作為電路理論里的第四種被動電路——憶阻器(memristors),已經(jīng)通過對一種能生成該新記憶器件的基質材料的處理向其理論原型更進了一步。 今年四月份,惠普實驗室(HewlettPackardLaboratories)的研究人員聲稱已經(jīng)“發(fā)現(xiàn)”了由加州大學伯克利分校教授LeonChua在1971年一篇論文里提及的除電阻,電容和電感以外的第四種被動電路——憶阻器。 現(xiàn)在,惠普實驗室(總部位于加州PaloAlto)表示他們已經(jīng)展示了如何根據(jù)“阻值隨流經(jīng)的電流改變”的原理來控制這種憶阻器材料。實驗室的高級人員許諾將在明年加快RRAM(阻抗性隨機存取記憶體)商業(yè)成型芯片的開發(fā)進度。 惠普實驗室的憶阻器主要研究人員DuncanStewart表示:“我們已經(jīng)通過試驗證明了我們的憶阻器表現(xiàn)得和理論預測的一致,另外我們已經(jīng)能演示對憶阻器器件結構的工程控制,這意味著我們將很快就能構建出實際芯片?!?nbsp; 原子力顯微鏡下的一個有17個憶阻器排列成一排簡單電路的圖像。每個憶阻器有一個底部的導線與器件的一邊接觸,一個頂部的導線與另一邊接觸。這些導線有50nm寬。(圖片由J. J. Yang, HP Labs許可。) 惠普實驗室的憶阻器是一個由兩個金屬電極夾著的氧化鈦層構成的雙端,雙層交叉開關結構的半導體。其中一層氧化鈦摻雜了氧空位,成為一個半導體;相鄰的一層不摻雜任何東西,讓其保持絕緣體的自然屬性。通過檢測交叉開關兩端電極的阻性,就能判斷RRAM的“開”或者“關”狀態(tài)。 如果是在保持絕緣體自然屬性的氧化鈦層的一端,該記憶體開關處在“關”的狀態(tài)。通過在交叉開關結點處施加偏置電壓,氧空位將從摻雜了氧空位的氧化鈦層轉移到無摻雜的一層,即開始了傳導過程,并最終打“開”了記憶體的開關。同樣地,通過改變電流方向氧空位將從無摻雜的一層轉移回摻雜層,并最終把記憶體開關“關”上。 憶阻體的主要優(yōu)勢在于它的阻抗變化是非易失性的,直至對它施加了一個相反方向的電壓,使氧空位動回摻雜層。目前開關速度可以達到大約每納秒50次。 Stewart說,“人們研究像我們的憶阻體那樣能表現(xiàn)出阻抗變化的材料有相當長一段時間,但對于其工作原理的解釋各式各樣,我們的實證建立在穩(wěn)定的機理上,其關鍵就在:氧空位改變了氧化金屬的接觸面的特性。 不過即使知道氧空位將改變氧化鈦的阻抗仍然不足以對該材料進行工程上的控制。惠普的研究人員同樣需要通過細致的測量確定材料的特性。他們一開始假定氧空位改變了氧化金屬材料的體積屬性。但惠普現(xiàn)在則聲明在氧化層和金屬電極層的接觸面發(fā)生的納米級變化,而不是金屬的體積特性變化,最終使憶阻器的阻抗發(fā)生了變化。 Stewart說:“我們現(xiàn)在已經(jīng)通過實驗確定氧空位改變了金屬-氧化層接觸面的電子勢壘?!?nbsp; 研究人員同時還聲稱憶阻器是通過削薄肖特基勢壘——即金屬和半導體接觸面的電子勢壘,而不是通過改變氧化鈦的體積特性來起作用的。 惠普實驗室設計了一個可以演示憶阻器層與層之間接觸面的細節(jié)特性的解決方案:將該試驗器件橫向布局在芯片上,而非縱向布局?;萜諏嶒炇业难芯繂TJianhua(Josh)Yang說“我們采用了單晶體氧化鈦來使憶阻器構成一個橫向器件,而不是縱向器件,以這種方式我們現(xiàn)在能夠對兩個接口分別獨立地測試,并驗證每一個接口對憶阻器產(chǎn)生的影響?!?nbsp; 惠普實驗室制造了幾種不同結構的橫向器件以全面體現(xiàn)憶阻器的特性。橫向器件同樣也能測量不同次序下每一層的電氣特性,并最終建立構建基于憶阻器的CMOS半導體的知識基礎?!艾F(xiàn)在我們知道如何根據(jù)我們所需的特性來構造我們的新器件。”Yang說,“例如我們想用正極性電壓“關閉”憶阻器,我們就會讓氧空位置于首層氧化鈦。如果你想用正極性電壓“打開”憶阻器,你只需要將這兩個層反轉設置就可以了?!?nbsp; 惠普實驗室目前正在努力制造第一個原型芯片以演示該電路的功能,預計這項計劃將在明年完成?!袄霉こ炭刂莆覀儸F(xiàn)在可以構建一個能提供具體電氣性能的器件,”Yang說。“也只有采用工程控制才能構建更大規(guī)模的集成電路。” RRAM的設計將采用惠普實驗室的原型芯片的交叉開關結構。單獨使用間距少于50nm的金屬線作底部電極,與垂直于該底部電極的金屬線形成一個交叉開關。工程師計劃用兩層二氧化鈦作為金屬線間隙的夾心層,其中一層摻雜了氧空位而另一層不摻雜任何東西。電流在兩根金屬線之間流動:一個在頂部,一個則在底部,器件可以進行獨立的位單元尋址,可以通過改變它們的阻抗最終關閉或打開位單元。 Stewart說:“我們正在搭建實際的集成電路以實現(xiàn)我們在非易失性隨機存儲器市場上的短期目標,這個市場有很大潛力?!?nbsp; 惠普實驗室計劃在2009年推出基于憶阻器交叉開關陣列的RRAM原型芯片。 屆時除了采用相似的交叉開關結構,還將利用到模擬電路中阻抗的精確變化?;萜諏嶒炇衣暦Q大規(guī)模憶阻器陣列的每個交叉開關的可調阻抗能像大腦一樣進行學習。人體大腦里的突觸在無論什么時候有電流流經(jīng)都可以得到增強,相似地憶阻器的阻抗也會被流經(jīng)的電流減小。通過允許電流在任意方向的流動,這種神經(jīng)網(wǎng)絡可以學習適應不同的需要。 Stewart說“RRAM是我們的近期目標,但從長期來說,我們對憶阻器的第二目標是通過建立能學習的自適應控制電路來轉換計算,而采用突觸的模擬電路至少還需要五年或者更多時間來研究?!?nbsp; 他們估計還需要五年時間才能生產(chǎn)出第一個模擬憶阻器原型芯片,商業(yè)應用還要差不多十年之久。
7月14日消息,據(jù)國外媒體報道,隨著VMware聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO黛安妮·格林(Diane Greene)的辭職,硅谷大型科技公司的女性CEO數(shù)量已降至零數(shù)。 格林的辭職很可能是出于戰(zhàn)略上的分歧,而與性別無關。盡管如此,該消息還是在女性經(jīng)理人間引起了不小的轟動,很多人對此感到失望。 加州大學戴維斯分校教授Nicole Woolsey Biggart稱:“格林的離職在硅谷引起了轟動。許多女性將其視作職業(yè)偶像,這對于她們是一種莫大的精神打擊。” 目前,大型IT公司中的女高管還包括雅虎總裁蘇珊·德克爾(Susan Decker)、甲骨文聯(lián)席總裁兼CFO薩菲拉·卡茲(Safra Catz)和惠普執(zhí)行副總裁安·利烏莫(Ann Livermore)等。 此前,一些知名女性CEO現(xiàn)在已大多離職,包括惠普的卡莉·菲奧麗娜(Carly Fiorina)和Autodesk的卡羅爾·巴茲(Carol Bartz)。 今年年初,硅谷只剩下兩名女性CEO,即格林和eBay的梅格·惠特曼(Meg Whitman),但后者已于3月份辭職。
