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  • 如何選擇風(fēng)速傳感器？

    風(fēng)能屬于一種新能源，無(wú)時(shí)無(wú)刻不影響著我們的生活，而如今隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，風(fēng)的測(cè)量成為研究風(fēng)能最為重要的數(shù)據(jù)，而風(fēng)速傳感器成為用來(lái)測(cè)量風(fēng)的方向和大小的設(shè)備，并且在氣象監(jiān)測(cè)方面得到了廣泛的應(yīng)用。 風(fēng)速傳感器是一種可以連續(xù)測(cè)量風(fēng)速和風(fēng)量(風(fēng)量=風(fēng)速x橫截面積)大小的傳感器。比較常見(jiàn)的風(fēng)速傳感器是風(fēng)杯式風(fēng)速傳感器，最早由英國(guó)魯賓孫發(fā)明。感應(yīng)部分是由三個(gè)或四個(gè)圓錐形或半球形的空杯組成?？招谋瓪す潭ㄔ诨コ?20°的三叉星形支架上或互成90°的十字形支架上，杯的凹面順著一個(gè)方向排列，整個(gè)橫臂架則固定在一根垂直的旋轉(zhuǎn)軸上。 目前，市面上的風(fēng)杯式風(fēng)速傳感器較多，關(guān)于如何區(qū)分風(fēng)速傳感器的質(zhì)量問(wèn)題，小編做了以下總結(jié)： 關(guān)于材質(zhì) 目前市面上比較多的產(chǎn)品材質(zhì)有兩種，一種是普通ABS塑料材質(zhì)，另一種是聚碳酸酯材質(zhì)。在選擇風(fēng)速傳感器的時(shí)候，小編建議大家選擇聚碳酸酯材質(zhì)的產(chǎn)品，主要原因有以下幾點(diǎn)： 耐溫性：聚碳酸酯材料耐高低溫性能優(yōu)，材料無(wú)變形，強(qiáng)度穩(wěn)定。而普通ABS塑料耐高溫性差，高溫容易變形，低溫容易變脆。 耐風(fēng)化：聚碳酸酯材料是一種性能優(yōu)良的熱塑性工程塑料，長(zhǎng)期耐風(fēng)化。而普通ABS塑料長(zhǎng)期使用易變色，在紫外線的作用下易產(chǎn)生降解。 耐候性：聚碳酸酯材料具有突出的抗沖擊能力，尺寸穩(wěn)定性好。而普通ABS塑料耐候性差，于戶外半年后，沖擊強(qiáng)度會(huì)下降50%。 關(guān)于細(xì)節(jié) 從細(xì)節(jié)看產(chǎn)品質(zhì)量。經(jīng)過(guò)對(duì)比，小編發(fā)現(xiàn)部分產(chǎn)品帶有軸承帽檐，也有很多產(chǎn)品沒(méi)有，別看小小的軸承帽檐，它的作用還是很大的。風(fēng)速傳感器一般在室外工作，室外環(huán)境惡劣，隨時(shí)可能會(huì)遇到雨雪天氣，有軸承帽檐可以防雨防水，防護(hù)等級(jí)提高，工作性能更加的穩(wěn)定，而沒(méi)有軸承帽檐的產(chǎn)品，在雨雪天氣容易滲水，造成電路板的損壞。 建大仁科三杯式風(fēng)速傳感器外形小巧輕便，便于攜帶和組裝，三杯設(shè)計(jì)理念可以有效獲得風(fēng)速信息，殼體采用聚碳酸酯復(fù)合材料，多種輸出模式可任意選擇。 三杯式風(fēng)速傳感器采用前沿產(chǎn)品設(shè)計(jì)，有底出線和側(cè)出線兩種出線方式，底部出線有更高的防雨雪性能。 設(shè)備采用聚碳酸酯環(huán)保外殼，完全克服普通塑料易老化的缺點(diǎn)。線纜連接處采用防水對(duì)插線設(shè)計(jì)，方便連接，避免線纜誤接。 三杯設(shè)計(jì)理念可以有效獲得風(fēng)速信息，殼體采用優(yōu)質(zhì)鋁合金型材或聚碳酸酯復(fù)合材料，防雨水，耐腐蝕，抗老化，是一種使用方便，安全可靠的智能儀器儀表。主要用在氣象、農(nóng)業(yè)、船舶等領(lǐng)域，并且可長(zhǎng)期在室外使用。

    半導(dǎo)體 風(fēng)速傳感器

  • 電化學(xué)合成半導(dǎo)體材料，新型環(huán)保的可持續(xù)有機(jī)合成

    1839年法國(guó)的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)有機(jī)半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié)，在光照下會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓，這就是后來(lái)人們熟知的光生伏特效應(yīng)，這是被發(fā)現(xiàn)的有機(jī)半導(dǎo)體的第二個(gè)特征。而有機(jī)太陽(yáng)能電池在能源領(lǐng)域的應(yīng)用，將是有機(jī)半導(dǎo)體材料的最有意義的應(yīng)用。 有機(jī)太陽(yáng)能電池在電子領(lǐng)域有多種應(yīng)用，特別是在可穿戴設(shè)備等新型電子設(shè)備的開發(fā)中。通常情況下，這些電池都是由有機(jī)半導(dǎo)體分子組成的，它們輕巧又堅(jiān)固。因此，尋找這些半導(dǎo)體分子的新型發(fā)展策略一直是全球許多科學(xué)家的目標(biāo)。但通常，合成這些分子需要使用昂貴的稀有金屬催化劑。這不僅導(dǎo)致了高昂的制造成本，而且金屬催化劑被污染的可能性也使這一過(guò)程充滿挑戰(zhàn)。 為此，在《Angewandte Chemie》國(guó)際版上發(fā)表的一項(xiàng)新研究中，岡山大學(xué)的一個(gè)研究小組，包括Seiji Suga教授和Koichi Mitsudo副教授在內(nèi)，開發(fā)了一種新的反應(yīng)體系來(lái)合成有機(jī)半導(dǎo)體合成中的關(guān)鍵組分—噻吩烯衍生物。科學(xué)家們將重點(diǎn)放在了通過(guò)有機(jī)電解構(gòu)建碳硫(C-S)鍵上，這是一種環(huán)保型反應(yīng)。Suga教授解釋說(shuō)："我們專注于C-S鍵，因?yàn)镃-S鍵在醫(yī)藥和材料科學(xué)領(lǐng)域非常豐富且意義重大，例如在某些抗抑郁和抗真菌藥物中。 傳統(tǒng)上，C-S鍵是通過(guò)一種叫做 "過(guò)渡金屬催化交聯(lián) "的方法構(gòu)建的，這種方法需要使用稀有金屬催化劑。這使得該反應(yīng)成本很高，因此，不可行。在這項(xiàng)研究中，科學(xué)家們專注于一種不同的方法，稱為 "電化學(xué)碳-雜原子鍵形成"，這是一種需要溫和條件的環(huán)保反應(yīng)。雖然過(guò)去已經(jīng)報(bào)道了幾種新型的電化學(xué)碳-雜原子偶聯(lián)反應(yīng)，但直到現(xiàn)在，這些反應(yīng)從未被用于合成噻吩烯。Suga教授說(shuō)："在過(guò)去的幾年里，我們對(duì)開發(fā)新的噻吩合成方法很感興趣，烯類衍生物在有機(jī)電化學(xué)中有著良好的記錄，是有機(jī)材料的有吸引力的候選者。" 在確立了研究基礎(chǔ)后，科學(xué)家們又深入研究，尋找新型的噻吩合成電化學(xué)方法。他們發(fā)現(xiàn)，在有 "溴 "離子存在的情況下，所需的C-S鍵形成會(huì)順利發(fā)生，而 "溴 "離子是反應(yīng)的有力促進(jìn)劑。利用這一策略，科學(xué)家們成功地合成了被稱為 "π-expanded thienoacene derivatives "類型的噻吩烯衍生物。有趣的是，這項(xiàng)研究是第一個(gè)報(bào)道成功形成C-S鍵合成噻吩衍生物的研究。Suga教授解釋說(shuō)："我們的研究是第一個(gè)報(bào)道電氧化脫氫反應(yīng)產(chǎn)生噻吩烯的C-S鍵。我們發(fā)現(xiàn)，溴離子作為鹵素介質(zhì)催化促進(jìn)反應(yīng)，對(duì)反應(yīng)至關(guān)重要。" 這項(xiàng)研究給人們帶來(lái)了希望，在未來(lái)，有機(jī)半導(dǎo)體分子可以用一種低成本的技術(shù)來(lái)生產(chǎn)，而不需要使用昂貴的金屬催化劑。Suga教授總結(jié)道："這項(xiàng)研究的關(guān)鍵在于'電化學(xué)合成'的方法，它是一種清潔的可再生能源。" 岡山大學(xué)的科學(xué)家們希望通過(guò)這些研究成果，實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境影響最小的可持續(xù)有機(jī)合成。因此，這項(xiàng)研究也是實(shí)現(xiàn)聯(lián)合國(guó)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)的重要一步，從而促進(jìn)人類的美好未來(lái)。 論文標(biāo)題為《Electrochemical Synthesis of Thienoacene Derivatives: TransitionMetalFree Dehydrogenative CS Coupling Promoted by a Halogen Mediator》。

