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以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
來(lái)自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來(lái)填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來(lái)得更好。TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系
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植入式心臟起搏器發(fā)明者，27日與世長(zhǎng)辭
說(shuō)起心臟起搏器，很多患者都慶幸它的出現(xiàn)，挽救了他們的生命，尤其是植入式心臟起搏器，帶來(lái)了醫(yī)學(xué)界的奇跡，生命的奇跡。植入式心臟起搏器的發(fā)明者卻可能并不被人熟知，美國(guó)人威爾森?格雷特巴奇就是發(fā)明者之一。而這
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電磁兼容設(shè)計(jì)原理及測(cè)試方法
摘要：針對(duì)當(dāng)前嚴(yán)峻的電磁環(huán)境，分析了電磁干擾的來(lái)源，通過(guò)產(chǎn)品開發(fā)流程的分解，融入電磁兼容設(shè)計(jì)，從原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、元器件選型、系統(tǒng)布線、系統(tǒng)接地等方面逐步分析，總結(jié)概括電磁兼容設(shè)計(jì)要點(diǎn)，最后，介紹了
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電磁兼容設(shè)計(jì)原理及測(cè)試方法
摘要：針對(duì)當(dāng)前嚴(yán)峻的電磁環(huán)境，分析了電磁干擾的來(lái)源，通過(guò)產(chǎn)品開發(fā)流程的分解，融入電磁兼容設(shè)計(jì)，從原理圖設(shè)計(jì)、PCB設(shè)計(jì)、元器件選型、系統(tǒng)布線、系統(tǒng)接地等方面逐步分析，總結(jié)概括電磁兼容設(shè)計(jì)要點(diǎn)，最后，介紹了
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艾默生推250W密封式電源24V新型號(hào)
21ic訊 艾默生網(wǎng)絡(luò)能源公司（Emerson Network Power）是艾默生集團(tuán)的其中一個(gè)業(yè)務(wù)部門，這家在關(guān)鍵業(yè)務(wù)全保障（Business-Critical Continuity）技術(shù)方面一直領(lǐng)先全球業(yè)者的公司在上海舉行的中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽
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大功率開關(guān)電源散熱設(shè)計(jì)原理
1、散熱的原因 電子產(chǎn)品的芯片的高度集成，功能要求越來(lái)越多，體積要求越來(lái)越小。今天的元器件得以快速地向小型化.高功能.與高效率發(fā)展.高性能的元器件在高速度運(yùn)行下會(huì)產(chǎn)生大量的熱,這些熱量必須立即去除以保證元
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安裝心臟起搏器的人群、類型及相關(guān)禁忌
心臟起搏器以電池為動(dòng)力，不僅可以產(chǎn)生連續(xù)穩(wěn)定的電脈沖，而且能分析心臟自身電活動(dòng)，調(diào)整脈沖的發(fā)放使心臟產(chǎn)生有效收縮，從而提高心率。凡是嚴(yán)重的心動(dòng)過(guò)緩伴有相關(guān)癥狀的病人，特別是有腦供血不足癥狀如頭暈、黑矇
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工程師不可忽視的LED光源殺手－硅氧烷
隨著LED照明應(yīng)用越來(lái)越多，一些想象不到的問(wèn)題也在應(yīng)用中浮現(xiàn)出來(lái)。有制造商反映，遇到LED燈在安裝后出現(xiàn)光源衰退的現(xiàn)象，在排除LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、芯片及燈罩的可能性之后，還很難查出原因？最近的研究表明：LED在使用導(dǎo)
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開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI預(yù)測(cè)探討
針對(duì)開關(guān)電源設(shè)計(jì)階段應(yīng)考慮的EMC問(wèn)題，介紹了PCB及其結(jié)構(gòu)寄生參數(shù)提取和頻域仿真的方法，在開關(guān)電源設(shè)計(jì)階段對(duì)其傳導(dǎo)EMI進(jìn)行預(yù)測(cè)，定位開關(guān)電源傳導(dǎo)EMI傳播路徑的影響因素，在此基礎(chǔ)上給出開關(guān)電源PCB及其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的
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GSM手機(jī)合格率不到7成 多數(shù)由不知名廠商出產(chǎn)