Rambus對圖形芯片廠商NVIDIA提出起訴,指控NVIDIA侵犯了它的17項專利。 Rambus在侵犯專利訴訟領域并不是一個陌生的人。Rambus在7月12日宣布稱,它在加州北部地區(qū)美國地區(qū)法院提出了侵犯專利的訴訟,指控NVIDIA侵犯了它的專利。這起訴訟稱,配置SDR、DDR、DDR2、DDR3、GDDR和GDDR3 SDRAMR內存控制器的NVIDIA的各種產(chǎn)品侵犯了Rambus的17項專利。 Rambus稱,它多年以來一直要求NVIDIA簽署許可證協(xié)議,但是,一直沒有達成協(xié)議。Rambus要求禁止NVIDIA進一步侵犯專利,共同侵權專利和引誘侵犯有關的專利。Rambus要求NVIDIA賠償侵犯專利造成的損失。 Rambus高級副總裁兼法律總顧問Tam Lavelle說,在過去的6年里,我們一直積極地試圖與NVIDIA談判一個許可證協(xié)議。但是,我們善意的努力一直沒有成功。圖形卡和多媒體產(chǎn)品需要領先的內存性能。隨著NVIDIA推進其產(chǎn)品組合,它侵犯的我們的專利數(shù)量越來越多。除了法律手段之外,我們沒有其它的方法保護我們的專利和要求對于使用我們的專利給予公平的補償。然而,我們希望繼續(xù)與NVIDIA進行談判以便達成和解。 Rambus稱,NVIDIA的絕大多數(shù)產(chǎn)品在過去的幾年里都侵犯了它的專利。如果NVIDIA在法院敗訴,它將受到嚴重處罰,可能被罰款3.069億美元以上。 NVIDIA在公布了令人失望的利潤之后已經(jīng)感受到了投資者和分析師的壓力。如果這場官司敗訴,NVIDIA將面臨更大的壓力。
近日,工業(yè)和信息化部公布了2008年1至5月份電子信息產(chǎn)業(yè)主要經(jīng)濟指標完成情況。數(shù)據(jù)顯示,1-5月份電子信息產(chǎn)業(yè)保持了較為平穩(wěn)的發(fā)展態(tài)勢,全行業(yè)主營業(yè)務收入和工業(yè)增加值同比分別增長20.3和23.6%。 但是,在仔細研究了近一年來電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展數(shù)據(jù)后發(fā)現(xiàn),我國電子信息產(chǎn)業(yè)依然處于“亞健康”的狀態(tài)。不僅主營收入、增加值增長緩慢,而且分化加劇、中小企業(yè)面臨更大的經(jīng)營壓力。更重要的是,2008年1至5月,規(guī)模以上制造業(yè)企業(yè)虧損面達27.4%,顯示了電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展亟需扶持。 通信設備業(yè)發(fā)展繼續(xù)放緩 今年1-5月,通信行業(yè)實現(xiàn)收入3071.1億元,增長7.8%,低于全行業(yè)平均增速12.5個百分點。雖然保持了今年以來持續(xù)的增長,但每個月僅環(huán)比增長一個百分點。在工業(yè)和信息化部統(tǒng)計的11個電子信息行業(yè)中,通信設備業(yè)只比雷達制造業(yè)高一個百分點,主營收入增長率位列倒數(shù)第二。 同時,通信設備業(yè)1-5月工業(yè)增加值增長14.5%,這一增長率在各行業(yè)中位列倒數(shù)第三。工業(yè)增加值和主營收入的低速增長,顯示了通信設備業(yè)發(fā)展繼續(xù)放緩,急需新的增長點。 通信設備行業(yè)發(fā)展放緩主要是受移動通信及終端設備制造行業(yè)發(fā)展下滑影響。1-5月,作為移動通信及終端主要設備的移動基站設備和電話單機(除手機)分別同比下降1.9%和6.4%。 不過,前5月,移動通信及終端設備制造的下降趨勢在放緩。專家預計,隨著重組后運營商正式開始全業(yè)務經(jīng)營和3G發(fā)展的需要,從下半年開始,運營商對移動通信及終端設備需求量將加大,尤其是移動通信設備終端。由于移動通信及終端設備制造占通信設備行業(yè)比重超過60%,這必將給通信設備行業(yè)的發(fā)展帶來動力。 電子制造行業(yè)分化加劇 ?。保翟?,我國電子信息產(chǎn)業(yè)近三成的企業(yè)虧損,虧損企業(yè)數(shù)同比增加8.4%,虧損額達125.84億元,同比下降15.5%。同期,行業(yè)新增企業(yè)2448家,增長15.5%。在企業(yè)數(shù)增加和利潤增長良好的情況下,而虧損企業(yè)增加,說明我國電子信息產(chǎn)業(yè)在企業(yè)質量和效益上發(fā)生了分化,強者愈強,弱者愈弱。 電子信息產(chǎn)業(yè)的分化現(xiàn)象主要表現(xiàn)在以下兩個方面。 第一,外資企業(yè)低速徘徊、國有控股企業(yè)效益良好。1至5月份,外商港澳臺投資企業(yè)收入占我國電子信息產(chǎn)業(yè)主營收入的78.8%,顯示了我國電子信息產(chǎn)業(yè)的外資拉動型特征,但是1-5月份外資收入增長18.3%,連續(xù)15個月增速低于全國行業(yè)平均水平。與此相比,國有控股企業(yè)利潤增長149.7%,虧損額同比下降35.5%,顯示了良好的增長態(tài)勢。 第二,傳統(tǒng)高端電子產(chǎn)品冰火兩重天。受技術轉型對產(chǎn)業(yè)和市場的影響,高端電子終端增長迅猛,液晶電視、筆記本電腦等增長都超過40%,等離子電視甚至增長341.9%;相反,傳統(tǒng)類電子產(chǎn)品仍延續(xù)去年以來的負增長局面,錄像機同比下降14.9%、傳真機同比下降12%、打印機同比下降22.9%。 期望內需救急 實際上,隨著全球經(jīng)濟一體化的深入,全球經(jīng)濟對我國經(jīng)濟影響的作用進一步顯現(xiàn),新勞動合同法的實施將對勞動密集型的加工制造業(yè)帶來生產(chǎn)成本和用工上的連鎖反應,加上受人民幣升值等諸多因素的影響,企業(yè)分化更嚴重,行業(yè)洗牌現(xiàn)象加劇。 在此背景下,電子信息產(chǎn)業(yè)中的中小企業(yè)生存環(huán)境更加嚴峻。這些企業(yè)大多沒有核心技術,也沒有完整的產(chǎn)業(yè)鏈,產(chǎn)品也大多是傳統(tǒng)電子設備。無論是銷售還是生產(chǎn)都面臨較大壓力,與此同時,大中型企業(yè)通過整合,對市場的話語權越來越強,電子信息產(chǎn)業(yè)正在走向“兩極分化”。 專家指出,中小企業(yè)生存環(huán)境的惡化顯示了電子信息產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展處在一個不良的狀態(tài)。在全球經(jīng)濟不景氣的情況下,外需堪憂,企業(yè)應該抓住內需。的確,有機構預計,隨著電信重組的完成和3G發(fā)展帶來的需求增加,2008-2010年間,僅在移動通信設備領域就有近1000億元的巨大商機。 當然,窺視巨大商機的,還包括有實力的國外巨頭。我國的電子信息產(chǎn)業(yè)外資企業(yè)占據(jù)了近80%的比重。如何在巨大的國內市場上分得一杯羹,促進國內電子信息企業(yè)健康發(fā)展,不僅是企業(yè)本身的問題,還需要政府在采購、稅收等方面的扶持。
