內(nèi)存控制器

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Rambus發(fā)布業(yè)內(nèi)首款HBM4內(nèi)存控制器IP，助力AI訓(xùn)練持續(xù)突破性能瓶頸

作為“AI加速年”，2024年AI進(jìn)展迅猛。得益于GPU、TPU等硬件計(jì)算能力的持續(xù)提升、算法優(yōu)化的深化以及數(shù)據(jù)收集規(guī)模的擴(kuò)大，AI模型在自然語(yǔ)言處理、計(jì)算機(jī)視覺、自動(dòng)駕駛等多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著突破。例如，OpenAI、Google和Meta等公司推出的超大規(guī)模模型推動(dòng)了AI技術(shù)的前沿發(fā)展，且模型訓(xùn)練的規(guī)模不斷創(chuàng)下新紀(jì)錄。

劉巖軒
2024-11-19

Rambus HBM4 內(nèi)存控制器 AI工作負(fù)載
Rambus通過GDDR7內(nèi)存控制器IP推動(dòng)AI 2.0發(fā)展

作為 Rambus 行業(yè)領(lǐng)先的接口和安全數(shù)字 IP 產(chǎn)品組合的最新成員，GDDR7 內(nèi)存控制器將為下一波AI推理浪潮中的服務(wù)器和客戶端提供所需的突破性內(nèi)存吞吐量。

Rambus
2024-04-23

AI GDDR7 內(nèi)存控制器
Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

中國(guó)北京，2023年12月7日——作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和IP核供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼：RMBS)今日宣布Rambus HBM3內(nèi)存控制器IP現(xiàn)在可提供高達(dá)9.6 Gbps的性能，可支持HBM3標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了50%，總內(nèi)存吞吐量超過1.2 TB/s，適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式AI以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。

Rambus
2023-12-07

數(shù)據(jù)中心 AI 內(nèi)存控制器
內(nèi)存雙通道概述

內(nèi)存雙通道，就是在北橋(又稱之為MCH)芯片級(jí)里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器，這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)立工作，每個(gè)控制器控制一個(gè)內(nèi)存通道。

基礎(chǔ)知識(shí)科普站
2021-12-10

內(nèi)存內(nèi)存通道內(nèi)存控制器
Cadence流片GDDR6芯片：基于三星的7LPP

根據(jù)外媒報(bào)道，Cadence宣布已成功在三星的7LPP制造工藝中流片其GDDR6 IP芯片。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2018-11-28

三星芯片技術(shù)前沿內(nèi)存控制器
那些被對(duì)手借鑒又超越的AMD技術(shù)

[導(dǎo)讀] AMD作為一家歷史悠久的X86 CPU生產(chǎn)廠商，雖然一直被英特爾壓制，但總是可以出其不意的推出一些創(chuàng)新性的產(chǎn)品讓對(duì)手措手不及?？上У氖牵看蜛MD在稍微獲得一點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)之后，很快就會(huì)被競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手再次超越。如果

半導(dǎo)體
2014-05-31

CPU 英特爾 AMD 內(nèi)存控制器
處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機(jī)程序內(nèi)，皆屬于

半導(dǎo)體
2013-10-25

處理器控制技術(shù) SDRAM 內(nèi)存控制器
Cadence世界上首款28nm工藝DDR4內(nèi)存控制器試驗(yàn)成功

Cadence Design Systems周一宣布，該公司自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的DDR4內(nèi)存物理層及內(nèi)存控制器電路已經(jīng)在TSMC 28nm(28nm HPM及28nm HP)工藝下試驗(yàn)成功，這將是世界上第一款28nm工藝的DDR4內(nèi)存控制器。 Cadence公司產(chǎn)品部門、S

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-09-13

DDR4 CADENCE HP 內(nèi)存控制器
處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAM……等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機(jī)程序內(nèi)，皆屬于

數(shù)字電源
2011-04-23

處理器控制技術(shù) SDRAM 內(nèi)存控制器
處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

嵌入式教程
2011-04-23

處理器控制技術(shù) SDRAM 內(nèi)存控制器
嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式軟件
2004-12-09

內(nèi)存嵌入式系統(tǒng) GE 內(nèi)存控制器
嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式軟件
2004-12-09

內(nèi)存嵌入式系統(tǒng) GE 內(nèi)存控制器
嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式軟件
2004-12-09

內(nèi)存嵌入式系統(tǒng) GE 內(nèi)存控制器
嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式教程
2004-12-09

內(nèi)存嵌入式系統(tǒng) GE 內(nèi)存控制器

淡然淺笑不離ROY
楊文卿
baplmqj
林翊宸爸爸
孫玉其
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內(nèi)存控制器

Rambus發(fā)布業(yè)內(nèi)首款HBM4內(nèi)存控制器IP，助力AI訓(xùn)練持續(xù)突破性能瓶頸

Rambus通過GDDR7內(nèi)存控制器IP推動(dòng)AI 2.0發(fā)展

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

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處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

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嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

嵌入式系統(tǒng)中的內(nèi)存壓縮技術(shù)

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