現(xiàn)今,電子系統(tǒng)往往具有許多不同的電源軌。在采用模擬電路和微處理器、DSP、ASIC、FPGA的系統(tǒng)中,尤其如此。為實現(xiàn)可靠、可重復的操作,必須監(jiān)控各電源電壓的開關時序、上升和下降速率、加電順序以及幅度。既定的電源
近來, LLC拓撲以其高效,高功率密度受到廣大電源設計工程師的青睞,但是這種軟開關拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機,動態(tài)負載,過載,短路等情況下。Infineon CoolMOS CFD2系列
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等寬帶隙半導體的開關損耗。該 UC
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具反向電流隔離的均流控制器系列之首款產(chǎn)品 LTC4370。LTC4370 使設計師擺脫了現(xiàn)有均流方法的限制和復雜性,并能為雙電源的均流設計一種更簡單、更快和可節(jié)
1 背景介紹在日益信息化的社會中,各種各樣的嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)全面滲透到日常生活的每一個角落。嵌入式系統(tǒng)的功能越來越復雜,這就使得一個嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品從市場需求立項到方案選擇、樣機研制、定型量產(chǎn)所需要的開發(fā)費
摘要:為了模擬深海高壓環(huán)境,研制了一套深海環(huán)境模擬試驗裝置,在對深海環(huán)境模擬裝置控制系統(tǒng)結構原理分析的基礎上,提出了一種針對壓力的闊環(huán)控制策略,采用以Atmega8L單片機為核心的主控電路、以ECN30206為核心的
工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
很多工藝控制傳感器(如熱敏電阻器和應變橋)都需要精確的偏置電流。增加一只電流設置電阻器R1后,電壓基準電路IC1就可以構成一個恒定和精確的電流源(圖1)。但是,該電流源的誤差與R1和IC1的精度有關,并影響著測量精
摘要:隨著社會的發(fā)展和人口的增長,人們對能源的需求量越來越大,節(jié)能環(huán)保已經(jīng)成為人類迫切需要解決的問題。太陽能作為一種清潔能源受到越來越多的關注,而LED具有發(fā)光效率高、壽命長等優(yōu)點?;赟i1000單片機,采用
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此?,F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管,這種產(chǎn)品
本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導體單元因短路或負載失配等原因損壞時繼續(xù)工作
1 引言隨著電力電子裝置的迅速發(fā)展,產(chǎn)生了兩方面的問題:一是電力電子變流電路產(chǎn)生的諧波干擾已成為電力系統(tǒng)之中諧波的主要來源,諧波造成的危害日益嚴重。二是電力電子系統(tǒng)中的無源元件,特別是電解電容在成本、體
21ic訊 恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽車級功率MOSFET器件系列,該系列采用恩智浦的Trench 6技術,具有極低導通電阻(RDSon)、極高的開關性能以及出色的品質和可靠性。恩智浦新型汽車級MOS
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM) 領域的RF發(fā)生器中使用,例如用于半導體、LCD和太陽能電池制造的等離子
本文介紹了新款峰值電流型PWM控制芯片F(xiàn)AN6754A的工作特性和原理,分析了反激式開關電源的設計原理以及工作過程。針對次級電路結構,設計了一種新型反激式開關穩(wěn)壓電源。著重介紹了反激式開關電源的變壓器設計過程,包