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  • 歐洲倡建立全球太陽能光伏發(fā)電網(wǎng)

    歐洲人一直致力于開發(fā)納米科技，希望該技術能使各國在下世紀擺脫化石燃料。他們特別對于建立全球性太陽能電網(wǎng)有相當大的興趣，因為陽光始終照耀著地球。   在最近召開的歐洲科學基金會大會上，對于可持續(xù)能源中的納米科技的基調(diào)相當清晰，即歐洲準備加速發(fā)展納米科技。會議的重點是太陽能，而不是風能等其他可持續(xù)能源，這不僅因為太陽能是納米技術最適用的領域，而且作為化石燃料的長期替代品，太陽能轉(zhuǎn)換擁有最光明的前景。   而提到的納米科技中，涵蓋染料敏化太陽能電池（DSCs）和仿生技術很受歡迎，因為它們表現(xiàn)出捕獲、存儲太陽能的良好前景。   合理分配太陽能   人們可以直接捕獲太陽能來發(fā)電和生產(chǎn)燃料，諸如用于發(fā)動機的氫。這種燃料也可以反過來在常規(guī)電廠里間接用于發(fā)電。主持這次會議的瑞典查爾姆斯理工大學教授本特?卡塞莫表示：“太陽能發(fā)電的潛力比風能大得多。”   太陽能的一個缺點是，同風能一樣，它跨地區(qū)和時間的差異很大。因為太陽能僅局限在白天，在斯堪的納維亞半島、西伯利亞等高緯度地區(qū)并不充沛。卡塞莫教授說，由于這個原因，人們越來越關注構建全球性太陽能電網(wǎng)的設想。   卡塞莫教授說：“如果在太陽能最為豐富的地區(qū)進行捕獲，然后在全球網(wǎng)絡進行分配，它將足以取代目前很大一部分以化石燃料為基礎的電力。這也將解決晝夜問題，從而減少存儲需求，因為太陽永遠照耀著地球?！?  開發(fā)納米科技   會議的相關資料和獨立組織表示，在不久的將來，基于硅的固態(tài)技術有可能主導太陽能電池的生產(chǎn)，但長遠來看，染料敏化太陽能電池和其他前沿科技有可能降低成本。用廉價的半導體材料生產(chǎn)的強韌的柔性電池片，其強度足以抵御冰雹振動的沖擊。   與現(xiàn)有科技條件下最好的硅電池或薄膜電池相比，染料敏化電池雖然效率較低，但其性價比更好。歐盟預計，到2020年，染料敏化太陽能電池將對可再生能源生產(chǎn)做出重大貢獻。染料敏化電池由瑞士科學家邁克爾?格拉特佐爾發(fā)明，他是瑞士聯(lián)邦理工學院洛桑分校的教授，也是本次歐洲科學基金會大會的發(fā)言者和副主席。歐洲科學基金會大會認為，在新興的以納米科技為基礎的太陽能轉(zhuǎn)化技術里，將會有越來越多的選擇和競爭?？ㄈf：“我認為，一個重要的事實是，存在強有力的競爭。盡管其起步規(guī)模較小，但太陽能電力發(fā)展非常迅速，這將推動價格下降，使太陽能越來越具競爭力?！?  

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  • IDC：Q3 PC處理器市場出貨量同比增15.8%

    市場研究公司IDC稱，今年第三季度全球x86處理器市場顯示了強勁的增長，出貨量同比增長了15.8%。英特爾的Atom處理器是這個季度的最大贏家。   IDC稱，盡管經(jīng)濟氣候非常困難，英特爾的低價格的處理器似乎把PC市場推向了一個創(chuàng)紀錄的新高度。這種低價格的處理器出貨量的大幅度增長促使IDC把今年全球處理器市場出貨量增長率的預期提高到了18.0%。   今年第三季度處理器出貨量同比增長15.8%看起來是非常強勁的。但是，如果沒有Atom處理器，PC處理器市場的增長率只有8.7%。Atom處理器改變了整個市場的產(chǎn)品組合，也反應了銷售收入的增長。PC處理器市場的銷售收入沒有跟上出貨量的增長。IDC稱，第三季度PC處理器市場的銷售收入是83億美元，增長率只有4.1%。   Atom處理器還幫助英特爾提高了市場份額，特別是在移動市場。IDC稱，英特爾第三季度移動處理器的市場份額是87.4%，提高了0.8%。AMD的市場份額是11.5%，下降了1.1%。威盛科技的市場份額是1.2%，提高了0.3%。   在服務器處理器市場，AMD第三季度的市場份額是14.4%，提高了0.6%。英特爾的市場份額是85.6%，下降了0.6%。在臺式電腦市場，英特爾的市場份額是73.5%。AMD的市場份額是26.4%。   在整個處理器市場，英特爾第三季度的市場份額是80.8%，提高了1.1%。AMD的市場份額是18.5%，下降了1.2%。威盛科技的市場份額預計是大約0.6%。   IDC稱，展望未來，全球需求環(huán)境看起來有些疲軟，IDC將降低2009年PC處理器出貨量的預期。