    半導(dǎo)體 有機(jī)半導(dǎo)體 電化學(xué)反應(yīng) 新型環(huán)保

  • 比亞迪，新能源汽車的厚積薄發(fā)

    眾所周知，比亞迪是汽車品牌之一，但是比亞迪是做電池起家的。鮮為人知的是，比亞迪還從事了二次充電池及光伏、手機(jī)部件及組裝，以及包含傳統(tǒng)燃油汽車及新能源汽車在內(nèi)的汽車等業(yè)務(wù)。此外，比亞迪在上游芯片領(lǐng)域也早有布局，“比亞迪微電子”制造的芯片廣泛應(yīng)用于汽車、能源、工業(yè)、通訊和消費(fèi)電子領(lǐng)域。 近日，國(guó)產(chǎn)新能源汽車領(lǐng)域放出了一個(gè)重磅消息。一直默默布局半導(dǎo)體行業(yè)的比亞迪一舉拿下19億融資，并稱將在合適的時(shí)機(jī)掛牌上市。長(zhǎng)期以來(lái)中國(guó)半導(dǎo)體嚴(yán)重依賴進(jìn)口，作為國(guó)內(nèi)數(shù)一數(shù)二的汽車半導(dǎo)體巨頭，比亞迪半導(dǎo)體融資上市，對(duì)國(guó)內(nèi)汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)意義重大。 比亞迪在發(fā)布的公告中稱，旗下比亞迪半導(dǎo)體有限公司正式引入戰(zhàn)略投資者，由紅杉資本、中金資本以及國(guó)投創(chuàng)新領(lǐng)銜投資，Himalaya Capital等多家國(guó)內(nèi)外投資機(jī)構(gòu)參與認(rèn)購(gòu)。 本輪投資者按照比亞迪半導(dǎo)體投前估值75億元，融資共計(jì)19億元，取得比亞迪半導(dǎo)體共計(jì)20.2126%股權(quán)，投后估值近百億元。此次融資，不過(guò)是4月中旬內(nèi)部重組的后續(xù)動(dòng)作。 這也意味著，比亞迪帝國(guó)在半導(dǎo)體芯片特別是汽車半導(dǎo)體芯片(IGBT芯片)領(lǐng)域，拼出了新的版圖。汽車半導(dǎo)體前景廣闊，中國(guó)也是世界半導(dǎo)體需求最旺盛的國(guó)家，面對(duì)中國(guó)這個(gè)龐大的市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)各路半導(dǎo)體廠商都躍躍欲試。 長(zhǎng)期以來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體嚴(yán)重依賴進(jìn)口。而在中美貿(mào)易摩擦加劇的情況下，只有將要命的“芯”攥在自己手里才能夠安心。借助內(nèi)外部的多重契機(jī)，比亞迪順勢(shì)推出比亞迪半導(dǎo)體，正是恰逢其時(shí)。 芯片：新能源汽車供應(yīng)鏈上的新蛋糕 比亞迪半導(dǎo)體此次募資重點(diǎn)將投向IGBT芯片設(shè)計(jì)和制造量產(chǎn)。而在該領(lǐng)域，比亞迪也算是有豐厚的技術(shù)積累。 IGBT芯片被譽(yù)為電動(dòng)車的“CPU”，IGBT全稱“絕緣柵雙極型晶體管”。對(duì)于電動(dòng)車而言，它直接決定了車輛的扭矩和最大輸出功率(進(jìn)而影響電動(dòng)車的時(shí)速)等。它能控制直流電、交流電之間的轉(zhuǎn)換，還能進(jìn)行交流電機(jī)的變頻控制，是整個(gè)“三電系統(tǒng)”的核心要件之一。 因此，IGBT芯片對(duì)于電動(dòng)車而言不可或缺。2018年以來(lái)，新能源汽車高速發(fā)展，給IGBT芯片乃至整個(gè)汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的歷史機(jī)遇。 2019年12月10日，全國(guó)乘用車市場(chǎng)信息聯(lián)席會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“乘聯(lián)會(huì)”)發(fā)布了11月我國(guó)乘用車產(chǎn)銷數(shù)據(jù)。11月的新能源車批發(fā)銷量達(dá)到13.6萬(wàn)輛，環(huán)比增長(zhǎng)19.1%，同比增長(zhǎng)69%;其中插混同比增長(zhǎng)87%，純電動(dòng)同比增長(zhǎng)65%。1~11月新能源乘用車批發(fā)88萬(wàn)輛。 新能源汽車迅猛增長(zhǎng)，拉動(dòng)汽車半導(dǎo)體也迅猛增長(zhǎng)。在新能源汽車的成本結(jié)構(gòu)中，IGBT占據(jù)著5%-10%的比例，僅次于動(dòng)力電池。以單車成本15萬(wàn)計(jì)算，IGBT價(jià)值在7500-15000元。 因此，IGBT市場(chǎng)前景廣闊。機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2020年全球IGBT市場(chǎng)空間接近百億元，到2025年國(guó)內(nèi)新能源汽車IGBT市場(chǎng)空間1050億元左右。 龐大的市場(chǎng)空間，讓IGBT芯片成了新能源汽車供應(yīng)鏈上的一塊新蛋糕。目前，國(guó)內(nèi)關(guān)鍵廠商只有包含比亞迪在內(nèi)的兩家公司具備該領(lǐng)域的核心技術(shù)，比亞迪之外，另一家是軌道交通的中車(高鐵)。 長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)的電動(dòng)車半導(dǎo)體需要依賴國(guó)外進(jìn)口，但隨著中美貿(mào)易摩擦增大，外部風(fēng)險(xiǎn)也與日俱增，這為早就潛心準(zhǔn)備的比亞迪創(chuàng)造了外部機(jī)遇。 外部壟斷正在被打破 多年來(lái)，IGBT核心技術(shù)一直為日本歐洲等外部廠商占據(jù)。2017年全球IGBT功率半導(dǎo)體排行中，基本全都是國(guó)外企業(yè)，老大英飛凌占據(jù)27.1%的市場(chǎng)份額，日本三菱占據(jù)16.4%的市場(chǎng)份額位居第二，日本富士電機(jī)名列第三，前五大企業(yè)占據(jù)了67.5%的市場(chǎng)份額，中國(guó)產(chǎn)品則還有很大的替代空間。 由美國(guó)率先掀起的貿(mào)易戰(zhàn)，又讓這種半導(dǎo)體貿(mào)易蒙受新的沖擊。作為世界上最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)和半導(dǎo)體進(jìn)口國(guó)，在該領(lǐng)域受到?jīng)_擊可想而知。 國(guó)家為沖破外部阻撓，加大了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持力度。國(guó)家相關(guān)部委在2月下旬印發(fā)《智能汽車創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)迎來(lái)政策春風(fēng)。這對(duì)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，也是一場(chǎng)及時(shí)雨。 雖然短期內(nèi)外國(guó)半導(dǎo)體巨頭的地位仍難撼動(dòng)。