沒有支撐產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就不可能建立我國自主的半導體產(chǎn)業(yè),只有半導體支撐產(chǎn)業(yè)形成完善的配套體系,才能推動半導體行業(yè)高速發(fā)展。 我國在“十一五”規(guī)劃中特別提到,要發(fā)展我國自己的半導體產(chǎn)業(yè)。我國半導體行業(yè)國家“十一五”發(fā)展目標包括:集成電路產(chǎn)業(yè)年均增長率在30%以上,到2010年將實現(xiàn)3000億元的銷售額,約占當時世界集成電路市場份額的8%。制造業(yè)的生產(chǎn)技術達到12英寸、90納米-65納米水平。 傾力打造集成電路產(chǎn)業(yè) 半導體集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對國民經(jīng)濟有著巨大的推動作用。隨著半導體集成電路產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也發(fā)生了翻天覆地的變化。半導體集成電路產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,一方面改變了社會的生活方式和管理模式,另一方面創(chuàng)造了新的經(jīng)濟增長點。 半導體產(chǎn)業(yè)是當今世界最有活力和發(fā)展前景的領域,集成電路制造則是半導體技術的核心內容。集成電路技術的發(fā)展及其在眾多領域中的應用,極大地推動了科學技術的進步和社會經(jīng)濟的發(fā)展。集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模的大小和技術水平的高低,可以反映出一個國家的國防實力和經(jīng)濟、技術發(fā)展水平,為此各國不遺余力地促進集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。我國也出臺了各種優(yōu)惠政策,集中優(yōu)勢力量打造集成電路產(chǎn)業(yè),希望應用以半導體技術為基礎的電子信息技術改造現(xiàn)有的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè),促使國民經(jīng)濟跨越式發(fā)展。 在國家的支持下,我國的半導體產(chǎn)業(yè)取得了很大發(fā)展。在“十五”期間,我國半導體產(chǎn)業(yè)IC設計、制造和封測同步快速發(fā)展,其中IC設計業(yè)的比重不斷增加,它在半導體產(chǎn)業(yè)的整體銷售額中所占份額已經(jīng)由2001年的8%提高到2006年的18.5%。與此同時,我國集成電路企業(yè)的規(guī)模逐步擴大,2006年首次出現(xiàn)銷售收入過100億元的集成電路制造企業(yè)。 目前,我國集成電路的技術水平獲得了顯著提高,有量產(chǎn)的12英寸生產(chǎn)線2條、8英寸生產(chǎn)線10條,已經(jīng)達到最高90納米、主流技術0.18微米的技術水平。 “十一五”期間,我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展將呈現(xiàn)以下態(tài)勢:第一,產(chǎn)業(yè)與市場規(guī)模仍將快速擴大。第二,產(chǎn)品與技術創(chuàng)新將成為企業(yè)發(fā)展的新動力。第三,半導體設備與材料業(yè)將成為行業(yè)發(fā)展的新亮點。第四,整機與IC產(chǎn)業(yè)的互動將有新發(fā)展。第五,國家集成電路產(chǎn)業(yè)政策即將出臺。 自給程度低是瓶頸 半導體集成電路產(chǎn)業(yè)是巨大的產(chǎn)業(yè)集群,需要多方面的支撐,包括材料、設計、制造。目前,我國的半導體產(chǎn)業(yè)基礎還比較薄弱,促進半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展還需要從促進半導體支撐產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、完善配套市場入手。“十五”期間我國半導體支撐產(chǎn)業(yè)有了很大發(fā)展,但就現(xiàn)狀而言,仍然遠不能滿足國內半導體產(chǎn)業(yè)的需求。 從總體來看,我國半導體支撐產(chǎn)業(yè)自給程度不足10%,依然是我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的巨大瓶頸。材料、設備、儀器產(chǎn)業(yè)是發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的基礎,如果沒有支撐產(chǎn)業(yè)的發(fā)展就不可能建立我國自主的半導體產(chǎn)業(yè),只有半導體支撐產(chǎn)業(yè)形成完善的配套體系,才能推動半導體行業(yè)高速發(fā)展。 我國半導體支撐產(chǎn)業(yè)的發(fā)展相對落后。資料顯示,我國半導體支撐產(chǎn)業(yè)多年來保持了高速增長的態(tài)勢,但絕大部分增長得益于海外公司轉移生產(chǎn)到中國,跨國公司控制著核心技術、關鍵元器件、關鍵設備、品牌和銷售渠道。建立強大的半導體支撐產(chǎn)業(yè),是我國集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展的基礎。發(fā)展本土半導體支撐產(chǎn)業(yè)不但能擺脫國外的限制,也對降低我國集成電路的制造成本大有好處。在集成電路制造中,設備占固定成本的60%,原材料占流動成本的60%,本土化可以大幅度降低集成電路的制造成本,提升產(chǎn)業(yè)整體競爭能力。 當前,我國半導體支撐設備儀器與國際水平尚有較大差距,8英寸以上生產(chǎn)線全部依賴進口。近年來,在國家大力支持下,“十五”期間我國在100納米刻蝕機和離子注入機研究方面取得了可喜的成果,產(chǎn)品已進入量產(chǎn)階段。 國家政策帶來“利好” 未來,我國集成電路材料、設備儀器行業(yè)將迎來快速發(fā)展階段,國家對材料和設備行業(yè)都出臺了支持和鼓勵政策,如集成電路材料發(fā)展規(guī)劃政策。國務院新批準的集成電路重大裝備專項也必將為我國半導體集成電路的發(fā)展創(chuàng)造良好的環(huán)境。 北京是我國集成電路裝備生產(chǎn)基地,為我國集成電路裝備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展作出了突出貢獻。北京還吸引了全國各地的集成電路制造設備企業(yè)進駐,加上原有的企業(yè),北京將具備集成電路制造的整體優(yōu)勢,為我國半導體產(chǎn)業(yè)更快更好地發(fā)展作出貢獻。 得益于半導體工藝技術的進步,我國半導體產(chǎn)業(yè)正在逐漸扭轉依賴進口的局面,經(jīng)過發(fā)展,我國半導體本土企業(yè)必然能挺起中國電子信息產(chǎn)業(yè)的脊梁,為我國高新技術產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定堅實的基礎。