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  • 中國半導體企業(yè)轉(zhuǎn)向新的國內(nèi)增長

    iSuppli公司預測，經(jīng)過數(shù)年以兩位數(shù)速度增長之后，2008年中國半導體銷售額預計僅比2007年增長6.7%，從766億美元上升到817億美元。            與此同時，中國集成電路(IC)無廠設計產(chǎn)業(yè)2008年將比2007年增長12.3%，從31億美元增至35億美元。其增長動力來自無線與消費電子產(chǎn)品的國內(nèi)市場銷售強勁，而非來自出口。另外，今年在北京和其它中國城市舉辦的夏季奧運會，推動廠商推出支持3G、數(shù)字地面多媒體廣播(DTMB)和中國移動多媒體廣播(CMMB)標準的新款手機，也刺激了相關IC的銷售。   盡管受到監(jiān)管限制和供應鏈不完整，但2008年國內(nèi)市場形勢仍然有所改善。隨著產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的成熟，且面臨明年10月的國慶60周年，支持新的國內(nèi)標準的大眾應用將在2009年出現(xiàn)。雖然經(jīng)濟形勢存在一定的不確定性，但產(chǎn)業(yè)進一步增長仍然可期。   圖4所示為iSuppli公司對于2008－2012年中國IC產(chǎn)業(yè)營業(yè)額的預測。 圖4：2008-2012年中國IC產(chǎn)業(yè)營業(yè)額預測 (以百萬美元計) 來源：iSuppli公司，2008年11月   目前，中國有550多家無廠設計公司，多數(shù)都成立不久，而且規(guī)模很小。88%以上的廠商2008年營業(yè)收入將低于1000萬美元，都在為繼續(xù)成長而奮斗。   中國IC無廠設計產(chǎn)業(yè)有四大成功要素：市場，人才，資金與時機(MMMT)。美國企業(yè)在技術與創(chuàng)新方面擁有優(yōu)勢，這經(jīng)常幫助其在新興市場成為贏家。相比之下，臺灣廠商擁有有效的成本控制手段，而且高度整合，這幫助其在成熟市場取得成功。   大陸企業(yè)將在跨欄市場進行競爭，這種市場匯集了爭奪制高點和技術創(chuàng)新方面的競爭。技術創(chuàng)新是在成熟市場中參與競爭的必要因素。在跨欄市場中，競爭者必須把高度和速度納入一個單一的平衡策略。   圖5分析了參與跨欄市場的中國IC無廠設計公司的市場機會。 圖5：中國的“跨欄市場”：IC無廠設計公司的機會 來源：iSuppli公司，2008年11月   但是，由于目前發(fā)生的全球金融危機，深圳創(chuàng)業(yè)板市場未能在今年推出。而且，風險資本家普遍對中國IC產(chǎn)業(yè)缺乏興趣。多數(shù)半導體企業(yè)缺乏資金，面臨現(xiàn)金流問題。   iSuppli公司預期，未來兩年將有100多家公司消失。許多企業(yè)目前在尋找買主，過去12個月共有四家廠商已被國外半導體公司收購。   中國IC無廠設計產(chǎn)業(yè)兩極分化，約有50家企業(yè)取得成功，其余的則在掙扎求生。有些廠商處于賠本狀態(tài)，沒有成熟的產(chǎn)品用于創(chuàng)造維持運營所需的收入。多數(shù)廠商已宣布裁員、削減生產(chǎn)線或者徹底關門。   同時，有幾家中國無廠設計公司將尋求2009年在美國納斯達克和國內(nèi)上市。iSuppli公司預計，明年至少五家公司將尋求上市，至少10家公司將卷入幷購活動。

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  • 高通在新加坡建亞太測試發(fā)展中心

            高通(Qualcomm)在新加坡設立亞太卓越測試中心(Asia Pacific Test Center of Excellence)，這也是公司首個在美國以外的測試發(fā)展中心。           高通亞太測試中心將為公司設在印度、中國、臺灣、韓國及美國圣地亞哥(San Diego)的設計中心所設計出的新產(chǎn)品與科技進行設計驗證及失效分析。由于這家設在新加坡的測試中心較臨近公司在亞洲的設計中心，因此將縮短新產(chǎn)品與科技的評估周期。           此外，這個坐落實新加坡龍崗北的中心也將獨立進行新產(chǎn)品及科技的發(fā)展，其中包括可支撐整合式移動設備(converged mobile device)的科技；中心也將為新產(chǎn)品進行生產(chǎn)前抽樣。公司有意日后近一步擴張測試中心的設施并聘請更多員工。           高通的另一個測試中心在圣地亞哥，隨著在本地的測試中心的落實，公司將在兩個不同時區(qū)地帶擁有測試中心，因此將有全天化的工程支援系統(tǒng)，加快其新數(shù)碼與無線廣播頻率系統(tǒng)的評估周期，以便提早將科技推出市場。           高通選擇在新加坡設立測試中心是因為新加坡有杰出的勞動資源、世界級的商業(yè)基礎設施及優(yōu)越的地理位置，縮短高通與在本區(qū)域多個供應商及客戶之間的距離。           高通是世界無廠模式半導體(fabless semiconductor)巨頭，也是家先進無線科技及數(shù)據(jù)方案發(fā)展商，總部位于圣地亞哥。公司首創(chuàng)整合式無廠生產(chǎn)(Integrated Fa- bless Manufacturing，IFM)模式，該模式結合無廠模式策略與整合元件生產(chǎn)(Integrated Device Manufacturing，IDM)模式的許多優(yōu)點。  

