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Globalfoundries 30天內(nèi)公布除AMD以外的新客戶名單
Globalfoundries宣稱將在30天內(nèi)公布除了AMD之外的至少一家芯片代工客戶，此前據(jù)傳Nvidia將是可能性最大的人選之一。據(jù) Globalfoundries的公關(guān)部經(jīng)理Jon Carvill稱，他們的首批客戶將是“為消費(fèi)電子市場(chǎng)提供低功
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臺(tái)積電與CEA-Leti合作推動(dòng)無(wú)光罩微影技術(shù)
為積極朝向22納米制程技術(shù)前進(jìn)，臺(tái)積電宣布與法國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計(jì)畫，就半導(dǎo)體制造中的無(wú)光罩微影技術(shù)進(jìn)行合作，這項(xiàng)計(jì)畫為期3年。
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臺(tái)積電先進(jìn)制程出貨破500萬(wàn)片
臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓出貨正式突破500萬(wàn)片大關(guān)，達(dá)到535萬(wàn)片，若將這些晶圓堆迭起來，厚度將是臺(tái)北101大樓的8倍高！這還是不包括目前正加緊量產(chǎn)的40納米制程，同時(shí)臺(tái)積電預(yù)計(jì)2009年第4季將量產(chǎn)32納米泛用型制程，2010年
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臺(tái)積電成功開發(fā)28納米低耗電制程，明年量產(chǎn)
臺(tái)積電(TSMC)宣布成功開發(fā)28納米低耗電技術(shù)，同時(shí)配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)制程，將32納米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米制程，使得半導(dǎo)體可以
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32nm延伸來! 臺(tái)積電宣布28nm研發(fā)成功
近日臺(tái)積電宣布成功開發(fā)28nm技術(shù)工藝，配合雙╱三閘極氧化層制程，將32nm制程所使用的氮氧化硅/多晶硅材料延伸至28nm工藝制程，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)制程技術(shù)推進(jìn)。此一制程技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低六晶體管
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英特爾大連芯片廠將采用65nm制程技術(shù)
正在建設(shè)中的大連芯片廠(Fab 68)將采用65納米制程技術(shù)，這座全新的300毫米晶圓廠在2010年建成投產(chǎn)后，將生產(chǎn)制造先進(jìn)的芯片組產(chǎn)品。英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰(Kirby Jefferson)在第七屆軟交會(huì)上上宣布了這一決定
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英特爾大連芯片廠明年投產(chǎn)
英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰19日在“第七屆中國(guó)國(guó)際軟件和信息服務(wù)交易會(huì)”上宣布，正在建設(shè)中的大連芯片廠(Fab 68)將采用65納米制程技術(shù)，這座300毫米芯片制造廠2010年建成投產(chǎn)。 英特爾大連芯片廠投資總額25億美
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臺(tái)積電將發(fā)表28納米設(shè)計(jì)流程 明年1Q投產(chǎn)
臺(tái)積電自40納米制程順利量產(chǎn)后，積極向下世代制程技術(shù)28納米制程演進(jìn)，據(jù)了解，臺(tái)積電內(nèi)部正積極著手28納米制程研發(fā)進(jìn)入量產(chǎn)階段，同時(shí)也規(guī)劃將于7月正式發(fā)表28納米制程技術(shù)的設(shè)計(jì)流程(Design flow)10.0版本，開始正
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臺(tái)積電將發(fā)表28納米設(shè)計(jì)流程 明年1Q投產(chǎn)
臺(tái)積電自40納米制程順利量產(chǎn)后，積極向下世代制程技術(shù)28納米制程演進(jìn)，據(jù)了解，臺(tái)積電內(nèi)部正積極著手28納米制程研發(fā)進(jìn)入量產(chǎn)階段，同時(shí)也規(guī)劃將于7月正式發(fā)表28納米制程技術(shù)的設(shè)計(jì)流程(Design flow)10.0版本，開始正
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DRAM廠走出悲情 無(wú)薪假進(jìn)入尾聲
DRAM產(chǎn)業(yè)的春天逐漸來臨，臺(tái)系DRAM廠包括力晶、南亞科、華亞科等將逐漸縮短員工無(wú)薪假，力晶從5月底開始，無(wú)薪假由塬本8天縮短為4天;南亞科除12吋廠因轉(zhuǎn)換制程之故，部分生產(chǎn)線人員未能如期歸隊(duì)，內(nèi)部評(píng)估將提早結(jié)束
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兩岸建構(gòu)共同標(biāo)準(zhǔn) FPD、LED列首波
第四次江陳會(huì)談規(guī)劃將兩岸標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)認(rèn)驗(yàn)證列入議題，“經(jīng)濟(jì)部”標(biāo)準(zhǔn)局近期將整合業(yè)者意見，規(guī)劃兩岸合作優(yōu)先級(jí)項(xiàng)目，使產(chǎn)業(yè)規(guī)格需求經(jīng)由兩岸建構(gòu)共同標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)指出，目前列入第一波產(chǎn)業(yè)包括平面顯示
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兩岸建構(gòu)共同標(biāo)準(zhǔn) FPD、LED列首波
第四次江陳會(huì)談規(guī)劃將兩岸標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)認(rèn)驗(yàn)證列入議題，“經(jīng)濟(jì)部”標(biāo)準(zhǔn)局近期將整合業(yè)者意見，規(guī)劃兩岸合作優(yōu)先級(jí)項(xiàng)目，使產(chǎn)業(yè)規(guī)格需求經(jīng)由兩岸建構(gòu)共同標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)指出，目前列入第一波產(chǎn)業(yè)包括平面顯示
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集邦：今年DRAM業(yè)資本支出54億美元 年減56%
全球DRAM廠持續(xù)減產(chǎn)，以減少虧損及資金流出，并放緩制程技術(shù)推進(jìn)時(shí)程；集邦科技預(yù)期，今年全球DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出約54億美元，年減56%。 集邦科技表示，50納米制程技術(shù)每片晶圓顆粒產(chǎn)出量可望較60納米制程增加40%至5
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三星有望穩(wěn)居NAND首座 海力士減產(chǎn)落居第5
針對(duì)NAND Flash產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市占率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目
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集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
針對(duì)NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機(jī)構(gòu)集邦科技最新研究報(bào)告指出，三星可望穩(wěn)居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據(jù)各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能
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今年DRAM業(yè)資本支出54億美元 年減56%
全球DRAM廠持續(xù)減產(chǎn)，以減少虧損及資金流出，并放緩制程技術(shù)推進(jìn)時(shí)程；集邦科技預(yù)期，今年全球DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出約54億美元，年減56%。集邦科技表示，50納米制程技術(shù)每片晶圓顆粒產(chǎn)出量可望較60納米制程增加40%至50%，
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臺(tái)塑集團(tuán)看好內(nèi)存業(yè) 美光技術(shù)成上選
臺(tái)塑集團(tuán)旗下南科董事長(zhǎng)吳嘉昭近日表示，臺(tái)塑集團(tuán)會(huì)在DRAM領(lǐng)域堅(jiān)持走下去，而美光技術(shù)在當(dāng)下是「上選」，如果政府不幫忙，南科和華亞科也會(huì)自強(qiáng)，將辦理增資，改善財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。吳嘉昭指出，南科在DRAM制程技術(shù)研發(fā)說可
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IBM將與法國(guó)LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術(shù)
IBM與法國(guó)原子能署下屬的電子資訊科技實(shí)驗(yàn)室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導(dǎo)體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級(jí)材料，設(shè)備及制造工藝方面進(jìn)行合作，合約期為5年。 研究工作將在IBM公司在東