但目前，中國(guó)的一批半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)逐步成長(zhǎng)起來(lái)了。比亞迪是其中代表，憑借數(shù)十年在能源電池、電動(dòng)車、車載芯片方面的應(yīng)用，如今比亞迪已經(jīng)成長(zhǎng)為國(guó)內(nèi)最大的IGBT車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體廠商。 不過(guò)，長(zhǎng)期以來(lái)，比亞迪半導(dǎo)體的一些芯片多給內(nèi)部供應(yīng)，很少將之用于外部市場(chǎng)。而近年來(lái)，比亞迪半導(dǎo)體不僅在IGBT技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了新突破，而且在量產(chǎn)規(guī)模上也有了顯著提升，此時(shí)將自己的過(guò)剩產(chǎn)能用于外部客戶也是順理成章。 乘著中國(guó)半導(dǎo)體崛起迎來(lái)的窗口期加速發(fā)展，拿下巨頭缺失的市場(chǎng)無(wú)疑是明智之舉。 比亞迪IGBT厚積薄發(fā) “今年年底，比亞迪寧波IGBT工廠的產(chǎn)能是月產(chǎn)5萬(wàn)片晶圓，而到2020年，將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)10萬(wàn)片晶圓，也就是年產(chǎn)120萬(wàn)片的產(chǎn)能。”比亞迪第六事業(yè)部兼太陽(yáng)能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛介紹道。比亞迪目前已經(jīng)有了從自給自足轉(zhuǎn)向?qū)ν忾_放的條件和優(yōu)勢(shì)了。 據(jù)透露，2019年，比亞迪就已經(jīng)拿出部分產(chǎn)能面向其他新能源汽車廠商供應(yīng)。 產(chǎn)能方面，雖然目前比亞迪尚不能直接與歐美巨頭相抗衡，但是如今除了自用之外，已經(jīng)足夠滿足部分外部客戶的使用需求了。 產(chǎn)能問(wèn)題始終是行業(yè)焦點(diǎn)，業(yè)內(nèi)人士透露，目前英飛凌IGBT的交付周期已經(jīng)達(dá)到12個(gè)月，國(guó)內(nèi)不少新能源車企的車輛交付因此受到影響。而在產(chǎn)能方面，比亞迪半導(dǎo)體已經(jīng)具備替代優(yōu)勢(shì)。 在技術(shù)方面也不賴。比亞迪最新的IGBT 4.0技術(shù)對(duì)外宣布于2018年12月，是國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)業(yè)的重大突破?！耙匀乱淮茷槔?，在其他條件不變的情況下，采用比亞迪的IGBT4.0，較采用當(dāng)前市場(chǎng)主流的IGBT，百公里電耗少約3%?！睋?jù)陳剛介紹說(shuō)。 該技術(shù)產(chǎn)品模塊，將溫度壽命做到市場(chǎng)主流廠商的10倍以上，將電車電流輸出能力較同等工況下市場(chǎng)主流產(chǎn)品提升15%，支撐更強(qiáng)的汽車急速能力。 最后在制程工藝上，也有了突破，將原有體積經(jīng)過(guò)十道工序，縮小到120um，僅有兩根頭發(fā)絲直徑的厚度。 比亞迪在宣布該項(xiàng)技術(shù)的同時(shí)，其還同時(shí)宣布性能更加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)。據(jù)悉，其硅基SiC新材料制出來(lái)的性能會(huì)更好，在電流輸出能力、損耗方面都表現(xiàn)更優(yōu)。而比亞迪半導(dǎo)體的IGBT不僅可以用于汽車領(lǐng)域，還可以用于其他工業(yè)領(lǐng)域。 達(dá)成如今的好成績(jī)，比亞迪用了十三年。通過(guò)十三年厚積薄發(fā)的持續(xù)努力，比亞迪已經(jīng)具備了與國(guó)際產(chǎn)業(yè)巨頭英飛凌相抗衡的實(shí)力。如今借著政策東風(fēng)，借資本單飛，正當(dāng)其時(shí)。 融資開啟新征程 比亞迪半導(dǎo)體的前身是比亞迪微電子，曾是比亞迪集團(tuán)下一個(gè)事業(yè)部。比亞迪作為一個(gè)大型綜合汽車制造商，能夠給與其半導(dǎo)體事業(yè)部的資金支持十分有限，通過(guò)重組整合之后，比亞迪半導(dǎo)體作為獨(dú)立公司，則能夠從社會(huì)上吸引更多資金，更好促進(jìn)自身的發(fā)展，加速融資也在情理之中。 此前，比亞迪微電子只是作為內(nèi)部供應(yīng)鏈的一部分，沒(méi)有獨(dú)立盈利能力。而比亞迪半導(dǎo)體則能夠?qū)I(yè)務(wù)開放給所有的汽車整車制造廠，這樣更便于公司自負(fù)盈虧。 具體來(lái)看，這樣做也有出于規(guī)模效益的考慮，比亞迪半導(dǎo)體長(zhǎng)期投入，需要資金，必然拖累比亞迪母公司的利潤(rùn)率，影響資本市場(chǎng)對(duì)比亞迪公司的評(píng)判。比如，去年比亞迪母公司受拖累利潤(rùn)降至1.32%。 此外，在比亞迪的核心領(lǐng)域，面臨特斯拉和寧德時(shí)代的雙重夾攻，壓力很大。加快半導(dǎo)體融資有利于其擺脫母公司影響，不受干擾獨(dú)立發(fā)展。 同時(shí)，將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)打包獨(dú)立運(yùn)營(yíng)，則有利于緩解比亞迪電池的資金流供應(yīng)問(wèn)題，通過(guò)拆分將旗下所有相關(guān)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)納入比亞迪半導(dǎo)體，也有利于資源整合。 整合后的比亞迪半導(dǎo)體不僅僅面向汽車生產(chǎn)商，還可以將業(yè)務(wù)拓展到消費(fèi)電子、工業(yè)等諸多領(lǐng)域，成為一家名副其實(shí)的半導(dǎo)體企業(yè)，而不僅僅是汽車半導(dǎo)體公司。而通過(guò)優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，更多的吸引社會(huì)投資，明顯可以幫助比亞迪半導(dǎo)體加快這一進(jìn)程。 比亞迪半導(dǎo)體等一批國(guó)內(nèi)企業(yè)的成長(zhǎng)成熟，對(duì)于站在智能物聯(lián)社會(huì)十字路口的中國(guó)而言，無(wú)疑是一件好事。當(dāng)然，我們?nèi)员仨毨硇钥陀^的認(rèn)識(shí)到，我們離世界先進(jìn)水平依舊有差距，還需要繼續(xù)努力。 新能源汽車行業(yè)一定是有廣大的發(fā)展前途的，汽車智能化和網(wǎng)絡(luò)化也是必然的趨勢(shì)。在汽車智能化領(lǐng)域，我國(guó)完全可以建造一條國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈，將汽車芯片技術(shù)牢牢鎖在國(guó)內(nèi)。

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  • 筆記本外接顯卡有什么優(yōu)缺點(diǎn)?是否存在局限性?