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  • 山寨閃存內(nèi)幕 低價芯片來自殘次品和洋垃圾

    主控廠商才是萬惡之源？ 發(fā)信人王祖宏（化名）此前是國內(nèi)一家中等規(guī)模主控芯片生產(chǎn)商的CTO(首席技術官)，負責IC的研發(fā)及測試。他的客戶都是一些深圳小廠，即人們常說的山寨廠?！拔覀兊腎C過不了ESD抗靜電標準，所以入不了大廠法眼”，王祖宏笑稱. 雖然接不到名廠大單，卻也從來不為生計發(fā)愁。依靠龐大的山寨市場，每個月走300萬～400萬片的IC不成問題。“為什么能走這么多？因為客戶看中的是IC的擴容能力。為了走量，主控廠商也做了不少‘功課’”。 王先生口中所謂的“功課”，是指一些主控廠商在IC設計時便預留了擴容后門，允許利用漏洞進 行擴容。更有甚者，一些IC廠商自行研發(fā)擴容軟件，與自家主控芯片配套出售?！按蠹业呢浂疾畈欢?，就靠軟件賺錢。一個普通主控能賣3.2元，而這種可擴容 的主控（附帶軟件）要賣到4.5元”。做這一行的有個不成文規(guī)定：所有可擴容的主控都是不單賣的，一定要捆綁軟件。采取這種捆綁銷售模式，除了可以牟取暴 利以外，也是希望借助這些特殊軟件打開IC市場，拓寬渠道。雖然劣質(zhì)閃存成本支出比正常的要多，但通過擴容后的閃存因為達到的容量“倍增”后牟取的暴利， 遠比這個支出大。 閃存組成：閃存主要是由閃存芯片、主控芯片、晶振、PCB板等部件組成的。其中主控芯片相當于閃存的“靈魂”，它控制著閃存的工作。主控廠商就是為閃存提供主控芯片的一方。 主控廠商與代理商或閃存廠商簽訂了保密協(xié)議后，貸款交接時會附贈這個可擴容的量產(chǎn)工具。該工 具檢測到閃存后，會自動生成一個6位的Key并禁止進入量產(chǎn)界面。主控廠商正是通過限制Key的使用次數(shù)來實現(xiàn)軟件與IC的搭配。一個客戶如果從主控廠商 這里購買了2000片IC的話，一般會獲得一個允許使用2200次的Key。達到規(guī)定次數(shù)之后，軟件就會被鎖定?！叭绻€想繼續(xù)使用，需要向主控廠商購 買，就像手機充值那樣”。 “除了擴容以外，這種軟件還有一個非常重要的作用”。王祖宏認為，另一個“亮點”也許才是山 寨廠商們趨之若鶩的主要原因。如果說擴容是從小到大的量變過程，那么這個軟件還可以神奇地實現(xiàn)“從無到有”。“任何一個閃存在量產(chǎn)時都需要格式化，在默認 ECC為0（較嚴格）的情況下，壞塊過多就會報錯，量產(chǎn)也就無法進行，閃存等于廢掉了”。而這款軟件可以忽略閃存芯片的質(zhì)量進行格式化操作。這種特殊的量 產(chǎn)工具允許用戶自行調(diào)節(jié)ECC。“在ECC3模式下，每個扇區(qū)3個位置的錯誤也將被忽略”。 在這個量產(chǎn)工具的幫助下，壞塊再多的黑片也可以輕松地通過格式化，從而進入量產(chǎn)。對于劣質(zhì)閃存廠商來說，可將一些黑片變廢為寶。但對購買了這種閃存的消費者來說，不僅可能會造成讀寫障礙，更會造成丟失重要數(shù)據(jù)、文件。 閃存這樣被“撐大”：擴容過程中最核心的就是scsi23/25命令，簡單地說就是讓固件在進行超容量讀寫的時候忽略寫操作。閃存明明沒寫，卻告訴系統(tǒng)寫成功了。這也是擴容后經(jīng)常出現(xiàn)一些文件無法讀取的原因。 洋垃圾閃存芯片是來源之一 山寨閃存使用的低價閃存芯片來源一直是個謎團。除了原廠DownGrade芯片、打磨處理的黑片、其他廠商處理的殘次品外，是否還有其他渠道？答案是肯定的。 交談中，王先生無意中透露了一個信息：除了正規(guī)廠商的次品回收，山寨工廠還有另一個龐大而骯臟的原料渠道——洋垃圾。而在洋垃圾的分揀、處理的過程中，一些不良主控廠商再一次扮演了非常重要的角色。 “國內(nèi)的IC廠商一般都是設計、生產(chǎn)分家的。一些平時主抓設計的Fabless（無生產(chǎn)線 IC設計公司）平時也會做點零活，比如檢測將作為洋垃圾進口來的閃存芯片”。據(jù)王先生介紹，早些時候，深圳保稅區(qū)有不少IC廠商都提供檢測閃存芯片的服 務，一片1塊錢?！澳阆胂胧裁礃拥拈W存芯片才需要大規(guī)模檢測？原廠片需要嗎？客戶送來的基本都是洋垃圾上的閃存芯片！” 收費雖然不低，單子卻還是源源不斷。“這些垃圾都是以噸為單位買進的，成本幾乎為零，再怎么算也有賺的”。正是在一些不良主控廠商的協(xié)助之下，山寨閃存廠商尋找到了另一條生財之道。 另外由于國內(nèi)IC廠商多位于深圳、上海等沿海城市遠郊，“便利”的地理位置也為洋垃圾的進入提供了條件。 相比之黑片擴容，洋垃圾的危害已遠非質(zhì)量問題所能涵蓋。電子垃圾中的鉛、汞等重金屬含量嚴重超標，易造成金屬中毒；輻射多倍超標，易致癌畸變。洋垃圾對人們的健康已經(jīng)造成了極大威脅，而洋垃圾中分揀出的黑片，危害自然也是不可小覷。 令人稍感欣慰的是，由于Flash芯片售價大幅下跌，較高的檢測費用提高了分揀黑片的整體成本，洋垃圾在閃存市場上出現(xiàn)的頻率已經(jīng)越來越低?！斑@種骯臟的行為現(xiàn)在比較少見了，但是很難說又會衍生什么樣的新方式，畢竟這行總是有著說不完的秘密”。 寫在最后 或許很多購買了那些雜牌低價閃存的用戶還不知道，他們手里的那些經(jīng)常出現(xiàn)讀寫、數(shù)據(jù)丟失的閃 存正是經(jīng)過擴容后的產(chǎn)物。普通用戶要鑒別購買的閃存是否經(jīng)過擴容，除了拷貝同體積的RAR壓縮文件，并測試數(shù)據(jù)包的完整性之外，在賣場中最可行的辦法是用 NTFS進行全盤格式化。因為擴容一般是在尾段進行，而NTFS與FAT/FAT32的機制不同，它從閃存前段、中段、尾段各取一些點進行寫操作，在尾段 上做手腳的擴容手法很難逃過NTFS的法眼。另外也可以借助MyDiskTest等第三方工具檢驗閃存是否有問題。 在此，我們還是強烈建議消費者購買大廠生產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。不要為了貪圖那幾十元的便宜而購買雜牌閃存，將自己的重要數(shù)據(jù)放置于一個極其不穩(wěn)定的劣質(zhì)閃存上，造成不必要的損失。

