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多電源系統(tǒng)的監(jiān)控和時(shí)序控制
現(xiàn)今，電子系統(tǒng)往往具有許多不同的電源軌。在采用模擬電路和微處理器、DSP、ASIC、FPGA的系統(tǒng)中，尤其如此。為實(shí)現(xiàn)可靠、可重復(fù)的操作，必須監(jiān)控各電源電壓的開關(guān)時(shí)序、上升和下降速率、加電順序以及幅度。既定的電源
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提升電源系統(tǒng)可靠性的有效選擇
近來， LLC拓?fù)湟云涓咝В吖β拭芏仁艿綇V大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過載，短路等情況下。Infineon CoolMOS CFD2系列
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德州儀器推出緊湊型高速單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動(dòng)電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導(dǎo)體的開關(guān)損耗。該 UC
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Linear推出具反向電流隔離的均流控制器LTC4370
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具反向電流隔離的均流控制器系列之首款產(chǎn)品 LTC4370。LTC4370 使設(shè)計(jì)師擺脫了現(xiàn)有均流方法的限制和復(fù)雜性，并能為雙電源的均流設(shè)計(jì)一種更簡(jiǎn)單、更快和可節(jié)
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基于ARM的快速原型化平臺(tái)的方案
1 背景介紹在日益信息化的社會(huì)中，各種各樣的嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)全面滲透到日常生活的每一個(gè)角落。嵌入式系統(tǒng)的功能越來越復(fù)雜，這就使得一個(gè)嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品從市場(chǎng)需求立項(xiàng)到方案選擇、樣機(jī)研制、定型量產(chǎn)所需要的開發(fā)費(fèi)
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深海環(huán)境模擬實(shí)驗(yàn)裝置壓力控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
摘要：為了模擬深海高壓環(huán)境，研制了一套深海環(huán)境模擬試驗(yàn)裝置，在對(duì)深海環(huán)境模擬裝置控制系統(tǒng)結(jié)構(gòu)原理分析的基礎(chǔ)上，提出了一種針對(duì)壓力的闊環(huán)控制策略，采用以Atmega8L單片機(jī)為核心的主控電路、以ECN30206為核心的
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性
工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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提高電流源性能的JFET級(jí)聯(lián)技術(shù)
很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應(yīng)變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后,電壓基準(zhǔn)電路IC1就可以構(gòu)成一個(gè)恒定和精確的電流源（圖1）。但是,該電流源的誤差與R1和IC1的精度有關(guān),并影響著測(cè)量精
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太陽(yáng)能LED路燈的研制
摘要：隨著社會(huì)的發(fā)展和人口的增長(zhǎng)，人們對(duì)能源的需求量越來越大，節(jié)能環(huán)保已經(jīng)成為人類迫切需要解決的問題。太陽(yáng)能作為一種清潔能源受到越來越多的關(guān)注，而LED具有發(fā)光效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)?；赟i1000單片機(jī)，采用
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最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類型
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，這種產(chǎn)品
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RF功率晶體管耐用性驗(yàn)證方案
本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作
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直流側(cè)電力有源濾波器濾除諧波干擾的原理及方案
1 引言隨著電力電子裝置的迅速發(fā)展，產(chǎn)生了兩方面的問題：一是電力電子變流電路產(chǎn)生的諧波干擾已成為電力系統(tǒng)之中諧波的主要來源，諧波造成的危害日益嚴(yán)重。二是電力電子系統(tǒng)中的無源元件，特別是電解電容在成本、體
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恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件
21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列，該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù)，具有極低導(dǎo)通電阻（RDSon）、極高的開關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOS
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Microsemi推出DRF1400功率MOSFET
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線，推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM) 領(lǐng)域的RF發(fā)生器中使用，例如用于半導(dǎo)體、LCD和太陽(yáng)能電池制造的等離子
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FAN6754A在PWM反激式開關(guān)電源的應(yīng)用設(shè)計(jì)
本文介紹了新款峰值電流型PWM控制芯片F(xiàn)AN6754A的工作特性和原理，分析了反激式開關(guān)電源的設(shè)計(jì)原理以及工作過程。針對(duì)次級(jí)電路結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種新型反激式開關(guān)穩(wěn)壓電源。著重介紹了反激式開關(guān)電源的變壓器設(shè)計(jì)過程，包
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