一個新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展總是與企業(yè)格局的不斷變化如影隨形,半導體照明產(chǎn)業(yè)也不例外??梢哉f,正是企業(yè)間的相互并購等戰(zhàn)略合作推進了全球半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,企業(yè)的不斷壯大帶來了更多產(chǎn)業(yè)技術的創(chuàng)新突破和市場規(guī)模的日漸成熟。 作為一個遠未成熟的高科技產(chǎn)業(yè),半導體照明企業(yè)間的并購合作將會更加激烈,也將持續(xù)相當一段時間?;仡櫼酝闹卮螽a(chǎn)業(yè)并購案例,希望為業(yè)內企業(yè)提供一些資本運所思路和啟迪。 從眾多并購案例來看,LED產(chǎn)業(yè)的并購主要基于以下思路: 1、國際大企業(yè)利用并購進入半導體照明領域,最大限度地延伸產(chǎn)業(yè)鏈來實現(xiàn)多元化策略,占據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主動地位使得利潤率最大化。 2、小公司和后起之秀多采用橫向合并,優(yōu)勢互補,利用整合壯大自身力量,提高核心競爭力。 3、通過合并、部分收購等方法避開專利產(chǎn)權的限制,取得市場主動權。 2003年以來主要并購案例: 2003/3,巴可公司(BARCO)并購北京利亞德電子科技有限公司,建立了80%-20%的合資公司。 2003/3,巴可并購美國猶他州為體育應用生產(chǎn)全彩和單彩顯示設備,訊息中心和評分系統(tǒng)的生產(chǎn)廠商Trans-Lux西部公司(Trans-Lux West)。 2003/10,路明集團并購美國復合半導體發(fā)光材料生產(chǎn)商AXT公司光電事業(yè)部。路明集團認為這次并購至少為路明集團的LED研發(fā)節(jié)省了10年的時間。 2005/2,元砷與聯(lián)銓宣告以1股聯(lián)銓換1.36股元砷合并,前者為存續(xù)公司。 2005/8,晶電為存續(xù)公司,以1比2.24換股比例合并國聯(lián)光電,晶元電為存續(xù)公司。 2005/8,Philips購入Agilent所持Lumileds47%股權共計9.5億美元,,隨后飛利浦以800萬歐元收購員工持有的3.5%股份,實現(xiàn)了對Lumileds的全資掌控。 2006/1,飛兆半導體公司 宣布將其 LED 和 LED 顯示器產(chǎn)品線售予臺灣億光電子工業(yè)股份有限公司的美國分公司 Everlight International Corporation。 2006/9,晶元、元砷、連勇光電「三合一」,晶電為存續(xù)公司,成為全球最大的紅光LED廠,以及第四大的藍光LED廠,快速成為世界級的LED制造中心。 2007/3,LED芯片廠曜富、洲磊宣布以1股曜富對1.7股洲磊換股合并,前者為存續(xù)公司,兩家公司資源集成后,2008年產(chǎn)能可以擴充一倍。 2007/4,美國著名的LED芯片制造公司Cree收購華剛光電零件有限公司,華剛持有Cree約9%的股份,將為Cree提供具成本效益的生產(chǎn)平臺,加速其發(fā)展極具潛力的中國市場。 2007/6,飛利浦以7100萬美元收購加拿大專注于LED模塊系統(tǒng)的白光TIRSystems公司。 2007/8,飛利浦以7.91億美元收購專業(yè)美國重要的LED制造商COLORKINETICS(CK)公司。 2007/7, 彩虹集團投資1.3億控股藍光科技51%股份。 2008/1,飛利浦(Royal Philips Electronics)以每股95.5美元(總值27億美元)并購美國照明裝置制造商Genlyte Group。 2008/2,Cree以大約7700萬美元現(xiàn)金加股票收購私人控股的半導體照明應用公司——LED Lighting Fixtures Inc.(LLF)。
近年來,有機場效應晶體管由于在大面積、柔性化和低成本有源矩陣顯示、射頻標簽等方面的潛在應用前景而備受學術界和工業(yè)界的關注,并取得了長足的發(fā)展。 此前,研究人員發(fā)展了銅和銀修飾方法來代替金作為有機場效應的源漏電極并得到了高性能器件,之后通過納米結構電極的構筑,研究了電極形貌與器件性能的關系。近期,該實驗室在低成本高性能有機場效應晶體管的研究方面又取得新進展,他們利用低功函數(shù)的銅為源漏電極制備了高性能的上電極結構的有機場效應晶體管。 對于有機光電器件,電極的功函和有機半導體的能級決定了載流子的注入,并在很大程度上影響器件的性能。金電極能夠和大多數(shù)p型有機半導體形成良好的接觸,從而被廣泛用作p型有機場效應晶體管的源漏電極。通過系統(tǒng)的實驗設計和器件表征發(fā)現(xiàn),銅電極在蒸鍍是空氣儲存的過程中會形成少量的銅的氧化物,這有利于降低載流子注入的勢壘和提高器件的性能。此外,良好的電極/半導體接觸也是銅上電極器件具有高性能的原因。這一研究為有機場效應晶體管的實用化奠定了良好的基礎。
市場分析師們預測有機光致顯示器工業(yè)市場價值將會在2014年增長十倍,從15億歐元到155億歐元。因此科學家和政府們也迫切地希望將研究發(fā)展到“塑料電子學”。 在很長的一段時間內,塑料被視為絕緣材料而不具備導電能力,但是在上世紀70年代的一項具有突破性意義的研究證明了某些塑料具有一定的導電能力。目前,超過三十年后,這些突破性材料的潛在性應用—電子廣告牌,可折疊筆記本,僅一厘米厚的高清電視屏幕-正在不斷實現(xiàn)中。 塑料基半導體以及有機光致發(fā)射顯示器將會震動電子市場?,F(xiàn)代電子設備的基礎組成元件半導體原來是采用硅制造而成。但是塑料基半導體的制造更為簡易并且成本更低。并且相對于硅而言,塑料可以做到很多它所做不到的方面,如超薄,可折疊筆記本。 傳統(tǒng)的應用于電腦,iPod和數(shù)字表中的光致顯示器的制造要求非常嚴格,并且成本高工藝復雜?;谒芰想娮庸こ痰挠袡C光致發(fā)光顯示器能夠被簡易地制造,具有較好的靈活性以及消耗較少的能量。這也是為什么索尼,三星和柯達公司均投入了大量的金錢和時間以開發(fā)這種產(chǎn)品。 其它讓人感到興奮的進展還有如在仿生學領域的成就,其包括靈敏材料的開發(fā),材料足夠靈敏并可被機器人在某些需要高靈敏觸感度的場所使用。