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  • 2009年手機產(chǎn)業(yè)或面臨2001年以來的首度萎縮

    路透調(diào)查顯示,經(jīng)濟低迷料將影響到明年手機需求,越來越多的分析師預計這個曾經(jīng)順風順水的市場將迎來2001年以來的首次萎縮. 22位受訪分析師平均預計,2008年第四季和2009年全球手機銷量均增長3%,遠低于近幾年高于10%的增長率,還有八位預計市場明年會出現(xiàn)萎縮. 而一個月前的類似調(diào)查顯示,23位受訪分析師中僅有一位預計2009年手機銷量會略微下滑. 分析師預計第四季銷量較第三季增加11.6%,低于諾基亞預計的增長13.5%. 第四季通常被視作手機制造商的旺季,因消費者會購買手機作為假日禮品. 手機市場產(chǎn)生于1980年代,迅速發(fā)展在1990年代末,現(xiàn)已達到1,900億美元的規(guī)模,成為主要的成長型產(chǎn)業(yè).迄今為止,該市場僅在2001年受到過短暫沖擊. 高通首席執(zhí)行官雅各布斯表示,信貸危機和經(jīng)濟不確定性意味著2009年無線機件銷售或比原先預想得疲軟,并稱明年上半年消費者庫存將"明顯收縮". 研究公司CCS Insight分析師Geoff Blaber稱:"新興市場在手機市場增長中占據(jù)重要低位,所以(手機市場銷量)很大程度上將取決于商品價格和手機購置總成本的降幅." 新興市場手機銷量在2005年超過了發(fā)達市場,今年約三分之二的銷售來自前者. Strategy Analytics分析師Neil Mawston稱:"新興市場是2009年的關鍵.而今年這一市場受金融危機的沖擊要甚于發(fā)達市場."

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  • LG建設韓最大太陽能電站完工投運

    由LG集團建設的韓國國內(nèi)最大規(guī)模的太陽能電站近日在忠清南道泰安竣工，并正式投入運營。   LG集團為建設該電站總計投資1100億韓元，由集團設立的全資子公司LG太陽能公司經(jīng)營。該電站占地面積約30萬平方米，發(fā)電規(guī)模為1.4萬千瓦，可為泰安地區(qū)8000戶家庭提供電力，為韓國國內(nèi)單一規(guī)模最大的太陽能電站。   該電站所發(fā)電力由LG太陽能公司以每千瓦677韓元的價格向韓國電力公司銷售，預計年銷售額可達130億韓元。此外，通過太陽能發(fā)電每年可減少約1.2萬噸的二氧化碳排放，通過二氧化碳排放權交易，每年可增加28.5萬美元的額外收益。   業(yè)內(nèi)人士稱，LG集團建設太陽能電站是涉足可再生能源市場的重大舉措。LG集團表示將以泰安太陽能電站的建成為契機，正式進軍可再生能源市場，逐步擴大市場占有率，并向海外市場擴張。  

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  • 普天稱2010年推出TD-LTE商用產(chǎn)品

