英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度

【2025年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車(chē)充電機(jī)、光伏逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和固態(tài)斷路器等。