平板LCD顯示器、太陽能電池、核反應堆控制棒都將緊跟著稀有金屬銦(音yin)的耗盡而消失,甚至鍍鋅鋼也會由于鋅的供應短缺而在2037年消失,半導體也要說再見了。所以不要扔掉你的舊陰極射線管顯示器,說不定哪天它還會有大用途。德國Augsburg大學的材料化學家Armin Reller稱,鎵元素供不應求,不用幾年它的儲存量就會被用完;銦是一種稀有金屬,是制作液晶顯示器和發(fā)光二極管的原料,這種元素因為稀少,比黃金還貴,銦元素也同樣面臨著威脅,他估計銦維持不了10年時間。鉿元素將在2017年用光,甚至銅也面臨危險,因為它的需求實在太旺了。價格也可以反映這種危機:2003年1月每公斤銦售價60美元,2006年價格已經(jīng)超過了每公斤1000美元,三年上漲了1500%。
中國又將浮出一個涉及巨額投資的12英寸半導體項目。 昨天,浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司(000977.SZ,下稱“浪潮信息”)發(fā)布公告稱,它與山東省高新技術投資有限公司、濟南高新控股集團有限公司合資成立的山東華芯半導體有限公司(下稱“華芯半導體”),首期投資3億元已到位。 而濟南高新區(qū)科經(jīng)局的消息稱,華芯半導體“作為山東省12英寸集成電路生產(chǎn)線項目的實施主體”,項目預計總投資約為280億至336億元。 誕生 此前5月底,浪潮信息曾與上述兩家公司簽訂《華芯半導體有限公司發(fā)起協(xié)議書》、《補充協(xié)議》。其中規(guī)定,各自出資1億元,持股比例分別為33.33%。 昨日公告顯示,截至6月30日,三家公司3億元款項已全部到位。 “華芯半導體將定位于集成電路產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售,項目建設周期2年。”浪潮信息證券事務代表李豐對《第一財經(jīng)日報》說,進軍這一產(chǎn)業(yè),將帶動公司向電子產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸,促進產(chǎn)業(yè)結構優(yōu)化升級。公告強調,該項目市場前景廣闊,預期能有較好收益。 而濟南高新區(qū)科經(jīng)局的消息表示,3億元屬于一期注冊資本,未來它是山東省12英寸集成電路生產(chǎn)線項目的主體,預計總投資為280億至336億元,分三期建設,總產(chǎn)能為6萬~9萬片/月(其中一期、二期、三期各2萬到3萬片),技術工藝將在65納米至45納米。 而第一期階段,華芯半導體的任務主要是“戰(zhàn)略合作關系的建立和發(fā)展、核心團隊建設、項目規(guī)劃、建設方案設計及資金籌集等工作”。 記者從濟南高新技術開發(fā)區(qū)獲悉,該項目建設地位于該區(qū)出口加工區(qū),規(guī)劃面積為500畝。6月20日,華芯半導體已正式簽約入駐濟南市國家信息通信國際創(chuàng)新園。后者位于濟南高新區(qū)內。 浪潮涉足半導體 一家半導體機構咨詢人士對記者表示,浪潮信息半導體產(chǎn)業(yè)整體規(guī)劃還不夠清晰,集團總裁孫丕恕對進入半導體制造業(yè)并不十分積極。 此前3月份,孫丕恕曾私下透露過進軍半導體的計劃,稱目前正嘗試半導體照明業(yè)務,以后準備進軍半導體制造。并表示,目前發(fā)改委已對項目立項,將分批投入上百億元,公司希望國家、山東省政府和企業(yè)各投三分之一。 不過,浪潮集團旗下香港上市企業(yè)浪潮國際隨即作出否認,強調集團“并無進軍半導體業(yè)務領域的任何計劃或構想,也無分批投入百億元的任何計劃”。 之后,孫丕恕在兩會期間又強調,山東信息產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值規(guī)模較大,都集中在中端產(chǎn)品,包括家電廠商在內,對集成電路的需求較大,2007年已達420億元,而山東卻沒有直接的半導體工廠。他當時強調,正在“思考”這一產(chǎn)業(yè),似乎暗示了浪潮未來的戰(zhàn)略調整。 該咨詢人士認為,浪潮進軍半導體制造業(yè),背后最大推動力在于當?shù)卣?。因為山東省已將半導體產(chǎn)業(yè)列為未來8大支柱產(chǎn)業(yè)之一,也是“十一五”期間重點培育、發(fā)展的15個高新技術產(chǎn)業(yè)群之一,前不久,“國家集成電路設計濟南產(chǎn)業(yè)化基地”已正式揭牌。 而由于浪潮一直屬于山東IT業(yè)龍頭,當?shù)叵M蔀榇罱ò雽w產(chǎn)業(yè)的平臺。
歷時一年多的引資之路,就像中芯國際為業(yè)界設下的一道謎題,如今,私募基金或許就是謎底。 5月19日,據(jù)香港媒體報道,中芯國際引入戰(zhàn)略投資事宜已經(jīng)初步落實,戰(zhàn)略投資者系美國一家大型私募基金。消息稱,該私募基金計劃斥資6億美元購入中芯國際超過20%的股份,雙方最快在6月底正式簽訂協(xié)議。同時,該基金期望逐步取得控制性權益,以加強業(yè)務運作及提升財務實力。 有關中芯國際引進戰(zhàn)略投資者一事,早在2007年初便有消息傳出。當時消息稱,中芯國際指定摩根斯坦利和德意志銀行助其引入戰(zhàn)略投資人,最終入選者可能最高斥資5億美元收購中芯國際20%股份。從當年4月起,私募基金、中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團公司、華虹NEC相繼成為坊間的猜測對象,而故事主角中芯國際始終三緘其口。 今年3月25日,中芯國際第一次正式發(fā)布公告稱,正在與一家戰(zhàn)略投資者進行相對高級的談判,該投資者可能通過股票或可換股工具買入中芯國際“大量股權”。公告一出,中芯國際股價暴漲,創(chuàng)下上市以來的最大漲幅。 芯片制造企業(yè)引入戰(zhàn)略投資者本無可厚非。然而世界芯片代工排名第三的中芯國際自上市以來股價一直萎靡不振,企業(yè)連年虧損,且不同類型戰(zhàn)略投資者對企業(yè)發(fā)展的意義不盡相同,這成為業(yè)界欲了解張汝京引資的原因。 今年3月25日,中芯國際第一次正式發(fā)布公告稱,正在與一家戰(zhàn)略投資者進行相對高級的談判,該投資者可能通過股票或可換股工具買入中芯國際“大量股權”。公告一出,中芯國際股價暴漲,創(chuàng)下上市以來的最大漲幅。 芯片制造企業(yè)引入戰(zhàn)略投資者本無可厚非。然而世界芯片代工排名第三的中芯國際自上市以來股價一直萎靡不振,企業(yè)連年虧損,且不同類型戰(zhàn)略投資者對企業(yè)發(fā)展的意義不盡相同,這成為業(yè)界欲了解張汝京引資的原因。 中芯國際方面表示,盡管今年第二季度整體銷售額預計將比首季下滑3%-6%,但非存儲芯片(DRAM)產(chǎn)品的銷售額預期將增長3%-6%。另外,公司預計第二季度資本開支約1.6億-2億美元,全年不會超過7億美元,而第二季度經(jīng)營開支僅占當季銷售收入的20%左右。 但投行美林提出了不同看法,認為上述銷售額預測顯得過分樂觀。