        中國普天將在2010年推出TD-LTE商用產(chǎn)品，屆時普天所提供的TD設備可以實現(xiàn)到TD-LTE的平滑演進。在平滑演進的技術實現(xiàn)上，射頻單元采用軟件無線電技術的RRU，通過軟件升級就能實現(xiàn)向LTE的平滑過渡；基帶單元通過插入LTE板卡的方式可以實現(xiàn)TD和TD-LTE的雙模共存。 　　此前，在北京國際通信展上，中國普天全面展示了其推出的TD-LTE樣機系統(tǒng)，并演示了TD-LTE高速流媒體業(yè)務，高清晰的流媒體畫面極其穩(wěn)定和流暢。據(jù)記者了解，中國普天從2005年就成立了專門團隊啟動了LTE的研究和開發(fā)，不斷取得突破，在2008年10月份推出了這套樣機系統(tǒng)，TD-LTE基本的業(yè)務都能通過這套系統(tǒng)實現(xiàn)。普天將不斷推進商用產(chǎn)品進程和更好地實現(xiàn)對目前TD產(chǎn)品向TD-LTE的平滑演進。 　　據(jù)悉，在中國移動TD試驗網(wǎng)二期招標中，設備是要求可通過軟、硬件升級向3.5G及以上的HSDPA、LTE(長期演進)平滑演進的 。