    對(duì)于筆記本電腦來(lái)說(shuō)，性能和便攜性是無(wú)法完美兼容的。如果原來(lái)的顯卡性能不算很好，我們可以購(gòu)置更好的顯卡進(jìn)行替換，以顯示更好的畫面效果。如果是筆記本電腦置換顯卡，就需要拆開筆記本安裝顯卡。那么外接顯卡有什么優(yōu)缺點(diǎn)?是否存在局限性?外接顯卡的方法步驟是什么呢? 外接顯卡有什么優(yōu)缺點(diǎn)? 優(yōu)點(diǎn)：通用性比較高，成本投入低。 缺點(diǎn)：由于傳輸?shù)膸挼南拗?，無(wú)法發(fā)揮桌面顯卡的全部性能，并且由于是DIY組裝，顯卡的穩(wěn)定性得不到很好的保障，易用性較低。 外接顯卡有什么局限性? 1、外接獨(dú)立顯卡的TDP不能太高，目前市面上所售的適配器最大為220w，那也就是說(shuō)所選用的獨(dú)立顯卡最好是GTX 980或R9 290以下的顯卡。 2、接獨(dú)立顯卡的筆記本的CPU也要有足夠的性能，這樣才能夠?qū)@卡的性能發(fā)揮出來(lái)。 外接顯卡的方法步驟是什么? 1、外接前需要準(zhǔn)備為顯卡供電的200W外設(shè)電源、接口為expresscard和mini hdmi的EXP GDC設(shè)備，用來(lái)連接筆記本和顯卡、一個(gè)EXP GDC主板用來(lái)連接外置顯卡、一根接口為HDMI和mini HDMI標(biāo)準(zhǔn)的HDMI線，最后就是一塊給力的顯卡了。 2、首先，給EXP GDC主板安裝4個(gè)固定螺絲，安裝好后，在插接好外置顯卡后能夠更穩(wěn)定的放置。 3、四個(gè)螺絲支柱比較容易安裝，不用螺絲刀直接用手?jǐn)Q就行。 4、安裝好4個(gè)螺絲支柱的EXP GDC主板，可以看到上面清晰的寫著，小編手里這款設(shè)備是V2.5版本。來(lái)個(gè)細(xì)節(jié)看看做工，對(duì)于價(jià)格不高的一款產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，從電阻、電容的焊接，可以看到雖然沒(méi)法很一些大廠相媲美，但是也相當(dāng)不錯(cuò)了! 5、這個(gè)PCI-E插槽就是用來(lái)連接臺(tái)機(jī)顯卡的!主板上帶了兩個(gè)mini HDMI接口，也就這款設(shè)備雙路數(shù)據(jù)連接，筆者本次只測(cè)試了單獨(dú)連接Expresscard接口，有興趣的網(wǎng)友可以試試再加上mini PCI-E接口的雙路連接性能表現(xiàn)。 6、將電源的4pin接口連接到主板上，從上到下依次是，4Pin電源接口，雙路電源線，mini HDMI。 7、下面就可以把你的大家伙，外置顯卡插在EXP GDC的主板上啦!注意對(duì)齊，猛烈的插進(jìn)去就行。 8、連接完成，最后查看電源的功率。

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  • 筆記本電腦內(nèi)存條如何安裝？

    對(duì)于很多使用筆記本電腦的用戶來(lái)說(shuō)，除了電池續(xù)航問(wèn)題之外，估計(jì)就是電腦內(nèi)存不夠用。因此，有時(shí)我們會(huì)選擇增加一條內(nèi)存以提升電腦的速度，并且增大筆記本電腦內(nèi)存。 筆記本電腦加裝內(nèi)存條的操作方法： 1、首先卸下筆記本電池，這是為了避免電腦安裝內(nèi)存條會(huì)開機(jī)燒毀內(nèi)存槽; 2、然后逐一將后蓋上的螺絲拆除，打開后蓋就可以看到內(nèi)存條、風(fēng)扇等等硬盤; 3、找到內(nèi)存條旁邊的卡扣，摳開，使第一張內(nèi)存條“站立”起來(lái); 4、穩(wěn)穩(wěn)地將加裝的內(nèi)存條以45度角斜插入第一張內(nèi)存條的下方，注意：內(nèi)存條芯片一定要朝上; 5、安裝完內(nèi)存條后用雙手按緊兩邊卡扣; 6、將加裝內(nèi)存條往下壓，直到聽(tīng)到“啪”的一聲，然后第一張內(nèi)存條重復(fù)動(dòng)作; 7、依次將后蓋、螺絲、電池安裝上去，開機(jī)檢測(cè)是否安裝成功。

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  • PCI-E硬盤？PCI-E硬盤和SSD有何區(qū)別？

    隨著電腦的處理器性能不斷的優(yōu)化，已經(jīng)可以達(dá)到前所未有的高速處理速度。在系統(tǒng)啟動(dòng)或者處理數(shù)據(jù)時(shí)，大部分的延遲耽誤在了機(jī)械硬盤身上，完全泯滅了處理器的高性能，因而隨著機(jī)械硬盤的沒(méi)落，固態(tài)硬盤開始獨(dú)占鰲頭，在固態(tài)硬盤中是有PCI-E的固態(tài)硬盤。那么，PCI-E硬盤到底是什么呢?而PCI-E硬盤和SSD存在什么區(qū)別呢? PCI-E硬盤是什么? PcleSSD意思就是走PCIE接口協(xié)議的SSD，目前這個(gè)速度是最快的可以達(dá)到16G每秒。其次是M.2的NV協(xié)議再次是M.2的sata協(xié)議 最后才是sata協(xié)議的固態(tài)。 PCI-E硬盤和SSD存在什么區(qū)別? 一、傳輸速度不同： 1、SATA有三代，SATAⅠ速度為1.5Gb/s，SATAⅡ速度為3.0Gb/s，SATAⅢ速度為6.0Gb/s;這三代都互相兼容。 2、PCI-E硬盤也分為PCIE3.0和2.0，以及有x4和x2的區(qū)別(總線數(shù)為4和2)，PCIE 3.0 x4速度為32Gb/s，PCIE 3.0 x2速度為16Gb/s，PCIE 2.0 x4速度為20Gb/s，PCIE 2.0 x2速度為10Gb/s，也是向下兼容。 二、硬盤接口不同： PCI-E是SSD的一種接口類型，SSD的接口，分為SATA、PCIE、msata和m.2這四種常見(jiàn)的。 三、硬盤性能不同： 1、從傳輸效率上來(lái)講，板載的PCLe比SATA更適合于CPU、內(nèi)存數(shù)據(jù)進(jìn)行通訊與傳遞。 2、PCI-E接口的SSD通過(guò)PCI總線直接進(jìn)行存儲(chǔ)器訪問(wèn)，而非只是將閃存或DRAM內(nèi)存封裝成SCSI連接的硬盤驅(qū)動(dòng)器。 在計(jì)算機(jī)發(fā)展的進(jìn)60年中，從最初的打孔卡到今天的固態(tài)硬盤，存儲(chǔ)介質(zhì)發(fā)生了翻天覆地的變化。

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  • Vayyar：將3D圖像傳感器引入自動(dòng)駕駛汽車