美林稱,盡管中芯國際的非存儲芯片產(chǎn)品銷售額不俗,但在目前的競爭環(huán)境下要達到預期增長目標并不容易。 根據(jù)Gartner發(fā)布的“2007年上半年全球10大芯片代工廠”排名,臺積電、臺聯(lián)電分別以42.3%和14.6%的全球市場份額占據(jù)冠亞軍,而中芯國際雖然擠進三甲,但其7.6%的市場份額不但被臺聯(lián)電遠遠甩開,而且僅比第4名特許半導體高出0.6個百分點。世界第三的位置堪憂。 還值得關注的是,競爭對手的打壓也成了中芯國際外部發(fā)展環(huán)境中的一大障礙。從2003年至今,臺積電先后5次將中芯國際推上被告席。而既有經(jīng)驗也表明,每次交鋒都多少會動搖市場對這家上海芯片廠的信心。2006年8月28日,臺積電第四次在美國起訴中芯國際侵犯知識產(chǎn)權,瑞士銀行隨后就在其研究報告中將中芯國際股票的目標價由1.2元調低為1.12元。 從新近公布的2007年財報看,或受業(yè)績虧損及與臺積電訴訟未了的利空拖累,盡管中芯國際上年度營業(yè)額達到15.5億美元,且經(jīng)營業(yè)務現(xiàn)金流入亦達6.7億美元,但因折舊及攤銷金額超過7億美元,最終未能扭虧。而今年第一季度的虧損也由去年第四季度的622萬美元增加到了1.191億美元。 高盛早前發(fā)表報告,預期戰(zhàn)略投資者入局后,將可提升中芯業(yè)務基礎,有助改善經(jīng)營及降低資本開支等。 中芯國際方面表示,盡管今年第二季度整體銷售額預計將比首季下滑3%-6%,但非存儲芯片(DRAM)產(chǎn)品的銷售額預期將增長3%-6%。另外,公司預計第二季度資本開支約1.6億-2億美元,全年不會超過7億美元,而第二季度經(jīng)營開支僅占當季銷售收入的20%左右。 但投行美林提出了不同看法,認為上述銷售額預測顯得過分樂觀。美林稱,盡管中芯國際的非存儲芯片產(chǎn)品銷售額不俗,但在目前的競爭環(huán)境下要達到預期增長目標并不容易。 根據(jù)Gartner發(fā)布的“2007年上半年全球10大芯片代工廠”排名,臺積電、臺聯(lián)電分別以42.3%和14.6%的全球市場份額占據(jù)冠亞軍,而中芯國際雖然擠進三甲,但其7.6%的市場份額不但被臺聯(lián)電遠遠甩開,而且僅比第4名特許半導體高出0.6個百分點。世界第三的位置堪憂。 還值得關注的是,競爭對手的打壓也成了中芯國際外部發(fā)展環(huán)境中的一大障礙。從2003年至今,臺積電先后5次將中芯國際推上被告席。而既有經(jīng)驗也表明,每次交鋒都多少會動搖市場對這家上海芯片廠的信心。2006年8月28日,臺積電第四次在美國起訴中芯國際侵犯知識產(chǎn)權,瑞士銀行隨后就在其研究報告中將中芯國際股票的目標價由1.2元調低為1.12元。 從新近公布的2007年財報看,或受業(yè)績虧損及與臺積電訴訟未了的利空拖累,盡管中芯國際上年度營業(yè)額達到15.5億美元,且經(jīng)營業(yè)務現(xiàn)金流入亦達6.7億美元,但因折舊及攤銷金額超過7億美元,最終未能扭虧。而今年第一季度的虧損也由去年第四季度的622萬美元增加到了1.191億美元。 高盛早前發(fā)表報告,預期戰(zhàn)略投資者入局后,將可提升中芯業(yè)務基礎,有助改善經(jīng)營及降低資本開支等。 引資鋪墊業(yè)已完成 目前,中芯國際已經(jīng)完成以武漢為中心,環(huán)以北京、天津、上海、深圳、成都等5座城市的生產(chǎn)基地布局,這種空間結構被形象地描述為“菱形布局”。 中芯國際總裁兼CEO張汝京表示,布局的標準當然不是工廠的形狀,而主要是考慮到中國大陸經(jīng)濟發(fā)展的重心,尤其是當?shù)匕雽w產(chǎn)業(yè)潛在的條件與配套。張汝京進一步指出,鑒于中芯國際在國內集成電路芯片制造業(yè)的特殊地位,在戰(zhàn)略決策上不僅要符合企業(yè)當前利益,還要在一定程度上考慮更長遠的發(fā)展和使命。 對于再次交出虧損答卷,張汝京解釋稱,利潤出現(xiàn)負值的主要原因是,去年全球動態(tài)存儲器價格崩盤,價格較之前年縮水83%。目前,中芯國際正在努力調整其業(yè)務結構。張汝京在4月30日的投資者電話會議上已明確表示,公司今年的主要策略之一是在第一季度結束后完全退出存儲芯片市場,預計第四季有望扭虧為盈。據(jù)悉,今年4月末,中芯北京12英寸廠已經(jīng)停產(chǎn)存儲芯片代工業(yè)務,全面轉向生產(chǎn)邏輯半導體產(chǎn)品。 分析人士認為,中芯北京停產(chǎn)存儲芯片,表面上是為了應付虧損壓力,根本驅動力來自于資本意志。因為,與競爭對手相比,其股價相對低廉,早期投資人恐怕難以容忍這一局面。而北京方面的停產(chǎn)動作不但有利于穩(wěn)定早期投資方,也可刺激起新戰(zhàn)略投資者的欲望。 此外,2007年底,中芯國際與IBM簽訂了45納米技術轉讓協(xié)議。今年4月,中芯國際又攜手美國晶晨半導體有限公司聯(lián)合生產(chǎn)DPF芯片。中芯國際與國際巨頭的合作不僅能夠突破技術瓶頸,也能提升長期獲利能力。對投資者而言,這顯然也是利好。 情定私募基金? 根據(jù)業(yè)內先前的分析,對于中芯國際而言,可能的戰(zhàn)略投資者包括大型國企、跨國產(chǎn)業(yè)巨頭和國際私募基金。 一位資深半導體業(yè)內人士曾對本刊記者表示,中芯國際引入大型國企有助于爭取優(yōu)惠政策并解決其A股上市的難題。事實上,去年曾有中芯國際并購國內第二大半導體制造廠商華虹NEC的傳言,而后者正是具有國資委背景的中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團公司(CEC)的旗下企業(yè)。 另有iSuppli半導體行業(yè)分析師顧文軍指出,對中芯國際而言,引入戰(zhàn)略投資者不應僅僅為解決資金問題,還必須與中芯國際形成戰(zhàn)略互補——或是引進技術或是引進市場。全球半導體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展經(jīng)驗都表明,成功的晶圓代工廠都有一個好的戰(zhàn)略聯(lián)盟伙伴,比如臺積電和飛利浦,特許半導體和IBM、三星。 有知情人士向《IT時代周刊》透露,早在2007年初,中芯就曾拒絕了美國貝恩資本(Bain Capital Partners LLC)和KKR兩家私募基金的出價,因為它們以張汝京離職作為交易條件。而在去年4月,貝恩和另2家美國私募基金表示愿出價6億美元共同收購中芯國際20%-25%的股權之后,中芯國際董事會對此一直舉棋不定,其主要原因在于董事會希望吸引更有力的基金進入,比如德州太平洋集團(Texas Pacific Group)和黑石集團等。 在華爾街,國際私募基金被稱作“野蠻人”,它們的操盤者是精明的資本商人,諳熟資本游戲,像“禿鷹”一樣在全世界到處覓食,因此國際私募基金也被稱作“禿鷹集團”。 實際上,亞洲,尤其是中國,早已是全球各家私募基金的兵家必爭之地。