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  • 集成電路:產(chǎn)業(yè)鏈群體突破

        集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)具有高投入、高風險、高技術的特征，這決定了它的發(fā)展必然是一個充滿艱辛和變數(shù)的歷程。1965年我國第一塊集成電路研制成功，比國際上僅僅晚了7年。但在十年動亂期間，由于企業(yè)應有的生產(chǎn)條件和設施受到破壞，產(chǎn)業(yè)發(fā)展違背科學規(guī)律，加之國際上的技術封鎖與禁運，拉大了我國IC技術和產(chǎn)業(yè)與國際水平的差距。改革開放之前，我國IC工業(yè)仍處于分散的、手工式的生產(chǎn)狀態(tài)。30年的改革開放帶來了我國經(jīng)濟社會的深刻變化，也為我國IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的生機與活力。      　開拓之路充滿坎坷    　在20世紀80年代初，國務院制定了中國集成電路發(fā)展規(guī)劃，然而，由于過去的長期封閉和對國際情況缺乏了解，行業(yè)中出現(xiàn)了重復引進和過于分散的問題，全國有33個單位不同程度地引進了各種集成電路生產(chǎn)線設備，最后真正建成投入使用的只有不多的幾條線。1989年2月，我國召開IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略討論會，明確了重點建設華晶集團公司、華越微電子有限公司、上海貝嶺微電子制造有限公司、上海飛利浦半導體公司及首鋼日電有限公司等5家主干企業(yè)。但是，直到1995年，我國在世界集成電路產(chǎn)量和銷售額中的比例還不到1%，與世界先進國家的差距被拉得更大了。     　1995年，“908工程”6英寸生產(chǎn)線開始建設，1998年1月通過對外合同驗收，這條從朗訊科技公司引進的0.9微米的生產(chǎn)線是中國第一條6英寸芯片生產(chǎn)線。通過908工程的實施，北京集成電路設計中心等18個單位作為908工程項目的承擔單位得到了發(fā)展，中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)開始起步。但是行動的遲緩，削弱了該項目對于我國集成電路產(chǎn)業(yè)乃至信息制造業(yè)所應發(fā)揮的推進作用。1999年2月，“909工程”建成投產(chǎn)，技術水平達到0.35微米-0.24微米，生產(chǎn)的64兆和128兆SDRAM存儲器達到了當時的國際主流水準?！?09”工程是中國第一條8英寸深亞微米生產(chǎn)線，它的建成投產(chǎn)，標志著中國集成電路大生產(chǎn)技術邁入了8英寸、深亞微米的國際主流水平。     　自2000年開始，中國集成電路產(chǎn)業(yè)進入一個快速成長的新時期。2000年6月24日國務院發(fā)布了《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》(國發(fā)18號文)，2001年9月20日，國務院又以國辦函[2001]51號函的方式，對集成電路產(chǎn)業(yè)政策作了補充和完善。18號文件從鼓勵產(chǎn)業(yè)發(fā)展、稅收減免、投資優(yōu)惠、進出口政策、加速設備折舊、支持研究開發(fā)、加強人才培養(yǎng)、鼓勵設備本地化以及知識產(chǎn)權保護等方面對集成電路實施了優(yōu)惠政策。據(jù)不完全統(tǒng)計，從2000年到2007年，投入到我國集成電路產(chǎn)業(yè)的資金達到290億美元左右。這一階段的投資總額約為我國集成電路產(chǎn)業(yè)2000年以前30多年間投資總和的9倍。大量資金的投入，直接帶動了近幾年我國集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴大和技術水平的較快提高。     　從2000年開始，信息產(chǎn)業(yè)部領導實施了“中國芯”工程，大力扶持國內(nèi)具有自主知識產(chǎn)權IC產(chǎn)品的研發(fā)?？萍疾吭?63計劃中安排了集成電路設計重大專項。在863計劃集成電路設計重大專項的實施中，北京、上海、無錫、杭州、深圳、西安、成都等7個集成電路設計產(chǎn)業(yè)化基地的建設取得了重要進展。      　產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得巨大成就      　1998年，我國集成電路產(chǎn)量為22.2億塊，銷售規(guī)模為58.5億元。到2007年，我國集成電路產(chǎn)量達到 411.7億塊，銷售額為1251.3億元。10年間產(chǎn)量和銷售額分別擴大18.5倍與21倍之多，年復合增長率分別達到38.3%與40.5%，銷售額增速遠遠高于同期全球年均6.4%的增速。    　 經(jīng)過30年的發(fā)展，我國已初步形成了設計、芯片制造和封測三業(yè)并舉、較為協(xié)調(diào)的發(fā)展格局，產(chǎn)業(yè)鏈基本形成。2001年我國設計業(yè)、芯片制造業(yè)、封測業(yè)的銷售額分別為11億元、27.2億元、161.1億元，分別占全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產(chǎn)業(yè)結構不盡合理。最近5年來，在產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大的同時，IC產(chǎn)業(yè)結構逐步趨于合理，設計業(yè)和芯片制造業(yè)在產(chǎn)業(yè)中的比重顯著提高。到2007年我國IC設計業(yè)、芯片制造業(yè)、封測業(yè)的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別占全年總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。     　半導體設備、材料的研發(fā)和生產(chǎn)能力也不斷增強。在設備方面，100納米等離子刻蝕機和大角度離子注入機等設備研發(fā)成功，并投入生產(chǎn)線使用。隨著國產(chǎn)太陽能電池制造設備的大量應用，近幾年國產(chǎn)半導體設備銷售額大幅增長。在材料方面，已研發(fā)出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內(nèi)生產(chǎn)和供應能力不斷增強。     　技術創(chuàng)新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初的3英寸生產(chǎn)線，發(fā)展到目前的12英寸生產(chǎn)線，IC制造工藝向深亞微米挺進，研發(fā)了不少工藝模塊，先進加工工藝已達到80納米。封裝測試水平也從低端邁向中高端，在先進封裝形式的開發(fā)和生產(chǎn)方面取得了顯著成績。IC設計水平大大提升，設計能力小于或等于0.5微米的企業(yè)比例已超過60%，其中設計能力在0.18微米以下的企業(yè)占相當比例，部分企業(yè)設計水平已經(jīng)達到90納米的先進水平。設計能力在100萬門規(guī)模以上的國內(nèi)IC設計企業(yè)比例已上升到20%以上，最大設計規(guī)模已經(jīng)超過5000萬門級。    　 截至2007年年底，國內(nèi)已建成的集成電路生產(chǎn)線有52條，量產(chǎn)的12英寸生產(chǎn)線3條、8英寸生產(chǎn)線14條。涌現(xiàn)出中芯國際、華虹NEC、宏力半導體、和艦科技、臺積電(上海)、上海先進等IC制造代工企業(yè)，這些企業(yè)紛紛進入國際市場，融入全球產(chǎn)業(yè)競爭，全球代工業(yè)務市場占有率超過9%。      　把握市場需求是成功關鍵     　 相當長時期以來，在許多地區(qū)發(fā)展IC產(chǎn)業(yè)中自覺不自覺存在一種傾向，即：以技術為導向，盲目上項目，或片面追求線寬越細越好，而忽略了市場這一產(chǎn)業(yè)發(fā)展最為重要的要素。從1981年到1985年時期，我國先后引進33條生產(chǎn)線，許多項目一窩蜂上馬，只引進設備未引進技術，通線品種基本上已被市場淘汰，不符合市場需求。部分生產(chǎn)線設備陳舊、不配套，達不到設計能力。再加上項目資金不足，企業(yè)管理不善，缺乏消化吸收能力等原因，多數(shù)項目不了了之。     　同時，實踐告訴我們：沒有永遠不變的產(chǎn)品與技術，只有永遠不斷變化的市場。只有把握住市場變化的脈搏，跟上市場變化的步伐，才能成為真正的贏家。“909工程”投產(chǎn)以來的過程就印證了這一點。該工程從開工建設到投產(chǎn)僅用了18個月。技術檔次從初期的“8英寸、0.35微米”提升到0.24微米。投產(chǎn)后，跟隨國際市場變化，從前期的存儲器生產(chǎn)轉(zhuǎn)變到目前的芯片代工。    　 發(fā)展IC產(chǎn)業(yè)是一項系統(tǒng)工程，支撐這一系統(tǒng)高效運轉(zhuǎn)至少要包括以下5個方面：第一，資金支持。IC產(chǎn)業(yè)是典型的資金密集型產(chǎn)業(yè)，要形成規(guī)模經(jīng)濟，需到達一定的投資閾值。隨著技術水平的提升，投資閾值正不斷攀升。同時，為滿足工藝研發(fā)、產(chǎn)能擴充和升級換代的需要，集成電路產(chǎn)業(yè)還需要持續(xù)不斷地投入。第二，市場支持。集成電路企業(yè)要想生存下去，必須要生產(chǎn)出符合市場需求的產(chǎn)品，源源不斷地取得來自客戶的訂單，建立一支面向全球市場的銷售團隊與銷售網(wǎng)絡至關緊要。第三，技術支持。要擁有先進的工藝技術，一流的芯片設計能力，擁有一批自主的知識產(chǎn)權和專利。第四，人才支持。要培養(yǎng)一支全球一流的工藝技術、芯片設計和管理人才隊伍，保證技術、產(chǎn)品的不斷創(chuàng)新和企業(yè)高效運營。第五，管理支持。產(chǎn)業(yè)與企業(yè)的管理要從戰(zhàn)略決策、資金管理、物流管理、人才管理等多方面入手。   　  IC產(chǎn)業(yè)是資金密集、技術密集、人才密集的產(chǎn)業(yè)，是高競爭性和高風險的產(chǎn)業(yè)。實踐證明，不管是發(fā)達國家還是發(fā)展中國家，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)都要采取集中力量的辦法，不管是研究開發(fā)還是企業(yè)生產(chǎn)，都強調(diào)合作而不是單打獨斗。因此，“防散”和“治散”仍是今后一個時期我們的重要工作。 2002-2007年中國集成電路市場規(guī)模