    有沒(méi)有想過(guò)將一種傳感器安裝到汽車內(nèi)，在內(nèi)可提醒司機(jī)杜絕疲勞駕駛，增加駕駛員安全性，在外可遠(yuǎn)距離監(jiān)視生命體征，識(shí)別障礙物，在惡劣天氣提高駕駛安全性。 以色列3D影像傳感器公司Vayyar Imaging在汽車和自動(dòng)駕駛市場(chǎng)推出其屢獲殊榮的傳感器技術(shù)，該技術(shù)使人們可以透視材料，繪制3D對(duì)象和感測(cè)液體。3D傳感器可實(shí)現(xiàn)突破性的安全性提升，貨物管理的新效率并增強(qiáng)自動(dòng)駕駛和自動(dòng)駕駛汽車的安全性。 Vayyar的3D傳感器具有獨(dú)特的多功能性。單個(gè)傳感器可以提供以前需要將多種技術(shù)和傳感器結(jié)合使用的強(qiáng)大傳感功能。Vayyar的傳感器也是安全，低成本，可移動(dòng)的，并且可以在任何光照和環(huán)境條件下工作。它們不捕獲光學(xué)圖像，因此尊重隱私。 “汽車市場(chǎng)一直處于技術(shù)發(fā)展的最前沿，隨著我們朝著自動(dòng)導(dǎo)航的方向發(fā)展，我們的汽車需要不斷，準(zhǔn)確和新型的信息，以了解汽車內(nèi)外發(fā)生的一切?！币彩荲ayyar Imaging的聯(lián)合創(chuàng)始人?！拔覀兿嘈?，汽車行業(yè)的下一步發(fā)展將為汽車外部的障礙提供安全保護(hù)，并監(jiān)控汽車內(nèi)人員的健康和安全?！? 3D成像如何改變車載監(jiān)控和安全性 Vayyar的嵌入式3D傳感器可掃描汽車內(nèi)部，并實(shí)時(shí)顯示車輛中發(fā)生的一切。通過(guò)從遠(yuǎn)處監(jiān)視生命體征，傳感器可以提醒正在打瞌睡的駕駛員，或者如果嬰兒或?qū)櫸锪粼谲噧?nèi)，則向父母發(fā)送警報(bào)。事故后的3D傳感器可以識(shí)別車輛內(nèi)幸存者的狀態(tài)，并將信息轉(zhuǎn)發(fā)給應(yīng)急人員。在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域，Vayyar的傳感器創(chuàng)建3D圖像，使自動(dòng)駕駛汽車能夠識(shí)別車內(nèi)人員的數(shù)量，并在發(fā)生事故的情況下，根據(jù)座椅的座位位置和乘客的大小優(yōu)化安全氣囊以使其展開和膨脹。 車內(nèi)外360度全景 Vayyar的3D圖像傳感器可用于清除所有盲點(diǎn)，識(shí)別附近的障礙物，騎自行車的人，太近且自動(dòng)泊車的車輛，并提供垂直和水平方向的周界信息或大型或小型車輛。Vayyar的傳感器與諸如黑暗，過(guò)多的光線，高溫或霧氣等環(huán)境因素?zé)o關(guān)，從而可以提高安全性。 該公司專有的跟蹤和傳感技術(shù)提供了安全的人機(jī)交互工作環(huán)境，具有先進(jìn)的避碰功能和精確的測(cè)量功能，可確保更高的生產(chǎn)率以及人機(jī)之間的安全交互，例如機(jī)器人，叉車和小型自動(dòng)駕駛汽車。 貨運(yùn)管理優(yōu)化 Vayyar的3D傳感器還可以實(shí)現(xiàn)體積感測(cè)，并提高了貨物管理的效率。3D傳感器放置在運(yùn)輸車輛內(nèi)部時(shí)，可以繪制可用空間，集裝箱內(nèi)對(duì)象的分布圖，并在運(yùn)輸過(guò)程中通過(guò)實(shí)時(shí)檢測(cè)貨物的移動(dòng)來(lái)提供貨物完整性。Vayyar的傳感器為卡車，貨車，公共汽車和火車提供了另一層數(shù)字化功能，以優(yōu)化車隊(duì)和車輛水平的利用率。 根據(jù)Research and Markets的最新報(bào)告，全球3D傳感器市場(chǎng)有望在未來(lái)十年以17.4%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，到2025年將達(dá)到約120億美元。Vayyar處于市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的有利位置3D傳感器，并于2011年開始開發(fā)其強(qiáng)大的3D圖像傳感器技術(shù)，以幫助檢測(cè)乳腺癌。 此后，Vayyar將其3D傳感器產(chǎn)品擴(kuò)展到了汽車以外的其他市場(chǎng)，并將3D傳感器應(yīng)用到智能家居，智能建筑，農(nóng)業(yè)，機(jī)器人技術(shù)，AR和VR，個(gè)人健康，DIY和建筑等眾多行業(yè)領(lǐng)域。

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  • 碳納米管由實(shí)驗(yàn)室走向工業(yè)場(chǎng)景

    現(xiàn)代微處理器是世界上最復(fù)雜的系統(tǒng)之一，但其核心是一個(gè)非常簡(jiǎn)單而優(yōu)美的器件——晶體管。微處理器中有數(shù)十億個(gè)近乎完全相同的晶體管。因此，提高晶體管的性能和密度是促使微處理器及受其驅(qū)動(dòng)的計(jì)算機(jī)更高效工作的最直接的方法。 硅晶體管尺度的不斷縮小推進(jìn)著電子技術(shù)的進(jìn)步。當(dāng)摩爾定律走到止境，硅晶體管縮小變得越來(lái)越困難。以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管，作為先進(jìn)微電子器材中硅晶體管的替代品，與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)相似，它成為構(gòu)建下一代計(jì)算機(jī)的基本單元。當(dāng)然，盡管碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNFET)比硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管更節(jié)能，但它們現(xiàn)在仍大多存在于實(shí)驗(yàn)室傍邊。 現(xiàn)在，麻省理工學(xué)院Shulaker研討團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)對(duì)規(guī)范納米管堆積溶液工藝進(jìn)行優(yōu)化，將少數(shù)的納米管溶液堆積在晶圓上，明顯進(jìn)步了吞吐量，加快了堆積過(guò)程的速度超越1,100倍，一起降低了本錢。 這使他們可以在商業(yè)硅制作廠和大批量半導(dǎo)體代工中制作碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管。Max M. Shulaker是2013年第一臺(tái)碳納米管計(jì)算機(jī)研討成果第一作者;于2016年加入MIT擔(dān)任助理教授，繼續(xù)開展碳納米管相關(guān)的研討。 現(xiàn)在，將碳納米從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到工業(yè)場(chǎng)景面對(duì)的中心應(yīng)戰(zhàn)在于： 一切用于制作碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管的資料和工藝有必要滿足硅基商業(yè)制作設(shè)備的嚴(yán)格的兼容性要求，更深層次的應(yīng)戰(zhàn)還在于，如何在工業(yè)規(guī)范基板尺度(200mm直徑的晶圓及以上)上均勻地堆積碳納米。 要完成這種碳納米堆積技術(shù)有必要滿足三個(gè)條件： 一是在確保規(guī)?；霎a(chǎn)的一起，最大極限地降低本錢; 二是要可以利用現(xiàn)有設(shè)備，不引入制止的化學(xué)污染物或微粒; 三是要完成比同等尺度硅基更強(qiáng)的功能。 在實(shí)驗(yàn)室中構(gòu)建CFNET的最有效的辦法之一是納米管堆積辦法，即將晶圓浸泡在納米管液中，直到納米管粘在晶圓外表。 碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNFETs)的功能在很大程度上是由堆積工藝決定的，它影響著晶圓外表碳納米管的數(shù)量和方向。"它們 "要么以隨機(jī)的方向粘在晶圓上，要么全部排列在同一方向。 這種堆積辦法盡管對(duì)工業(yè)界來(lái)說(shuō)很實(shí)用，但底子無(wú)法使納米管對(duì)齊。經(jīng)過(guò)對(duì)堆積過(guò)程的仔細(xì)觀察，研討人員發(fā)現(xiàn)干式循環(huán)，一種間歇性地干燥浸泡晶圓的辦法，可以將堆積時(shí)間從48小時(shí)大幅縮短到150秒。 經(jīng)過(guò)ACE辦法培養(yǎng)進(jìn)步碳納米管堆積的辦法。 于是，他們提出了ACE(經(jīng)過(guò)蒸騰人工濃縮)，將少數(shù)的納米管溶液堆積在晶圓上，而不是將晶圓浸泡在槽中。溶液的緩慢蒸騰增加了碳納米管的濃度和堆積在晶圓上的納米管的總體密度。 現(xiàn)在，研討人員與商業(yè)硅制作廠Analog Devices和半導(dǎo)體代工廠SkyWater Technology合作，運(yùn)用改進(jìn)后的辦法制作出了CNFET。他們可以運(yùn)用這兩家工廠制作硅基晶圓所運(yùn)用的相同設(shè)備，一起也確保了納米管溶液符合這兩家工廠對(duì)化學(xué)和污染物的嚴(yán)格要求。 值得注意的是，該研討產(chǎn)出的并非傳統(tǒng)意義上的計(jì)算機(jī)芯片，僅是制作工藝的演示，并且晶體管的柵極長(zhǎng)度(即制程)為130nm，相當(dāng)于2001年代的芯片工藝。新工藝也只完成了45個(gè)納米管/微米，這仍然明顯低于之前研討人員預(yù)測(cè)的200個(gè)的最佳密度。 不過(guò)，研討人員還對(duì)納米管的密度與能效聯(lián)系進(jìn)行了剖析：即便在較低的密度下，節(jié)省的本錢也會(huì)很可觀。 即便納米管密度為25，也會(huì)帶來(lái)2.5倍的能效提升。盡管要將這一突破轉(zhuǎn)化為一個(gè)實(shí)用芯片技術(shù)還有很長(zhǎng)的路要走，但它是朝著高功能納米管計(jì)算的未來(lái)邁出的重要一步，可能成為摩爾定律之后下一個(gè)最為重要的「兵器」。 晶體管的密度隨著每一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的增加而增加，納米管設(shè)計(jì)是在不斷的延伸摩爾定律，相信這種晶體管的性能會(huì)有無(wú)限潛力。