在中國許多的經(jīng)濟大事件背后,都能發(fā)現(xiàn)它們若即若離的影子。對此,美國Apax私募基金高級合伙人兼亞洲區(qū)主席麥博格曾預測,2015年以后,中國將成為全球第二大私募基金活動區(qū)域。 一位不愿具名的半導體公司高層人士指出,中芯國際股價長期處于低迷狀態(tài),根據(jù)雅虎財經(jīng)提供的數(shù)據(jù),目前中芯國際的動態(tài)市值僅約為94億元,折合約13.5億美金。在半導體產(chǎn)業(yè),投資一個12英寸生產(chǎn)線尚需15億-20億美金,13.5億美金市值太低,自然很容易成為私募基金收購的目標。 該人士進一步表示,私募基金慣用的操作方法是或出售,或分拆,或重組,一旦獲得中芯國際的控制權,無論采用何種方法,都和中芯國際目前既定的發(fā)展戰(zhàn)略不符。 張汝京曾公開表示,公司期望引入的投資者能夠帶來較先進的技術,而并不純粹著眼于財務投資。 與香港媒體發(fā)布消息同日,一位接近張汝京的人士透露,中芯國際戰(zhàn)略引資行動進入最后階段,公司需要考慮很多方面的利益,包括引資對于中芯的長期戰(zhàn)略,應發(fā)揮緊密、長遠的綜合效應。 中芯國際引資一事有望不久之后告一段落,期望中芯國際能借戰(zhàn)略投資者一臂之力向它所期望的方向邁進,而業(yè)界也將繼續(xù)關注張汝京的腳步。
全球半導體產(chǎn)業(yè)漸漸進入谷底,這讓原本打算IPO的企業(yè)打了退堂鼓。 《第一財經(jīng)日報》獲悉,原本有望登陸美國資本市場的上海BCD(新進)半導體公司,已中止赴美上市計劃。該公司給出的理由是,市場條件惡劣,時機不適宜。 2月中旬,這家本土著名模擬半導體器件供應商曾對外透露,暫時延緩美國IPO之旅,原因同樣是市場條件不合預期。 記者登陸美國證券交易委員會(SEC)官方主頁查詢到,2月12日、6月30日兩天,新進半導體已兩次提交“登記撤銷請求”。 此前在1月底,新進曾向SEC申請公開發(fā)行存托憑證(ADS)600萬股,價格在9美元至 11美元之間。另外允許承銷商德銀證券額外發(fā)行90萬份。當時它預計有望融到7590萬美元,并打算之后將其中4000萬美元注入上海公司,用以償還貸款、增加運營資金、擴大生產(chǎn)、研發(fā)能力或用于并購。 半導體專業(yè)調研機構iSuppli中國分析師顧文軍說,全球經(jīng)濟形勢低迷,半導體產(chǎn)業(yè)又處于低潮期,此前規(guī)劃上市的許多企業(yè),目前大多已暫緩計劃,以等待景氣來臨。否則即使上市,融資額也會大受影響。 “明年上半年,半導體行業(yè)也許能看好?!彼f,現(xiàn)在很多企業(yè)都在節(jié)約開支,也有部分試圖尋求在本土上市。 此前,新進已完成多輪融資。其中僅2002年便有兩輪。2004年4月又進行了第三輪融資,它的投資方包括紅點投資、Venrock Associates、集富等企業(yè)。 目前,公開資料查閱到新進截至去年9月底前的資金狀況顯示:其債務額大約1660萬美元,不過營收額一直高速增長,去年前9個月,便已達6940萬美元,較2006年同比增長40%。2003年它曾表示,已達收支盈余。 顧文軍說,新進應該沒有生存壓力,因為其主要產(chǎn)品為電源管理芯片,而這一市場目前正高速增長。
從半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷史看,早期的企業(yè)都采取融設計、制造、封裝為一體的垂直生產(chǎn)(IDM)模式。隨著市場需求的變化和科學技術的進步,一部分企業(yè)為滿足多品種、小批量產(chǎn)品的需求,開始尋求生產(chǎn)模式的改變,出現(xiàn)了設計、制造、封裝三業(yè)分立的局面。對企業(yè)而言,發(fā)展模式并不是一成不變的,而是應該根據(jù)市場環(huán)境、技術水平的變化而調整。 客觀條件決定著發(fā)展模式,任何發(fā)展模式的選擇都是與客觀條件密切相關的,我們不可能脫離產(chǎn)業(yè)的客觀環(huán)境來談論發(fā)展模式的優(yōu)劣。上世紀80年代中期,我國臺灣地區(qū)以臺積電為代表的半導體企業(yè)選擇芯片制造作為切入點,開創(chuàng)了半導體產(chǎn)業(yè)的芯片代工(Foundry)模式。這樣的選擇是符合當時臺灣地區(qū)市場狹小、設計力量較弱的客觀環(huán)境的,因此在最近20年里取得了巨大的成功。目前,隨著集成電路技術的進步,業(yè)內競爭更趨白熱化,領先企業(yè)也在尋求發(fā)展模式的突破,臺積電今年提出的“開放創(chuàng)新平臺”就是一個例證。 中國大陸是一個擁有13億人口的巨大消費市場,并且正處于快速發(fā)展的歷史進程之中,就總量而言,對電子終端產(chǎn)品的需求是任何發(fā)達國家無法企及的。同時,中國大陸的經(jīng)濟發(fā)展呈現(xiàn)某種不均衡性,這對整個社會而言是需要加以改進的地方,但對產(chǎn)品壽命周期相對較短的集成電路企業(yè)來說卻未必是一件壞事,因為廣大消費者不同層次的需求為高、中、低檔產(chǎn)品提供了用武之地,不同程度上延長了產(chǎn)品的市場壽命,這也為研發(fā)力量相對薄弱、資金較為短缺的中國大陸企業(yè)提供了更多的市場機會。 同時,中國又是電子終端產(chǎn)品的生產(chǎn)大國,中國大陸的整機企業(yè)在全球范圍內具有較強的競爭力,這就進一步強化了中國大陸市場對電子零部件的需求,同時也為中國大陸集成電路設計和芯片制造企業(yè)提供了廣闊的市場空間。 中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)的另一個特點是創(chuàng)新能力不足。高科技領域的技術創(chuàng)新,不可能只依靠技術人員的天才和勤奮來實現(xiàn),而是要建立在一系列專利技術的基礎之上。我們可以站在“巨人肩上”,取得“后發(fā)優(yōu)勢”,但同時付出的代價就是巨額的專利費用。 中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展模式必須與其自身特征相契合。目前,F(xiàn)oundry(代工)模式在中國大陸已初具規(guī)模,中國大陸的芯片制造能力已有了長足的進步,繼續(xù)集中優(yōu)勢力量,爭取跨越式發(fā)展,培育若干個具有國際競爭力的芯片代工企業(yè)是我們的必然選擇。既然貼近消費市場是中國大陸半導體產(chǎn)業(yè)最大的優(yōu)勢,那么,擅長根據(jù)市場變化而及時調整生產(chǎn)體系的IDM(集成器件制造商)模式也就不應被放棄;并且對一個大國而言,出于國家安全的考慮,IDM模式的集成電路企業(yè)也是不可或缺的。因此,從長遠來看,F(xiàn)oundry和IDM都是中國大陸必須重視的發(fā)展模式。 但是,資源的有限性決定了Foundry模式和IDM模式的發(fā)展不可能齊頭并進,我們應該選擇一條適合本國特點的發(fā)展道路。