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基于CS5463的新型多功能電能表電路設(shè)計(jì)
介紹了一種新型多功能電能表設(shè)計(jì)的基本原理，詳細(xì)討論了硬件功能電路的設(shè)計(jì)方法。該儀表以Cirrus Logic公司的CS5463為電能計(jì)量芯片，并以單片機(jī)P89LPC916作為系統(tǒng)處理器。文中重點(diǎn)介紹了該電能表的電源和電能計(jì)量模塊的工作原理和設(shè)計(jì)方法。
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基于MIC3203設(shè)計(jì)的HBLED驅(qū)動(dòng)方案
MIC3203降壓恒流高亮度LED(HBLED)驅(qū)動(dòng)器,輸入電壓從4.5V到42V,效率大于90%,LED的電流精度±5%,開關(guān)頻率高達(dá)1.5MHz,主要用在建筑物,工業(yè)和環(huán)境照明,LED燈,指示器和緊急照明,街道照明以及12V照明系統(tǒng).High-Brightness
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智能滅火機(jī)器人硬件電路設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
經(jīng)過(guò)50多年的發(fā)展，人工智能已形成極廣泛的研究領(lǐng)域，并且取得了許多令人矚目的成就[1]。人工智能也稱機(jī)器智能，是一門研究人類智能機(jī)理和如何用計(jì)算機(jī)模擬人類智能活動(dòng)的學(xué)科。智能機(jī)器人技術(shù)綜合了計(jì)算機(jī)、控制論、
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NexFET功率模塊（TI）
德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET
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新款三相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器IC（Allegro）
Allegro MicroSystems公司推出新款三相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器，可為最高電源電壓為 38 V 的全N通道功率 MOSFET 三相橋的直接大電流門極驅(qū)動(dòng)提供輸出。 Allegro 的 A4936 器件具有三個(gè)霍爾元件輸入、一個(gè)用于整流控制
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汽車用雙通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR) 近日推出適用于汽車應(yīng)用的 AUIRS4426S 雙通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)IC，應(yīng)用領(lǐng)域包括混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)、直接燃油噴射系統(tǒng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等。適用汽車的 AUIRS4426S 采用 8 引腳
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電鍍電源改成100A鋁焊機(jī)的心得
主電路還是老一套，因?yàn)槿萘啃?，才用?只IRF360（25A／400V）作為全橋四臂，反饋取樣都還是一樣，主變?nèi)DK／EI70磁心，整流管取IR的肖特基管400A／100V，全波整流。工作頻率110KHz。 所不同的是輸出濾波電感量很
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基于PM4040F設(shè)計(jì)的1000W全橋開關(guān)電源
采用PM4040F制作的千瓦級(jí)開關(guān)電源由主電路圖一份,輸出部分有兩個(gè)不同的電路圖，你可以根據(jù)你的需要采用單電壓部分也可以采用雙電壓部分的電路圖與主電路圖構(gòu)成一個(gè)完整的開關(guān)電源電路圖。 除已經(jīng)標(biāo)注了功率的電阻
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矩陣式三相／單相電源研究
運(yùn)用矩陣變換器的優(yōu)良特性實(shí)現(xiàn)其在感應(yīng)加熱領(lǐng)域的應(yīng)用，采用四步法換流策略和分頻段控制方案，有利于提高性能輸出和降低CPU資源損耗；通過(guò)檢測(cè)三相輸入電壓與設(shè)定的頻率并分析、計(jì)算來(lái)切換不同的控制方案，實(shí)現(xiàn)參數(shù)可調(diào)的電能輸出?；谠摲桨高M(jìn)行模擬器的建立。通過(guò)相應(yīng)的輸入／輸出參數(shù)檢測(cè)，表明控制策略的可行性和系統(tǒng)良好可應(yīng)用性。
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D類音頻系統(tǒng)中斬波運(yùn)放電路的設(shè)計(jì)
1 引言本文在0.35微米N阱工藝的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了單電源供電的全差分?jǐn)夭ㄟ\(yùn)放電路，同時(shí)，為了減小殘余電壓的失調(diào)， 采用了T/H(跟蹤-保持)解調(diào)技術(shù)，該電路在斬波頻率150KHz工作時(shí)，輸入等效噪聲達(dá)到31.12nV/Hz。 在
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基于TOP265EG設(shè)計(jì)的30W待機(jī)電源方案
TOPSwitch-JX系列(TOP264-271)集成了725V功率MOSFET,高壓開關(guān)電流源,多模式PWM控制,熱關(guān)斷電路,故障保護(hù)和其它控制電路, 265 VAC電壓下無(wú)負(fù)載的功耗低于100mW.本文介紹了TOPSwitch-JX系列(TOP264-271)主要特性, 方框
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基于ZXLD1370設(shè)計(jì)的60V LED驅(qū)動(dòng)方案
ZXLD1370是60V高精度降壓/升壓/升降壓LED驅(qū)動(dòng)控制器,輸出電流精度0.5%,工作電壓6V-60V,DC調(diào)光比20:1,500Hz的調(diào)光比達(dá)1000:1,工作頻率高達(dá)1MHz,可驅(qū)動(dòng)超過(guò)15個(gè)串聯(lián)的LED.本文介紹了ZXLD1370主要特性, 降壓配置框圖, 升
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NexFET功率模塊CSD86350Q5D（TI）
德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET
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兩種小信號(hào)分立無(wú)鉛封裝（NXP）
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）今天宣布推出兩種擁有0.65 mm的行業(yè)最低高度新2 mm x 2 mm小信號(hào)分立無(wú)鉛封裝。通過(guò)具有良好的熱性能和導(dǎo)電性的無(wú)遮蔽散熱片，塑料SMD（表面封裝器件）封裝的使用壽命得到了提高，
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適用于適配器的反激同步整流控制電路
隨著消費(fèi)類電子的發(fā)展，其外部供電電源(適配器)所消耗的電能占全球能耗的比例在急劇加大，成為不可忽視的耗能“大戶”。以美國(guó)為例，每年適配器需要消耗電能3000億度/年，占整個(gè)國(guó)家每年用電總量的11%。 在節(jié)能減排深
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