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  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破三星壟斷，歷時(shí)4年成功突圍

    雖然我國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)度相對(duì)落后，時(shí)至今日仍有不少企業(yè)，因?yàn)闆](méi)有掌握核心技術(shù)而受制于人，但也有很多科技巨頭成功打破了海外國(guó)家的壟斷。例如京東方，不僅沖破了西方對(duì)中國(guó)的技術(shù)封鎖，而且一躍成為全球LCD面板領(lǐng)域的霸主，更在OLED領(lǐng)域直追三星。除京東方之外，還有一家國(guó)產(chǎn)芯片巨頭成功打破三星的壟斷，這位巨頭正是長(zhǎng)江存儲(chǔ)。 近幾年，國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商逐漸在全球市場(chǎng)建立起極高知名度。在設(shè)計(jì)以及部分技術(shù)方面，國(guó)產(chǎn)手機(jī)廠商甚至已達(dá)到領(lǐng)先世界的水準(zhǔn)，但一些手機(jī)組成的關(guān)鍵重要部件，還是仍需進(jìn)口，內(nèi)存便是其中之一。三星手機(jī)雖然在國(guó)內(nèi)銷量不佳，但憑借著內(nèi)存業(yè)務(wù)，硬是將中國(guó)變成海外第一大市場(chǎng)。 國(guó)內(nèi)雖然也有生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商，但由產(chǎn)品落后，因此基本沒(méi)有商家選用。大多數(shù)品牌手機(jī)或是電腦，使用的內(nèi)存都是三星、海力士等海外品牌產(chǎn)品。據(jù)統(tǒng)計(jì)2019年，中國(guó)單單是進(jìn)口的內(nèi)存產(chǎn)品金額就超過(guò)1000億美元，內(nèi)需市場(chǎng)之龐大可見(jiàn)一斑。 其實(shí)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商也并非是沒(méi)有在該領(lǐng)域取得任何成績(jī)，隨著市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，許多廠商都加大對(duì)該類產(chǎn)品研發(fā)投入力度。當(dāng)然，也有一些企業(yè)在部分技術(shù)方面突圍成功，長(zhǎng)江存儲(chǔ)便是其中代表。 據(jù)公開資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年，成立之初曾計(jì)劃投資1600億發(fā)展國(guó)產(chǎn)內(nèi)存。如今四年時(shí)間過(guò)去，長(zhǎng)江存儲(chǔ)雖然沒(méi)能取代三星、海力士等品牌在市場(chǎng)上的地位，但在技術(shù)層面上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)獲得與三星這類頂級(jí)內(nèi)存廠商叫板的實(shí)力。 不久之前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出128層QLC3D閃存，而128層堆疊技術(shù)是目前閃存芯片的技術(shù)巔峰。值得一提的是，國(guó)內(nèi)首個(gè)32層堆棧閃存、64層堆棧閃存都是長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)?？梢?jiàn)，該公司在國(guó)內(nèi)芯片市場(chǎng)中的地位。 長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)128層堆疊技術(shù)，更重要的意義在于，打破美韓企業(yè)在該領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，中國(guó)有望從內(nèi)存進(jìn)口大國(guó)向內(nèi)存出口大國(guó)轉(zhuǎn)型。根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布的相關(guān)刷數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)到今年年底，中國(guó)的NAND產(chǎn)能可以占到全球產(chǎn)能的8%，而在2021年，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)擴(kuò)容，產(chǎn)能占比有望達(dá)到25%。 雖然距離自給自足還需要一段時(shí)間，但也要明白，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從無(wú)到有再到取得如今成績(jī)，用時(shí)也不過(guò)四年。這家芯片巨頭還非常年輕，未來(lái)有足夠的時(shí)間用產(chǎn)品證明自己。 屆時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不僅能夠帶領(lǐng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)打破海外國(guó)家的壟斷，而且還能夠一躍成為世界第三。

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  • 2C1A氮化鎵充電器滿足你的充電需求

    還在煩惱桌面上滿是充電器，插線板不夠用嗎?試試摩米士65W 2C1A氮化鎵充電器，改變你的生活，使桌面更加整潔。 右上角的3C認(rèn)證和500萬(wàn)責(zé)任險(xiǎn)，其他就是全英文了。概括一下就是高功率65W、三個(gè)充電接口、氮化鎵、相比于原裝充電器帶來(lái)4倍快充，支持華為SuperCharge，QC3.0，PD3.0。 側(cè)面：有一個(gè)充電接口詳圖，接著就是USB A和USB C接口介紹，其中USB A接口支持Apple2.4A快充。 單口：USB-C1和USB-C2輸出功率完全相同，最高支持20V-3.25A 65W最大功率，還支持3.3-21V/3A的PPS電壓檔位。最重要的是這兩個(gè)接口可以盲插。但是在雙口同時(shí)使用時(shí)USB C1與C2還是有區(qū)別的，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)C1比C2更全能。 翻頁(yè)式包裝，右側(cè)邊緣有磁鐵吸附。打開就能看到充電頭主體，被透明吸塑盒完整包裹。但翻開包裝是取不出來(lái)的，必須從底部或者上方打開取出。結(jié)合上方的掛鉤，這樣的設(shè)計(jì)更適合實(shí)體店展示。 包裝內(nèi)并未附送電源線，除了充電頭，只有說(shuō)明書和摩米士品牌介紹。充電頭被一層磨砂CPE膜包裹，并在插腳處做了缺口，正常使用可以不用取下，潔癖福音。 充電協(xié)議測(cè)試 USB A口支持APPLE 2.4A快充協(xié)議，亮點(diǎn)是華為的SCP和FCP，其中SCP最高22.5W。實(shí)測(cè)華為mate30Pro，可以開啟超級(jí)快充。 兩個(gè)USB C接口協(xié)議與檔位完全相同，這也是敢說(shuō)雙口盲插的底氣。其中華為SCP最高功率升至25W。 支持QC3.0 PD3.0和 3.3-21V/3A的PPS，PPS規(guī)范將電壓調(diào)幅度降低到為20mV一檔，電壓調(diào)節(jié)更為精準(zhǔn)。 iPhone Xs成功開啟PD快充，充電功率17.5W，為MacBook Pro充電，功率61.4W，達(dá)到MacBook Pro 最大充電功率，同時(shí)為iPhone XS和MacBook Pro充電，筆記本供電功率最大44W。 由于采用了氮化鎵技術(shù)，體積與重量控制的都很好.29×43×66mm的長(zhǎng)方體，重量實(shí)測(cè)107.8g。 大弧面收邊，接縫均勻，沒(méi)有毛刺。大面積采用磨砂抗指紋處理，同時(shí)也不易留下劃痕?？烧郫B插腳進(jìn)一步減小空間占用，插腳的折疊手感柔和，質(zhì)感很好。 PD快充協(xié)議，涵蓋了QC、AFC、FCP、SCP等多種協(xié)議，且功率較大。目前越來(lái)越普及，一個(gè)統(tǒng)一的協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)將為多設(shè)備用戶帶來(lái)更便捷的體驗(yàn)。65W的2C1A充電器，提供了兩個(gè)可以盲插的C口，還保留了傳統(tǒng)的USB A接口。 氮化鎵充電器功率更高，耐高溫，抗輻射、耐酸堿，相比其他充電器體積更小，適合桌面以及旅行的攜帶充電神器。

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  • 北斗芯片的未來(lái)將會(huì)有哪些“芯”的計(jì)劃和發(fā)展?