目前中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)的短板仍然在設計行業(yè),盡管我們已經(jīng)擁有約500家芯片設計企業(yè),但這些企業(yè)無論從規(guī)模、產(chǎn)品檔次還是技術水平而言都無法對Foundry企業(yè)形成有效的支撐,使得中國大陸的主流Foundry企業(yè)不得不更多地依賴海外客戶。因此,我們的戰(zhàn)略應該是幫助Foundry企業(yè)引入資金、技術上的合作者,為集成電路制造業(yè)的繼續(xù)壯大創(chuàng)造條件;同時,根據(jù)國內外市場的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢,有針對性地重點扶持若干家集成電路設計企業(yè)。 當前,如何為設計企業(yè)創(chuàng)造更好的發(fā)展環(huán)境,如何引導企業(yè)之間的并購重組,如何拓寬企業(yè)的融資渠道以及如何為企業(yè)提供所需的公共技術服務都是政府需要思考的問題。 集成電路設計企業(yè)的發(fā)展也不能完全依靠政府的扶持,既然我國在系統(tǒng)整機生產(chǎn)方面占有一定優(yōu)勢,就應該鼓勵整機企業(yè)與設計企業(yè)結成戰(zhàn)略聯(lián)盟,甚至可以采取并購的手段,為集成電路設計業(yè)提供充足的資金和市場保障。 IDM模式龐大而強勢的垂直集成電路應用體系不是一朝一夕能形成的,中國的系統(tǒng)整機企業(yè)應該及時地介入設計和制造領域,實現(xiàn)“整機與芯片聯(lián)動”。它們不一定要從零做起,完全可以利用資本運作的方式實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的“后向一體化”,打造具有國際競爭力的IDM企業(yè)。 也有專家指出,在中國大陸現(xiàn)有的情況下,單一整機系統(tǒng)企業(yè)的實力還不足以支撐集成電路芯片制造廠的建設,可以考慮在整機系統(tǒng)廠家較多的地區(qū)建設“多用戶IDM,相對定向客戶的Foundry”的模式,即由幾家整機系統(tǒng)企業(yè)采取共同投入、共享資源的方式建設集成電路芯片制造廠,作為其專用Foundry,這也不失為一條明智的發(fā)展道路。此外,采取收購海外IDM半導體公司制造部門并轉移到中國大陸的方式也是一條快速發(fā)展之路,這既能解決我國芯片供應市場的巨大缺口,又能充分利用成本優(yōu)勢,還能為海外資本及民間資本開拓新的投資領域。
據(jù)國外媒體報道,歐洲第二大半導體生產(chǎn)商英飛凌將改組公司結構以提高效率,并可能裁員以削減成本。 英飛凌CEO彼得·鮑爾(Peter Bauer)周三稱:“我們將采取激烈的措施,不排除裁員可能,但目前尚不能確定裁員人數(shù)?!痹趶奈鏖T子分離出來以后,該公司過去三年中一直虧損。 英飛凌重組后將分為五個部門,即汽車、工業(yè)、安全、有線和無線部門。公司管理董事會成員赫爾曼·尤爾(Hermann Eul)將負責這些部門的市場營銷、銷售渠道及開發(fā)業(yè)務,雷英赫德·巴勒斯(Reinhard Ploss)將負責這些部門的運營。 英飛凌計劃于7月底發(fā)布詳細的成本削減計劃。鮑爾稱,裁員旨在將明年成本縮減幾億歐元,并表示并未因美元走軟而計劃將生產(chǎn)移出歐洲。 鮑爾稱:“美元兌歐元每貶值一美分,都將給我們支付利息及繳納稅款以前的季度利潤帶來200萬歐元的損失?!边^去六個月中,英飛凌在美元區(qū)的采購上升了10%。鮑爾稱,不能改變基于匯率活動的公司戰(zhàn)略。 英飛凌希望通過產(chǎn)品調整的方式提高利潤率。鮑爾稱,可能出售一到兩個規(guī)?!拜^小的”資產(chǎn),但“不希望出售無線業(yè)務”。公司還計劃通過在原材料價格上討價還價、使用不同原材料及產(chǎn)品改動等方式“大幅”降低生產(chǎn)成本。鮑爾稱:“以前我們在這方面可能有些保守?!惫緦⑾蚝M鈴S家外包更多商品生產(chǎn)。 英飛凌不排除旗下內存芯片部門Qimonda進一步資本減記的可能,并希望出售該部門。鮑爾確認,該公司目標是在明年年度股東大會前僅持有該部門的少數(shù)股份,“不會向Qimonda融資或提供現(xiàn)金資本?!? 截至3月底為止,英飛凌已將Qimonda價值減記了10億歐元(合15.9億美元)以備出售,導致該公司第二季度虧損13.7億歐元。 到昨天為止,英飛凌股價已從3月20日低點回升了19%,因市場猜測該公司可能被收購;Qimonda股價則已大跌42%。據(jù)Exane BNP Paribas分析師杰羅姆·蘭梅爾(Jerome Ramel)6月30日發(fā)表報告稱,Broadcom、NXP BV、Mediatek和德州儀器可能競標。 鮑爾稱:“公司日程中并無出售或合并事宜”。他表示,英飛凌擁有足夠的資金進行規(guī)?!拜^小”的并購交易,“我們不會僅為擴大規(guī)模而冒險”。
7月3日消息,浪潮昨晚發(fā)布公告,公司與山東省高新技術投資有限公司、濟南高新控股集團有限公司各出資1億元共同投資設立的山東華芯半導體有限公司3億元資金現(xiàn)以全數(shù)到位。 公告稱,浪潮出資的1億元、濟南高新控股集團出資的1億元、山東省高新技術投資有限公司出資的5000萬元人民幣均于2008年5月27日前到位,山東省高新技術投資有限公司二期出資的5000萬元也已經(jīng)于2008年6月30日到位,山東正源和信有限責任會計師事務所出具了各項出資的驗資報告。 去年底,浪潮集團高起點的進軍半導體產(chǎn)業(yè),并宣布未來兩年內,將陸續(xù)投入7.5億元發(fā)展半導體照明產(chǎn)業(yè)。浪潮方面曾表示,通過產(chǎn)業(yè)、資本、國際化擴張,不斷擴大產(chǎn)業(yè)規(guī)模、提高產(chǎn)業(yè)競爭力。公司進軍半導體市場的目的是為了涉足電子產(chǎn)業(yè)鏈前沿,促進公司產(chǎn)業(yè)結構的優(yōu)化升級。該投資項目市場前景廣闊,預期能獲取較好的收益,有利于公司調整內部產(chǎn)業(yè)結構,延伸產(chǎn)業(yè)鏈條,提高盈利能力,有利于公司持續(xù)、良好的發(fā)展,并給股東帶來良好的回報。 有券商研究人士分析認為,浪潮信息此番涉身其中,風險控制顯得尤為重要。而半導體市場的起伏波動、項目運行管理中的風險,以及對高端人才隊伍的需求,都令其前景存在諸多不確定性。 根據(jù)浪潮此前公布的信息披露,投資公司華芯半導體的注冊資本為3億元,由浪潮信息與山東高新投、濟南高新各以現(xiàn)金出資1億元,持股比例均為33.33%。公司經(jīng)營期限擬為20年,經(jīng)營范圍擬為研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、投資集成電路產(chǎn)品等其他高新技術產(chǎn)品。該公司的項目建設周期為2年。