30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達85%

可靠性比額定結溫為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍

21ic電源網訊 Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產品系列幫助生產商提高產品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內標準值的MOSFET高三倍。

這一新的ET MOSFET產品系列符合IPC-9592電源轉換標準，換言之，其最大結溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成為可能。該產品系列包括19款新設備，提供5 mm x 6 mm和3 mm x 3 mm標準封裝和新的TO-Leadless (TO-LL)封裝。這些設備提供廣泛的電壓額定值，包括30V、40V、60V、80V、100V、120V和150V。

Fairchild的ET MOSFET系列將卓越的耐高溫性能、更高的功率密度和更高的可靠性相結合，是用于各種應用比如DC-DC、AC-DC和電機驅動的理想選擇，應用范圍包括航空電子設備、微型太陽能逆變器、電動工具和電信。

Fairchild iFET產品系列副總裁Suman Narayan表示：“作為Fairchild整條ET MOSFET產品線的最新成員，在設計能夠或必須耐受高溫的產品時，該新系列產品為設計者提供了更大的設計裕量，而無需依賴散熱片或其它增加產品成本和復雜性的散熱方法。 這些新設備秉承Fairchild的傳統(tǒng)，為設計者帶來出色的解決方案，與競爭產品相比大幅增加了設計裕量。”

可在175° C下工作的能力使得這些新ET MOSFET特別適合必須在高溫環(huán)境中工作的產品，如太陽能和以太網供電(POE)應用。 此外，設備的可靠性大幅提高，對于在惡劣環(huán)境中使用的產品是一大優(yōu)勢，如航空電子設備、鐵路和電動工具應用。

在超小封裝內提供擴展溫度范圍和更高的功率密度是該系列的主要優(yōu)勢，制造商可獲得更多的產品設計靈活性。 它可以幫助設計者縮小產品尺寸，同時保持相同的功率輸出，或者在不增加尺寸的條件下提高功率輸出。

Fairchild將參加3.16-19在北加州夏洛特舉行的2015年APEC展覽，展位是905。我們的技術專家將在現(xiàn)場討論和解答關于擴展溫度(ET)中壓MOSFET的問題和其他高能效解決方案。