    北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)(BDS)是中國(guó)著眼于國(guó)家安全和經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展需要，自主建設(shè)、獨(dú)立運(yùn)行的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)，是為全球用戶提供全天候、全天時(shí)、高精度的定位、導(dǎo)航和授時(shí)服務(wù)的國(guó)家重要空間基礎(chǔ)設(shè)施。而北斗芯片包含了RF射頻芯片，基帶芯片及微處理器的芯片組，相關(guān)設(shè)備通過(guò)北斗芯片，可以接受由北斗衛(wèi)星發(fā)射的信號(hào)，從而完成定位導(dǎo)航的功能。隨著國(guó)產(chǎn)北斗芯片取得種種突破性進(jìn)展，北斗應(yīng)用也正在諸多領(lǐng)域邁向“標(biāo)配化”發(fā)展的新階段。那么在未來(lái)，北斗芯片的未來(lái)將會(huì)有哪些“芯”的計(jì)劃和發(fā)展? 一、北斗芯片性能再上新臺(tái)階 目前，國(guó)產(chǎn)北斗芯片在衛(wèi)星導(dǎo)航、位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)等方面都得到了廣泛的運(yùn)用，同時(shí)，在技術(shù)研發(fā)方面也有了很大突破。賽迪顧問(wèn)智能裝備產(chǎn)業(yè)研究中心楊雪瑩認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)北斗芯片、模塊等關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展迅速，性能指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。目前，支持北斗三號(hào)新信號(hào)的28納米工藝射頻基帶一體化SoC芯片，已在物聯(lián)網(wǎng)和消費(fèi)電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用;最新22納米工藝雙頻定位芯片已具備市場(chǎng)化應(yīng)用條件。 在全頻一體化高精度芯片研發(fā)的同時(shí)，全球首顆全面支持北斗三號(hào)民用導(dǎo)航信號(hào)體制的高精度基帶芯片“天琴二代”在北京正式發(fā)布，這代表著國(guó)產(chǎn)北斗芯片的性能將再上一個(gè)臺(tái)階，且性能指標(biāo)與國(guó)際同類產(chǎn)品相當(dāng)。據(jù)《2020中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航與位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》顯示，截至2019年底，國(guó)產(chǎn)北斗導(dǎo)航芯片模塊累計(jì)銷量已突破8000萬(wàn)片，高精度板卡和天線銷量已占據(jù)國(guó)內(nèi)30%和90%的市場(chǎng)份額，并輸出到100余個(gè)國(guó)家和地區(qū)。 中國(guó)衛(wèi)星導(dǎo)航定位協(xié)會(huì)秘書長(zhǎng)張全德也認(rèn)為，目前國(guó)內(nèi)以北斗為核心的導(dǎo)航與位置服務(wù)技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)活躍，國(guó)產(chǎn)芯片、模塊等關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)一步取得全面突破，性能指標(biāo)與國(guó)際同類產(chǎn)品相當(dāng)，并已形成一定價(jià)格優(yōu)勢(shì)。此外，國(guó)產(chǎn)基礎(chǔ)產(chǎn)品在工藝和性能方面也進(jìn)一步向國(guó)外先進(jìn)技術(shù)水平看齊。 二、攻克技術(shù)與研發(fā)難關(guān)，迎來(lái)“芯”發(fā)展 盡管國(guó)產(chǎn)北斗芯片如今在各個(gè)領(lǐng)域已經(jīng)取得了很大成就，但是在技術(shù)與研發(fā)方面依然存在著一些問(wèn)題和挑戰(zhàn)。在技術(shù)方面，張全德認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)北斗芯片目前在功能集成融合方面技術(shù)積累較為薄弱，挑戰(zhàn)較大。然而，目前的北斗應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展已經(jīng)全面進(jìn)入技術(shù)融合、應(yīng)用融合、產(chǎn)業(yè)融合的新階段。因此，北斗芯片如何更好地融合于移動(dòng)通信芯片，融合于物聯(lián)網(wǎng)芯片，這對(duì)于北斗產(chǎn)業(yè)的發(fā)展來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。 在北斗芯片研發(fā)方面，深圳華大北斗科技有限公司北京分公司總經(jīng)理葛晨認(rèn)為，與北斗系統(tǒng)空間段高速發(fā)展的節(jié)奏相比，北斗芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展滯后，是目前北斗應(yīng)用的短板和痛點(diǎn)之一。目前北斗芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)小而散，發(fā)展基礎(chǔ)多以民間資本為主，無(wú)法形成大規(guī)模、高水平、大跨度的提升和進(jìn)步。這種局面嚴(yán)重制約了產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的發(fā)展。 三、功能集成化成必然趨勢(shì) 在未來(lái)，北斗芯片應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)越來(lái)越廣泛，對(duì)于技術(shù)的要求也會(huì)越來(lái)越高。同時(shí)，面對(duì)各種問(wèn)題和挑戰(zhàn)，北斗“芯”技術(shù)將會(huì)有怎樣的發(fā)展目標(biāo)?對(duì)此，楊雪瑩認(rèn)為，一方面要進(jìn)一步加強(qiáng)基礎(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)應(yīng)用，開發(fā)北斗兼容GPS、格洛納斯、伽利略等其他衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的芯片、模塊、天線等基礎(chǔ)產(chǎn)品，發(fā)展壯大自主的北斗產(chǎn)業(yè)鏈。另一方面要繼續(xù)開發(fā)并完善北斗的高密度導(dǎo)航芯片等技術(shù)和產(chǎn)品，突破我國(guó)北斗導(dǎo)航芯片研發(fā)短板，同時(shí)加強(qiáng)產(chǎn)品和應(yīng)用模式創(chuàng)新，提升產(chǎn)品性能、功耗、成本等核心競(jìng)爭(zhēng)力。 此外，葛晨向中國(guó)電子報(bào)記者表示，提升芯片集成度將是未來(lái)北斗芯片發(fā)展的重點(diǎn)技術(shù)攻關(guān)方向：“目前導(dǎo)航定位芯片較為成熟且性價(jià)比較好的工藝是40nm CMOS工藝，可以為導(dǎo)航定位芯片帶來(lái)低功耗、低成本、低風(fēng)險(xiǎn)等諸多優(yōu)勢(shì)，未來(lái)將向更先進(jìn)的工藝演進(jìn)和升級(jí)。SoC芯片在單一芯片上集成微處理器、模擬IP核、數(shù)字IP核和存儲(chǔ)器、外圍接口等，具備集成度高、功能強(qiáng)、功耗低、尺寸小等優(yōu)點(diǎn)，可以有效地降低電子/信息系統(tǒng)產(chǎn)品的開發(fā)成本，縮短開發(fā)周期，提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，這也是北斗芯片技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)?！? 同時(shí)，張全德也提到，隨著北斗“融技術(shù)、融網(wǎng)絡(luò)、融終端、融數(shù)據(jù)”的全面發(fā)展，也必將形成一個(gè)個(gè)“北斗+”創(chuàng)新和“+北斗”應(yīng)用的新生業(yè)態(tài)，成為國(guó)家綜合時(shí)空體系建設(shè)發(fā)展全新布局的核心基礎(chǔ)和動(dòng)力源。所以北斗芯片未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)將是通過(guò)功能集成來(lái)達(dá)到性能優(yōu)化，同時(shí)融合通信、物聯(lián)網(wǎng)和各種傳感器，成為推動(dòng)智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的助推器。 中國(guó)始終秉持和踐行“中國(guó)的北斗，世界的北斗”的發(fā)展理念，服務(wù)“一帶一路”建設(shè)發(fā)展，積極推進(jìn)北斗系統(tǒng)國(guó)際合作。與其他衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)攜手，與各個(gè)國(guó)家、地區(qū)和國(guó)際組織一起，共同推動(dòng)全球衛(wèi)星導(dǎo)航事業(yè)發(fā)展，讓北斗系統(tǒng)更好地服務(wù)全球、造福人類。

