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利用先進模擬與電源管理設計滿足ADSL系統(tǒng)設計目標
雖然數字科技是ADSL的技術基礎，但仍要靠著互補搭配的模擬與混合信號技術，服務供貨商才能以低成本大幅建置ADSL線路，并提供服務給九成以上的客戶。從許多方面來看，ADSL設計的模擬與混合信號部份是達成系統(tǒng)總目
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4A DC/DC 微型模塊穩(wěn)壓器（Linear）
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 4A 系統(tǒng)級封裝 DC/DC 微型模塊 (uModule®) 穩(wěn)壓器 LTM8027，該器件能用 60V 單電源工作，而不需任何輸入保護。LTM8027 在小型 2.6g 15mm x 15mm x 4.32mm 焊
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新型高速18V MOSFET驅動器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅動器系列，該系列產品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產品具有14 ns 至35 ns 的傳播延遲和10 ns 至25 ns 的邊沿上升/下降時間。新型 ADP36xx MOSFET 驅動器系列
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驅動器測試系統(tǒng)設計
敘述了驅動器測試系統(tǒng)特點，并給出了具體實施框圖、接口電路設計和軟件模塊設計。驅動器測試系統(tǒng)操作簡單快捷、功能強大，具有良好的交互性、可移植性和可擴展性，是故障檢測中必備儀器。
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MOSFET柵漏電流噪聲模型研究
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET，當氧化層厚度<2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產生
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第八屆電源技術專題研討會報道(圖)
隨著2009年9月18號北京分會場上最后一個幸運聽眾的產生，為期2周的第八屆電源研討會勝利閉幕了。本次研討會在北京、上海、深圳、武漢、西安和成都六地均設有分會場，演講場次達60余場，參會人數超過3000人，會議規(guī)
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同步整流BUCK型DC-DC模塊TPS54310的平均SPICE模型的建立與應用
在Dr. Sam Ben-Yaakov開關電感模型概念的基礎上，根據DC-DC模塊TPS54310的實際工作原理，建立適用于SPICE軟件的等效電路模型，從而可以方便地對TPS54310進行直流分析、小信號分析以及閉環(huán)大信號瞬態(tài)分析。模型的準確性在所建模型的SPICE仿真結果與TI公司提供的專用設計軟件SWIFT™ Designer 2.01的設計結果的對比中得到證實。
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兩款全新GreenPoint參考設計（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出兩款新的GreenPoint®參考設計，加速及簡化高能效發(fā)光二極管(LED)照明應用的開發(fā)。 第一款參考設計采用適合MR16 LED替代的尺寸及特性配置，是經過精心構建及測試的3瓦(W)至5 W
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一種減少VDMOS寄生電容的新結構
分析影響VDMOS開關特性的各部分電容結構及參數，為了減少寄生電容，提高開關速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結果表明：這種新型結構與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關時間，提高器件的動態(tài)性能。
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通過初級端調節(jié)提高HB LED照明效率
高亮度發(fā)光二極管(High-Brightness Light Emitting Diode，HBLED) 是一種大功率高亮度的LED，它的壽命更長、尺寸更小，而且設計靈活，已成為傳統(tǒng)白熾燈和鹵素燈的替代產品。 采用初級端調節(jié)控制器的高亮度LED驅
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微型無刷直流電機的無位置傳感器控制
0 引言 在一些應用場合要求使用的電機體積小、效率高、轉速高，微型永磁無刷直流電機能夠較好地滿足要求。因為電機體積較小，安裝位置傳感器困難，所以微型無刷直流電機的無位置傳感器控制就顯得尤為必要。
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應急電源用的EPS和UPS電源
(1)應急電源是確保電力供電系統(tǒng)和消防系統(tǒng)安全運行的技術保障 當代社會生活對市電電網供電可靠性的依賴度之高是人所共知的。近年來，隨著我國工農業(yè)生產的高速增長及人民生活水平的提高所需求的電力供應量也隨
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基于磁放大器的ATX電源的設計
1 ATX電源簡介 早期PC中的開關電源是AT電源的一統(tǒng)天下。AT電源的輸出功率一般為150～250W，共有四路輸出(+5V、-5V、+12V、-12V)，另外還向主板提供一個電源正常(PG，Power Good)信號。AT電源的缺點是采用切斷
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新款20V P溝道功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA4
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采用薄型封裝的MicroFET（飛兆）
飛兆半導體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現推出行業(yè)領先的薄型封裝版本，幫助設計人員提升其設計性能。飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作，開發(fā)了集成式P溝道PowerTrench® MOSFET與肖特基二極
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