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  • 半導體制造國際非營利機構FOA向所有會員開放團購

            半導體制造國際非營利機構Fab Owners Association（FOA）宣布向其所有會員開放團購合約。此前，F(xiàn)OA的團購合約僅向其器件制造會員開放，而沒有對準會員開放。合約開放后，所有會員都可通過FOA的下屬機構PurchasingPartnerInc.（PPI）進行團購。         此舉可使PPI代表年收入730億美元的團體進行議價。         FOA器件制造會員公司月產(chǎn)能相當于120萬片200mm晶圓，年收入約為320億美元。準會員年收入總和約為410億美元。  

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  • 三洋電機公司將大幅度提高三洋電機電池產(chǎn)能

            三洋電機公司日前對外發(fā)布新聞公報說，該公司決定投資700萬美元在2008財政年度中將其在墨西哥Monterrey工廠的太陽能電池產(chǎn)量提高到目前的2.5倍達到50MW水平。           公報說，墨西哥Monterrey工廠主要從事將當今世界轉(zhuǎn)換效率最高的HIT太陽能電池塊進行模板化生產(chǎn)，目前年產(chǎn)量為20MW。三洋電機之所以提高該工廠的產(chǎn)能，主要是為了滿足北美市場急劇擴大的市場需求，同時也是該公司在全球進一步擴大太陽能業(yè)務計劃的一部分。           目前，三洋電機正在制定增產(chǎn)計劃，到2010財年將在全球的HIT太陽能電池產(chǎn)能提高到600MW以上，相當于目前產(chǎn)能的兩倍多。為此，該公司正在積極推進面向日本、北美、歐洲等全球三大太陽能電池市場的增產(chǎn)體制。           HIT太陽能電池是三洋電機公司開發(fā)的具有獨特構造的太陽能電池，是一種利用晶體硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太陽能電池。這種太陽能電池在研究階段達到了22%的光電轉(zhuǎn)換效率，創(chuàng)造了100平方厘米以上實用級尺寸的HIT太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的世界紀錄。  

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  • Dave Bell倡議美國和亞洲半導體企業(yè)之間應加強協(xié)同配合

    11月03日,Intersil公司宣布，該公司的首席執(zhí)行官兼總裁Dave Bell先生將出席在臺灣新竹國賓大飯店舉行的2008 GSA半導體領袖論壇(2008 Global Semiconductor Alliance Leaders Forum)，并做主題發(fā)言。   在GSA領袖論壇上，Bell 先生將發(fā)表主題為“亞洲是如何改變模擬IC業(yè)務”的演講，回顧在模擬產(chǎn)品市場所發(fā)生的諸多變化，并建議采取措施加強美國和亞洲企業(yè)之間的協(xié)同配合。   在此之前，Bell 先生剛剛參加了American Chemical Society在華盛頓市舉辦的會議，發(fā)表了關于資助基礎科學研究的講話。   2008 GSA半導體領袖論壇也將舉辦關于低功耗技術的專題討論會。Intersil公司是作為提供低功耗模擬半導體解決方案的領先廠商而被邀請，并將就如何實現(xiàn)低功耗模擬設計發(fā)表見解。   Dave Bell 先生是在2007年4月被任命為Intersil 公司首席運營官，并于2008年2月?lián)擟EO一職，同時他也是半導體行業(yè)協(xié)會(Semiconductor  Industry Association)的董事會成員。Bell先生擁有麻省理工學院(MIT)的電子工程學士學位。

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  • 得可太陽能提供光伏有效工業(yè)生產(chǎn)快通道

