一、晶體管工作的條件1.集電極電阻Rc:在共發(fā)射極電壓放大器中,為了取出晶體管輸出端的被放大信號電壓Use(動態(tài)信號),需要在集電極串接一只電阻Rc。這樣一來,當集電極電流
一、推挽輸出:可以輸出高、低電平,連接數(shù)字器件;推挽結構一般是指兩個三極管分別受兩個互補信號的控制,總是在一個三極管導通的時候另一個截止。高低電平由IC的電源決定。
可控硅(晶閘管)原理圖可控硅T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成可控硅的主電路,可控硅的門極G和陰極K與控制可控硅的裝置連接,組成可控硅的控制電路。
如圖所示為三極管電路圖,以NPN為例,Ib:指代基極B流到發(fā)射極E的電流。Ic:指代集電極C流到發(fā)射極E的電流?;颈憩F(xiàn)原理:放大:集電極流出的電流會受到基極電流的控制,基極電流很小的變化就會引起集電極電流很大的
以NPN型硅三極管為例,我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流Ic。這兩個電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就
放大電路的核心元件是三極管,所以要對三極管要有一定的了解。用三極管構成的放大電路的種類較多,我們用常用的幾種來解說一下(如圖1)。圖1是一共射的基本放大電路,一般我們
本文介紹了三極管飽和及深度飽和狀態(tài)的理解和判斷。三極管飽和問題總結:1.在實際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使
開關器件在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關功能,此時三極管可作為開關器件來使用。作為開關器件使用時需使用開關三極管如9014和9015等小功率器件,此時三極
一般我們在做電路設計時候,三極管開關電路和MOS管開關電路有著以下四種區(qū)別:首先是三極管是用電流控制,MOS管屬于電壓控制;然后就是成本問題,三極管便宜,MOS管貴;其次
MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時,MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET用飽和Vds呢?三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)
三極管除了可以當做交流信號放大器之外,也可以做為開關之用。嚴格說起來,三極管與一般的機械接點式開關在動作上并不完全相同,但是它卻具有一些機械式開關所沒有的特點。
放大電路的核心元件是三極管,所以要對三極管要有一定的了解。用三極管構成的放大電路的種類較多,我們用常用的幾種來解說一下(如圖1)。圖1是一共射的基本放大電路,一般我
遙控電門鎖由三部分組成。遙控器電路,接收電控電路。電控鎖部分由鎖身和鎖頭組成。鎖身電磁線圈接入直流12V,由繼電器控制其通斷。 電路原理如下:遙控器由主人隨身攜帶,
光耦在電路中的作用主要是對光能與電能進行隔離,在方便設計的同時避免干擾的產(chǎn)生。通常來說,光耦分為三大類,每一大類擁有不同的測量與在線檢測方式。本文就將針對其中的
1、什么是三極管的倒置狀態(tài)? 集電結正偏,發(fā)射結反偏,為倒置狀態(tài);集電結正偏,發(fā)射結正偏,為飽和狀態(tài);集電結反偏,發(fā)射結反偏,為倒截止態(tài);集電結反偏,發(fā)射結正偏,為放大狀態(tài); 2、對三極管倒置狀態(tài)的分析
在嵌入式電路中經(jīng)常使用IO口來控制某些電路的開關功能,此時三極管可作為開關器件來使用。作為開關器件使用時需使用開關三極管如9014和9015等小功率器件,此時三極管處于飽
三極管的管型及管腳的判別是電子技術初學者的一項基本功,為了幫助讀者迅速掌握測判方法,筆者總結出四句口訣:“三顛倒,找基極;PN結,定管型;順箭頭,偏轉大;測不準
集電極開路輸出的結構如圖1所示,右邊的那個三極管集電極什么都不接,所以叫做集電極開路;左邊的三極管為反相之用,使輸入為“0”時,輸出也為“0”。
本文從最基本、最常用的電子元器件和基本電路的著手,介紹電路設計時應該注意的一些問題, 以提高所設計電路的可靠性和抗干擾能力。一、基本元件1,電阻。1)基本概念我們都知
EL(Electroluminescence)發(fā)光屏是一種電致發(fā)光材料發(fā)光屏。在結構上,電致發(fā)光材料夾在兩個電極之間。它的上電極是一種透明的導電膜,稱為ITO膜(Indium Tin Oxide film),用