飛象網(wǎng)訊（吉利/文）9月1日消息，近日，國(guó)家質(zhì)檢總局公布了手機(jī)產(chǎn)品質(zhì)量抽查結(jié)果，被抽查的136款GSM手機(jī)中43款不符合標(biāo)準(zhǔn)，合格率為68.4%，其中不合格產(chǎn)品絕大多數(shù)都是由不知名廠商所生產(chǎn)。據(jù)悉，此次抽查共涉及北京
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質(zhì)檢總局GSM手機(jī)大抽查 136款合格率不到七成
新浪科技訊 9月1日消息，根據(jù)國(guó)家質(zhì)檢總局日前公布的手機(jī)產(chǎn)品質(zhì)量國(guó)家監(jiān)督抽查結(jié)果，被抽查的136款GSM產(chǎn)品合格率為68.4%，還不到七成，其中不合格產(chǎn)品絕大多數(shù)都是不知名廠商出產(chǎn)。 據(jù)悉，本次共抽查了北京、天
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植入式人工心臟起搏器的應(yīng)用及原理
1.引言 正常情況下，人體心臟右心房的竇房結(jié)能自動(dòng)地、有節(jié)律地發(fā)出電脈沖，通過(guò)心肌神經(jīng)傳導(dǎo)系統(tǒng)向心臟各部位發(fā)出指令，使心肌收縮，心臟跳動(dòng)，向全身泵送血液。若心肌神經(jīng)傳導(dǎo)系統(tǒng)發(fā)生障礙或者竇房結(jié)、房竇結(jié)不
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永磁無(wú)刷直流電機(jī)控制器的散熱設(shè)計(jì)
摘要：介紹一種煤礦隔爆型永磁無(wú)刷直流電機(jī)IGBT控制器的散熱設(shè)計(jì)，通過(guò)IGBT在工作電流下發(fā)熱計(jì)算確定了散熱功率，采用FloTHERM有限元熱仿真分析出自然冷卻的散熱效果，確定散熱的基本方案，最后用實(shí)際產(chǎn)品的運(yùn)行試驗(yàn)
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永磁無(wú)刷直流電機(jī)控制器的散熱設(shè)計(jì)
摘要：介紹一種煤礦隔爆型永磁無(wú)刷直流電機(jī)IGBT控制器的散熱設(shè)計(jì)，通過(guò)IGBT在工作電流下發(fā)熱計(jì)算確定了散熱功率，采用FloTHERM有限元熱仿真分析出自然冷卻的散熱效果，確定散熱的基本方案，最后用實(shí)際產(chǎn)品的運(yùn)行試驗(yàn)
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銅柱凸塊
李洵穎 銅柱凸塊(Copper Pillar Bump；CPB)技術(shù)，是在覆晶封裝晶片的表面制作焊接凸塊，使其具備導(dǎo)電、導(dǎo)熱和抗電子遷移能力的功能。這種技術(shù)利用銅柱為傳導(dǎo)主軸，而不是像以前用錫球?yàn)閭鲗?dǎo)的主軸，以增加訊號(hào)傳遞能
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美研發(fā)新技術(shù)能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)單個(gè)細(xì)胞間相互作用
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月18日（北京時(shí)間）報(bào)道，美國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了一種新技術(shù)，將納米傳感器“貼”在細(xì)胞膜表面，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)細(xì)胞間的相互作用，清晰度遠(yuǎn)超以往。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)能讓科學(xué)家進(jìn)一步理解復(fù)雜的細(xì)
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新技術(shù)能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)單個(gè)細(xì)胞間相互作用
據(jù)美國(guó)媒體報(bào)道，美國(guó)科學(xué)家研發(fā)出了一種新技術(shù)，將納米傳感器“貼”在細(xì)胞膜表面，可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)細(xì)胞間的相互作用，清晰度遠(yuǎn)超以往。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)能讓科學(xué)家進(jìn)一步理解復(fù)雜的細(xì)胞生物學(xué)、監(jiān)測(cè)移植細(xì)胞的生長(zhǎng)情況以及為
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變頻空調(diào)成本上升醞釀?wù){(diào)價(jià)：稀土概念或被利用
昨日，多家空調(diào)企業(yè)向本報(bào)記者抱怨，“稀土價(jià)格暴漲，直接導(dǎo)致了變頻空調(diào)成本上升，變頻終端產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)的壓力很大”。 不過(guò)有業(yè)內(nèi)人士指出稀土在空調(diào)上使用的量相當(dāng)有限，不排除這是空調(diào)企業(yè)在利用“稀土”概
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組
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