    得可太陽能公認的PV1200金屬鍍膜方案繼續(xù)為這個快速發(fā)展行業(yè)的顧客提升標準。徹底改變太陽能電池制造商對其設備的期待，此先進金屬鍍膜生產(chǎn)線提供光伏有效工業(yè)生產(chǎn)的快通道。   上市時間在現(xiàn)今的快節(jié)奏光伏產(chǎn)業(yè)中極為重要。交貨期從而成為已習慣于數(shù)月設備周轉(zhuǎn)期的商業(yè)太陽能電池產(chǎn)業(yè)的重要關注點。而得可利用世界一流的精益制造技能、Kanban/JIT方法和全球機構明顯削減交貨期至數(shù)周的時間。且進一步通過PV1200金屬鍍膜方案的創(chuàng)新平臺設計獲得加強，使快速建造和回應市場需求成為可能。真正的模組化系統(tǒng)使生產(chǎn)力可通過更多模組的增加輕易提升，進一步響應市場。   工廠占地面積對現(xiàn)今不可能因為特大型設備而影響其生產(chǎn)力的太陽能電池制造商也是一個主要的生產(chǎn)力決定因素。得可也注意到這個方面，通過緊湊的設備尺寸進一步簡化PV1200。具備較傳統(tǒng)金屬鍍膜方案實質(zhì)性減少的占地面積，PV1200明顯為持續(xù)投資回報率擴大每平方英尺廠房占地面積的使用。   談到PV1200金屬鍍膜解決方案提供的商業(yè)優(yōu)勢，得可的可替代能源發(fā)展經(jīng)理Darren Brown說：“全球的光伏制造商正意識到我們的金屬鍍膜生產(chǎn)線克服了產(chǎn)業(yè)面對的眾多工業(yè)挑戰(zhàn)，亦即成為商務成功的快通道。而當他們了解到我們的背景，便很快對為什么我們可以提供如此尖端的優(yōu)勢一目了然。作為擁有二點五億美元財政收入的全球企業(yè)，得可（多福集團的一員，紐約證券交易所DOV – 財政收入超過七十億美元）已經(jīng)是電子裝配的絲網(wǎng)印刷產(chǎn)業(yè)享有良好聲譽的市場引領者。也就是說，我們有響應太陽能產(chǎn)業(yè)明確要求的資源、專業(yè)技能和全球能力，如同我們在其他產(chǎn)業(yè)所做的那樣，使我們的顧客始終處于行業(yè)的領先地位?！?  加強PV1200太陽能金屬鍍膜生產(chǎn)線的最先進設計，是利用得可40年來開發(fā)用于厚膜、晶片級半導體和表面貼裝電子市場的絲網(wǎng)印刷平臺產(chǎn)品的經(jīng)驗。久負盛名的技術優(yōu)勢包括每小時1200個電池產(chǎn)量、六西格瑪工藝水平、12.5微米精度和卓越的處理能力。系統(tǒng)同時相當多地受益于此絲網(wǎng)印刷引領者全球的支持資源、備件中心、應用專業(yè)技能、現(xiàn)場服務技術人員的網(wǎng)絡，及對金屬鍍膜工藝至關重要的精密乳膠網(wǎng)板的10,000級無塵室制造設施。  

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  • iSuppli：NAND flash市場收入將進一步下滑

    市場研究公司iSuppli在日前發(fā)布的預測中指出，全球NAND flash市場收入在上世紀末和本世紀初曾獲得超過100％速度的增長，然而2008年，預計NAND flash市場收入將減少14％，2009年繼續(xù)減少15％。   預測報告顯示，2008年NAND flash收入將從2007年的139億美元減少至120億美元，2009年進一步減少至102億美元。   此前，iSuppli預測2008年NAND flash市場微減3％，2009年恢復增長，增長率為12％。今年是全球NAND flash收入首度下滑。   “除了宏觀經(jīng)濟和結構性困境，NAND flash市場同時面臨需求彈性減弱的挑戰(zhàn)?！眎Suppli首席分析師Nam Hyung Kim說道，“由于消費者目前已有充足的閃存卡和U盤，當價格下降時，他們并沒有必要去升級產(chǎn)品?！?  iSuppli指出，2008年1G NAND芯片出貨量預計將增長126％，較2007年的179％有所放緩，出貨量的爆炸性增長導致供過于求。預計2009年，出貨增長率將降至71％。   iSuppli預測，2008年，1G NAND芯片平均銷售價格預計將下跌62％，2009年預計進一步下跌50％。  

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  • 法國光伏法規(guī)變動 推動太陽能市場發(fā)展

            法國政府已經(jīng)通過法國國會的批準，對該國光伏發(fā)電法規(guī)進行有史以來最大的一次修改，這將對法國以及歐洲太陽能發(fā)電產(chǎn)業(yè)一次巨大的推進。           歐洲太陽能發(fā)電起步比較早，尤其在瑞士和德國，太陽能發(fā)電系統(tǒng)的建設和應用站在了世界的前沿。在傳統(tǒng)能源緊缺的大環(huán)境下，法國再次意識到傳統(tǒng)能源的限制和發(fā)展太陽能發(fā)電的必要性。           從2006年到2007年，法國的太陽能光伏產(chǎn)業(yè)市場增長了將近3倍，2006年法國的太陽能發(fā)電的發(fā)電量為10.3兆瓦（MW），2007的發(fā)電量躍升為30兆瓦（MW），足以可見太陽能發(fā)電對法國的影響如此巨大。雖然30兆瓦的發(fā)電量對于德國或者歐洲其他一些城市來說還是微不足道，但是如此巨大的增長率，無疑給了法國太陽能電池行業(yè)打了一針活力劑！           經(jīng)過修改以后的太陽能光伏政策是，在未來的20年間，新能源的開發(fā)重心偏向于太陽能發(fā)電產(chǎn)業(yè)，包括太陽能發(fā)電技術的研究，太陽能發(fā)電站的建設以及太陽能電池的日常生活一些應用。預計在2028年，在全法國境內(nèi)，太陽能發(fā)電量可以達到7GW。  

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