就為大家介紹其中兩個(gè)較常用的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議。RFID：許多人對于RFID的感性認(rèn)識(shí)都來自一

功率器件
2015-03-20

射頻電源技術(shù)解析
擴(kuò)展示波器用途的另外十個(gè)技巧

先前的文章介紹了擴(kuò)展中檔數(shù)字存儲(chǔ)示波器(DSO)基本功能的十個(gè)技巧(詳見：擴(kuò)展示波器用途的十大技巧)，本文將介紹另外十個(gè)技巧，它們可以幫助你節(jié)省時(shí)間，并使你成為公司的D

功率器件
2015-03-20

電源技術(shù)解析功率
晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器

引言雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，

功率器件
2015-03-20

電源技術(shù)解析功率
TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

全集成GaN FET功率級(jí)原型機(jī)幫助電源設(shè)計(jì)人員迅速了解GaN的極致優(yōu)勢21ic電源網(wǎng)訊近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。

功率器件
2015-03-20

gang 電源新品
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在

功率器件
2015-03-20

電源新品
EPC推出12 V、42 A輸出電流、已調(diào)節(jié)型的隔離式轉(zhuǎn)換器演示板

21ic電源網(wǎng)訊 EPC9115 DC/DC總線轉(zhuǎn)換器展示出配備專有驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在一個(gè)傳統(tǒng)、已調(diào)節(jié)型的隔離式1/8磚式DC/DC轉(zhuǎn)換器的拓?fù)淇梢园l(fā)揮的優(yōu)越性能。宜

功率器件
2015-03-20

epc 隔離式轉(zhuǎn)換器電源新品
Diodes 推出兩款同步整流器APR3415及APR34330 提高便攜式充電器集成度和效率

21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款同步整流器APR3415及APR34330，滿足市場對提高便攜式充電器集成度和效率的要求。新器件把驅(qū)動(dòng)電路與內(nèi)部MOSFET結(jié)

功率器件
2015-03-20

充電器 diodes 電源新品
安森美和Transphorm推出600 V GaN 晶體管用于緊湊型電源及適配器

參考設(shè)計(jì)令評(píng)估和實(shí)現(xiàn)新的基于GaN的晶體管和需要充分利用GaN器件的技術(shù)優(yōu)勢的AC-DC控制器成為事實(shí)安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor)，和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm，先前宣布

功率器件
2015-03-19

安森美電源電源新品
Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達(dá)85%可靠性比額定結(jié)溫為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴(kuò)展溫度(ET)中壓MOS

功率器件
2015-03-19

fairchild MOSFET 電源新品
開關(guān)電源設(shè)計(jì)，何時(shí)使用BJT？

MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT) 可能仍然會(huì)有一定的優(yōu)勢。特別是在離線電源中，成本和高電壓(大于 1kV

功率器件
2015-03-18

電源技術(shù)解析控制

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電源

Diodes高壓穩(wěn)壓器晶體管為微控制器提供5V電源并節(jié)省占位面積

在精密電阻應(yīng)用中更小并不意味著更好

電容的用途有哪幾種

Linear 推出雙路 3V 至 30V 低功率運(yùn)算放大器 LT6023

CUI推出 90 A數(shù)字負(fù)載點(diǎn)模塊系列應(yīng)對日益增多的先進(jìn)IC供電挑戰(zhàn)

RFID與NFC常用標(biāo)準(zhǔn)及應(yīng)用場合

擴(kuò)展示波器用途的另外十個(gè)技巧

晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器

TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

英飛凌將與松下電器聯(lián)袂雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

EPC推出12 V、42 A輸出電流、已調(diào)節(jié)型的隔離式轉(zhuǎn)換器演示板

Diodes 推出兩款同步整流器APR3415及APR34330 提高便攜式充電器集成度和效率

安森美和Transphorm推出600 V GaN 晶體管用于緊湊型電源及適配器

Fairchild新的擴(kuò)展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

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