1 引言無(wú)源逆變技術(shù)在交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速、不間斷電源、交-直-交變頻電路等方面已經(jīng)有了非常廣泛的應(yīng)用。而脈寬調(diào)制技術(shù)更是以其諧波抑制、動(dòng)態(tài)響應(yīng)、頻率和效率等方面的明顯優(yōu)勢(shì)取得了很大的發(fā)展。特別是在自關(guān)斷器件出
汽車(chē)電子產(chǎn)品的一個(gè)普遍要求是直接連接到配線(xiàn)裝置,必須能夠經(jīng)得起電池電壓的短路。雖然殘酷,但這項(xiàng)規(guī)定對(duì)可靠性與安全來(lái)說(shuō)是必要的。一個(gè)需要這種保護(hù)的例子是用于汽車(chē)內(nèi)部產(chǎn)生間接噪聲的音頻放大器。雖然工作
一、型號(hào):BL8532工作方式:PFM; 輸入電壓:0.8-10/V; 輸出電壓:恒流反饋電壓200-500MV; 靜態(tài)功耗:15UA; 工作頻率:150KHZ; 效 率:87%; 開(kāi)關(guān)管:內(nèi)置; 電流:500MA;封裝:SOT-89-5.概述:BL8532 是針對(duì)LED 應(yīng)用設(shè)
摘要:基于SIMCOM公司的SIM900A模塊針對(duì)農(nóng)業(yè)溫室環(huán)境設(shè)計(jì)了物聯(lián)網(wǎng)報(bào)警系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以完成對(duì)溫室內(nèi)空氣溫濕度等環(huán)境參數(shù)的采集;同時(shí)系統(tǒng)利用AT指令完成了自動(dòng)收發(fā)短信功能,實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境參數(shù)超閡值的自動(dòng)報(bào)警和設(shè)備余
1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng),控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計(jì)的
近年來(lái),隨著光電技術(shù)的迅猛發(fā)展,激光器已廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、國(guó)防、測(cè)量等各個(gè)領(lǐng)域。而環(huán)境溫度變化會(huì)直接影響激光器的波長(zhǎng)。把關(guān)鍵元件(如高性能晶振、SAW 濾波器、光放大器、激光二極管) 的本機(jī)溫度限制在窄范圍內(nèi),可
摘要:LinkZero-AX芯片集成了電源控制器和一個(gè)700V的功率MOSFET開(kāi)關(guān),經(jīng)簡(jiǎn)單配置而成的隔離或非隔離輔助電源,通過(guò)簡(jiǎn)單開(kāi)/關(guān)控制調(diào)整輸出電壓,在待機(jī)/掉電模式下的功耗小于3mW,乃至接近于零。 關(guān)鍵詞:LinkZero
開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能
1 問(wèn)題 隨著生產(chǎn)的發(fā)展和技術(shù)的進(jìn)步,特別是各種具有整流入端的電力電子負(fù)載的廣泛應(yīng)用,即各種非線(xiàn)性的、時(shí)變的負(fù)載和設(shè)備的大量涌現(xiàn),電力系統(tǒng)中產(chǎn)生大量諧波并對(duì)電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行產(chǎn)生威脅。電力系統(tǒng)的諧波問(wèn)
1 前 言 作為電真空微波放大管的一種,速調(diào)管以其功率大﹑效率高的優(yōu)勢(shì)得到了廣泛的應(yīng)用。而速調(diào)管一般都需要外加一個(gè)聚焦磁場(chǎng)。為了使速調(diào)管電子槍所打出的電子注不被散射損耗掉,這就要求磁場(chǎng)電源具有較好的電
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì),在
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì),在
摘要:LinkZero-AX芯片集成了電源控制器和一個(gè)700V的功率MOSFET開(kāi)關(guān),經(jīng)簡(jiǎn)單配置而成的隔離或非隔離輔助電源,通過(guò)簡(jiǎn)單開(kāi)/關(guān)控制調(diào)整輸出電壓,在待機(jī)/掉電模式下的功耗小于3mW,乃至接近于零。 關(guān)鍵詞:LinkZero
32英寸及更大尺寸的主流液晶電視電源要求產(chǎn)生多個(gè)電壓軌來(lái)為音頻、背光及信號(hào)處理等不同系統(tǒng)模塊供電。其中,信號(hào)處理板上使用本地線(xiàn)性及DC-DC轉(zhuǎn)換器來(lái)提供不同的低壓軌。對(duì)于制造商而言,通常使用通用電源,支持90至