絕緣油試驗(yàn)判定充油電氣設(shè)備故障原因的方法分析

介紹了充油設(shè)備中絕緣油造成設(shè)備故障的常見(jiàn)情況。通過(guò)對(duì)兩起典型真實(shí)事故案例的對(duì)比 ,分析了不同情況下 ,不合格絕緣油引發(fā)設(shè)備故障的基本過(guò)程 , 總結(jié)出絕緣油試驗(yàn)在判定類似故障原因時(shí)的流程和標(biāo)準(zhǔn) , 為今后更加科學(xué)快速地分析同類故障提供了依據(jù)。

電源相關(guān)名詞及解釋

ACPI：是由Intel、Microsoft等聯(lián)合推出的一種電源管理規(guī)范，它將電源管理集成到硬件、操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序中，實(shí)現(xiàn)了由操作系統(tǒng)對(duì)電源的全面管理。具備ACPI功能的電腦在不使用時(shí)處于功耗極低的掛起狀態(tài)，modem等接收到信號(hào)時(shí)可自動(dòng)開(kāi)機(jī)，并可以實(shí)現(xiàn)軟件關(guān)機(jī)，適應(yīng)了日益增長(zhǎng)的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求。

關(guān)于MOSFET的這些關(guān)鍵指標(biāo)，你知道嗎？

什么是MOSFET?它有什么作用?MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。同時(shí)也是工程師們利用率最頻率最高的器件之一，那么了解MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)是非常有必要的。各位工程師們你們已經(jīng)了解全了嗎?

實(shí)現(xiàn)具有更高擊穿電壓和更低待機(jī)電流的離線輔助PSU

現(xiàn)在，提高能效的需求正在影響自動(dòng)化的所有領(lǐng)域。這包括家庭中的白色家電，這些家電是在家庭自動(dòng)化與今天的意義完全不同的時(shí)候構(gòu)思的。幾十年前，當(dāng)我們開(kāi)始依賴這些設(shè)備時(shí)，能源的財(cái)務(wù)和環(huán)境成本就沒(méi)有為消費(fèi)者帶來(lái)的便利那么重要，但是這種不平衡最近已經(jīng)改變，現(xiàn)在正在解決。

IEMN 結(jié)果顯示 ALLOS 新型硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品具有超過(guò) 1400 V 的擊穿電壓

法國(guó) IEMN 研究所的 Farid Medjdoub 博士領(lǐng)導(dǎo)的一支團(tuán)隊(duì)制造出了器件，并在由德國(guó) ALLOS Semiconductors 公司提供的兩款不同的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品上進(jìn)行了測(cè)量。

晶體管參數(shù)在實(shí)際使用中的意義

做模擬電路的工程師，都有過(guò)使用晶體管(場(chǎng)效應(yīng)管也是晶體管中的一種)、運(yùn)放的經(jīng)驗(yàn)和體會(huì)。尤其是在設(shè)計(jì)時(shí)，更會(huì)對(duì)晶體管的一些電參數(shù)進(jìn)行測(cè)試和考量。在測(cè)試時(shí)，許多人對(duì)晶體管電參數(shù)的實(shí)測(cè)值與規(guī)格書(shū)所提供的規(guī)范值

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計(jì)

摘要：提出了一種具有深阱結(jié)構(gòu)的RF LDMOS，該結(jié)構(gòu)改善了表面電場(chǎng)分布，從而提高了器件的擊穿電壓。通過(guò)silvaco器件模擬軟件對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行驗(yàn)證，并對(duì)器件的摻雜濃度、阱寬、阱深、柵長(zhǎng)進(jìn)行優(yōu)化，結(jié)果表明，在保證LDMO

變壓器油的介電強(qiáng)度試驗(yàn)

電力企業(yè)普遍都使用自動(dòng)化程度較高的全自動(dòng)微機(jī)介電強(qiáng)度試驗(yàn)測(cè)試儀，能使整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)操作完成，與傳統(tǒng)方法相比較，且有使用安全，操作簡(jiǎn)便，數(shù)據(jù)結(jié)果準(zhǔn)確等特點(diǎn)。但在實(shí)際試驗(yàn)中，由于操作人員專業(yè)技術(shù)知識(shí)欠缺

穩(wěn)壓二極管工作原理

穩(wěn)壓二極管工作原理在通常情況下，反向偏置的PN結(jié)中只有一個(gè)很小的電流。這個(gè)漏電流一直保持一個(gè)常數(shù)，直到反向電壓超過(guò)某個(gè)特定的值，超過(guò)這個(gè)值之后PN結(jié)突然開(kāi)始有大電流

穩(wěn)壓二極管

穩(wěn)壓二極管簡(jiǎn)介穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管 。它的電路符號(hào)是：此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件.在這臨界擊穿點(diǎn)上，

普通二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)分

有時(shí)普通二極管(如檢波二極管)和小功率穩(wěn)壓二極管字跡脫落，由于外形相似而無(wú)法區(qū)別。但是，它們之間特性有兩個(gè)明顯的區(qū)別:一般二極管多工作在正向?qū)ê头聪蚪刂範(fàn)顟B(tài)下，穩(wěn)壓二極管則工作在反向擊穿狀態(tài)下;絕大多數(shù)

正確操作加速RF器件測(cè)試的方法

對(duì)所有的電子元件的制造商而言，測(cè)試速度都是很重要的，而對(duì)于低價(jià)格的二、三引腳元件如二、三極管來(lái)說(shuō)卻更是至關(guān)重要。在RF測(cè)試能夠進(jìn)行之前，必須測(cè)試這些器件的直流工作狀態(tài)。對(duì)于二極管來(lái)說(shuō)，包括正向壓降、反響

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來(lái)，電力MOSFET得到

大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來(lái)，電力MOSFET得到

高效能保護(hù)器件-TVS的特性及應(yīng)用

瞬態(tài)電壓抑制器（Transient Voltage Suppressor）簡(jiǎn)稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件，有的文獻(xiàn)上也為T(mén)VP、AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10-12秒量級(jí)的速度，將其兩極

瞬態(tài)抑制器的性能與應(yīng)用

瞬態(tài)干擾　　瞬態(tài)干擾指交流電網(wǎng)上出現(xiàn)的浪涌電壓、振鈴電壓、火花放電等瞬間干擾信號(hào)，其特點(diǎn)是作用時(shí)間極短，但電壓幅度高、瞬態(tài)能量大。瞬態(tài)干擾會(huì)造成控制系統(tǒng)的電源電壓的波動(dòng);當(dāng)瞬態(tài)電壓疊加在控制系統(tǒng)的輸入電

SFH640型5.3KV高集發(fā)擊穿電壓光耦合電路

調(diào)節(jié)反向擊穿電壓的電路

調(diào)節(jié)反向擊穿電壓的電路

LED驅(qū)動(dòng)器系列(英飛凌)

英飛凌科技股份公司宣布推出新的低成本線性LED驅(qū)動(dòng)器系列，進(jìn)一步壯大其高能效照明IC產(chǎn)品的陣容。全新推出的BCR320和BCR420產(chǎn)品系列可滿足市場(chǎng)對(duì)節(jié)能環(huán)保發(fā)光二極管（LED）照明解決方案的急劇增長(zhǎng)的需求。額定電流為