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  • 數(shù)字芯片設(shè)計(jì)流程

    SOC是模擬IP和數(shù)字IP的系統(tǒng)的總集成。數(shù)字芯片設(shè)計(jì)流程是每個(gè)芯片從業(yè)者的第一課，無(wú)論是做前端，后端，還是驗(yàn)證，都需要對(duì)芯片的整個(gè)設(shè)計(jì)流程有個(gè)基本的了解。那數(shù)字芯片的設(shè)計(jì)流程是怎么樣的呢? 通常，定義一個(gè)SOC，需要確定前期的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求。確定好了大的功能之后，然后開始分解。分解軟件和硬件的接口，然后硬件再分成很多個(gè)小的子模塊。 硬件設(shè)計(jì)需要考慮具體的物理實(shí)現(xiàn)。包括制造工藝、面積和封裝，這些涉及到成本。再就是速度和功耗，這個(gè)是性能方面的考慮。再就是硬件模塊之間的接口定義了。 通常，硬件模塊設(shè)計(jì)是按照TOP-Down的設(shè)計(jì)思路去做的。這樣，可以做到從上到下，層次清晰直接。 確定好了這些之后，就要去實(shí)現(xiàn)了。通常我們用Verilog語(yǔ)言去實(shí)現(xiàn)。Verilog關(guān)鍵字以及一個(gè)實(shí)例如下所示。 當(dāng)然，除了下面的關(guān)鍵字之外，數(shù)字二進(jìn)制，狀態(tài)機(jī)，組合邏輯和時(shí)序邏輯等概念，也是需要好好掌握的。 IP設(shè)計(jì)完再集成，再驗(yàn)證，然后就會(huì)按照前端和后端的流程進(jìn)入到布局布線的環(huán)節(jié)。直到timing收斂，進(jìn)入到Tape-Out環(huán)節(jié)。

    半導(dǎo)體 SoC 數(shù)字芯片

  • 適配器芯片的四種保護(hù)特性

    適配器作為一個(gè)接口轉(zhuǎn)換器，可以是一個(gè)獨(dú)立的硬件接口設(shè)備，允許硬件或電子接口與其它硬件或電子接口相連，也可以作為信息接口。為了滿足各個(gè)國(guó)家或國(guó)際的電源適配器安全標(biāo)準(zhǔn)、電磁兼容性和電源適配器瞬變等要求，需要標(biāo)準(zhǔn)化的技術(shù)對(duì)適配器芯片進(jìn)行研究以及設(shè)計(jì)。下面為大家介紹電源適配器芯片的幾種保護(hù)特性。 一、過(guò)壓保護(hù)(OVP)：在環(huán)路被破壞的情況下，如光耦合器損壞或TL431分壓網(wǎng)絡(luò)受到影響，電源適配器必須立即停止工作，并在用戶重新啟動(dòng)適配器前保持在此狀態(tài)。 二、短路保護(hù)(SCP)：必須能夠承受輸出持續(xù)短路而不會(huì)損壞。當(dāng)故障消失時(shí)，適配器必須能夠從保護(hù)模式下恢復(fù)，并重新提供額定功率。 三、過(guò)溫保護(hù)(OTP)：如果電源適配器的溫度超過(guò)某個(gè)溫度值，適配器就存在損壞的風(fēng)險(xiǎn)。為了避免出現(xiàn)這種情況，就需要使用熱傳感器來(lái)持續(xù)監(jiān)測(cè)溫度，并在溫度超過(guò)設(shè)計(jì)人員設(shè)定的限制值的情況下，適配器就持續(xù)關(guān)閉。當(dāng)用戶重新啟動(dòng)電源且溫度下降時(shí)，電源適配器復(fù)位。 四、過(guò)功率保護(hù)(OPP)：對(duì)某些電源而言，重要的是在最壞條件下——如負(fù)載消耗的電流過(guò)大，最大輸出電流保持在受控狀態(tài)，而不會(huì)實(shí)際出現(xiàn)短路。 電源適配器芯片PN8370超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器，用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源，其功能： 1、PN8370集成超低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。 2、內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。 3、在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負(fù)載調(diào)整率。 4、在恒流模式，輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的RCS電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。 5、片提供了全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等。 此外，電源適配器上有一個(gè)銘牌，上面標(biāo)示著功率，輸入輸出電壓和電流量等指標(biāo)，特別要注意輸入電壓的范圍，這就是所謂的“旅行電源適配器”。

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  • 普通充電器與PD快充之間的區(qū)別

    快充就是快速充電，在快充技術(shù)漸漸成為充電標(biāo)配之后，市面上的快充充電器芯片漸漸成為充電的主流，大家都知道快充一般情況下都能比普通的充電器快很多很多，二者之間，除速度效率不同之外，你知道二者在性能上還有什么不同之處嗎? 一、普通的5V2A充電器芯片PN8370，一般采用恒流恒壓方式充電，且在電池充滿后自動(dòng)轉(zhuǎn)為涓流充電狀態(tài)。它的優(yōu)點(diǎn)是電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，價(jià)格也較低。 普通的5V2A充電器芯片PN8370的功能特點(diǎn)： 1.外圍元件少，比較簡(jiǎn)單，內(nèi)部集成了650V高雪崩能力的智能功率MOSFET。 2.采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。 3.在恒流模式，輸出電流和功率可通過(guò)CS腳的RCS電阻進(jìn)行調(diào)節(jié)。 4.采用PN8370可以工作無(wú)異音，同時(shí)保證優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能。 5.提供了全面的智能保護(hù)功能，包含逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、輸出短路保護(hù)和CS開/短路保護(hù)等，以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 二、目前的快充充電器主要有兩種，一種是高壓小電流，一種是低壓大電流。PD充電器芯片PN8161可以控制充電過(guò)程，實(shí)時(shí)監(jiān)控電池電量，一旦充滿就自動(dòng)停止充電，使整個(gè)充電過(guò)程變得安全、高效。 18W PD充電器芯片PN8161的功能特點(diǎn)： 1.PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本等特點(diǎn)。 2.通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功 耗、全電壓范圍下的最佳效率。 3.頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。 4.提供了全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、周期式過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。 如今，更多人都在追求效率與速度，但是無(wú)論選擇何種充電器，一定要適合自己的后記?？斐涑潆娖鲗?duì)支持閃充功能的手機(jī)和電池是沒(méi)有影響的，但是不支持的話，則對(duì)電池和手機(jī)容易造成不良影響，因?yàn)榭斐鋾r(shí)充電電流較大。

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  • 海思推出MR芯片，支持8K分辨率

    混合現(xiàn)實(shí)(Mix reality，簡(jiǎn)稱MR)，既包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)和增強(qiáng)虛擬，指的是合并現(xiàn)實(shí)和虛擬世界而產(chǎn)生的新的可視化環(huán)境。它是虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，該技術(shù)通過(guò)在虛擬環(huán)境中引入現(xiàn)實(shí)場(chǎng)景信息，在虛擬世界、現(xiàn)實(shí)世界和用戶之間搭起一個(gè)交互反饋的信息回路，以增強(qiáng)用戶體驗(yàn)的真實(shí)感。 海思半導(dǎo)體宣布推出旗下混合現(xiàn)實(shí)芯片 Hi3781V900，主要針對(duì)混合現(xiàn)實(shí)裝置打造需求設(shè)計(jì)，支持 8K 分辨率，同時(shí)整合 GPU 與 NPU 方案，希望能夠呈現(xiàn)穩(wěn)定、清晰的虛擬視覺(jué)效果。 除了可支持高達(dá) 8K 的分辨率之外，海思這款混合現(xiàn)實(shí)芯片更搭載麒麟系列處理器同款 NPU 設(shè)計(jì)，可以實(shí)現(xiàn)高達(dá) 9TOPS 的 AI 運(yùn)算能力，可用于增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)中的影像識(shí)別需求，并且對(duì)應(yīng)更快數(shù)據(jù)分析反應(yīng)效果，讓 AR 實(shí)際體驗(yàn)更加流暢。 同時(shí)，這款混合現(xiàn)實(shí)芯片將與中國(guó) AR 新創(chuàng)團(tuán)隊(duì) Rokid 合作，并且應(yīng)用在旗下 AR 眼鏡產(chǎn)品 Rokid Vision 中。對(duì)應(yīng)雙眼可達(dá) 40° 以上的視角范圍，以及 1080P 的 3D 顯示效果。此外，該芯片平臺(tái)加入海思專有架構(gòu)NPU，可以提供最高9TOPS的NPU算力。搭載這一芯片的首款A(yù)R眼鏡RokidVision將應(yīng)用于安防、工業(yè)、教育、零售、會(huì)展等多個(gè)領(lǐng)域，提供更強(qiáng)大、便攜、沉浸的體驗(yàn)。 而未來(lái)，AR與MR將會(huì)提供更多全新互動(dòng)模式。

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