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數(shù)字控制技術(shù)在功率密度和電源管理上的應(yīng)用
在一個電源系統(tǒng)中有許多地方可以采用數(shù)字技術(shù)，一個是電源內(nèi)部電路本身，還有就是在系統(tǒng)級實現(xiàn)功率管理和監(jiān)控功能[4]。本文將針對第一種情況進(jìn)行詳細(xì)討論。文中比較了板
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低噪聲開關(guān)電源變壓器的設(shè)計方法
在開關(guān)電源設(shè)計中，功率變壓器的設(shè)計極為關(guān)鍵，尤其是工作頻率提高后，要達(dá)到電源的功率密度盡量高，同時要滿足較好的EMC指標(biāo)有一定的難度。下面介紹一種變壓器設(shè)計方法，可
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如何解決功率密度問題
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。
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Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導(dǎo)通電阻為業(yè)內(nèi)最低，僅有0.58mΩ。V
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用GaN重新考慮功率密度
電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。
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TDK發(fā)布效率高達(dá)93%的480W高功率密度導(dǎo)軌電源
TDK 公司宣布推出 TDK-Lambda 的 DRB 系列新增型號 DRB480-24-1 導(dǎo)軌電源。DR B480-24-1 的額定功率為 480W，功率密度高達(dá) 6 W/inch3，且擁有極窄的寬度，易于 安裝在狹小的空間內(nèi)。另外，DRB480-24-1 的平均效率高于
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解讀：為何你的電動汽車跑不遠(yuǎn)？
電動汽車當(dāng)前發(fā)展迅猛，但其續(xù)航能力一直都是用戶心里的一根刺，關(guān)于電動汽車?yán)m(xù)航，這里就不老生常談電池了，而是談?wù)勱P(guān)于動力總成的效率問題。電動汽車當(dāng)前發(fā)展迅猛，但其
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Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的效率和功率密度設(shè)計需要，設(shè)計工程師一直在尋找GaN技術(shù)等可替代傳統(tǒng)MOS技術(shù)
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電源設(shè)計來響應(yīng)需求更大的功率密度
那些服用超過電源供應(yīng)器休閑利息(事業(yè)單位)，無論是AC / DC或DC / DC，會注意到，集成化和小型化一直在一個大的影響最近。為什么是這樣?這簡短的回顧回顧了一些最后一年的有
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1/4磚提高標(biāo)準(zhǔn)的功率密度，效率
眾所周知，中間總線架構(gòu)(IBA)在現(xiàn)代服務(wù)器，工作站和電信設(shè)備共同被通過各種隔離的DC / DC轉(zhuǎn)換器稱為磚塊啟用。通過提供較低的直流母線電壓，這些磚讓系統(tǒng)設(shè)計人員能夠快速
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Vicor：以創(chuàng)新與實力引領(lǐng)方向
“Vicor領(lǐng)先行業(yè)其他競爭對手至少10年以上，值得尊敬!”這是一位國內(nèi)非常知名的通訊企業(yè)電源工程師對Vicor的評價。乍一聽這樣的評價，難免有人覺得是夸大其詞，但是深入了解Vicor的人都知道，這樣的評價并
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提高電源功率密度的主要方向有哪些？
摘要：隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設(shè)備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術(shù)發(fā)展的方向。那么，電源的小型化
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提高電源功率密度的主要方向
隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設(shè)備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術(shù)發(fā)展的方向。那么，電源的小型化主要由哪些因素決定呢?
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雅特生科技推出新一代可配置電源 效率與功率密度都極高！
21ic電源網(wǎng)訊 雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣布推出MicroMP(µMP)可配置電源系列的第二代產(chǎn)品。雅特生科技的µMP電源產(chǎn)品系列一直大受市場歡迎
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Diodes穩(wěn)壓器晶體管提升48V電路系統(tǒng)功率密度
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為針對網(wǎng)絡(luò)、電信和以太網(wǎng)供電 (Power over Ethernet，簡稱PoE) 設(shè)備內(nèi)48V電路，推出有效節(jié)省空間的高壓線性穩(wěn)壓器晶體管ZXTR20
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Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm，高度則是一般的0.5mm，并采用了DF
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IBM締造未來芯片冷卻技術(shù)，向功耗和散熱發(fā)出挑戰(zhàn)宣言！
【導(dǎo)讀】IBM締造未來芯片冷卻技術(shù)，向功耗和散熱發(fā)出挑戰(zhàn)宣言！ 由于具有100W/cm2的功率密度，今天的計算機芯片溫度已經(jīng)是標(biāo)準(zhǔn)的加熱板的10倍。因此，硅電路的冷卻就成為日益重要的問題。未來的芯片將達(dá)到更
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Intersil的最新電源模塊提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度、效率和熱性能
ISL8240M以2.9 cm2占位面積提供高達(dá)40A輸出電流和100W輸出功率，是基礎(chǔ)設(shè)施和云計算硬件應(yīng)用的理想選擇21ic訊 Intersil公司今天宣布，推出雙路20A/單路40A降壓電源模塊ISL8
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Intersil推出提供功率密度效率和熱性能的電源模塊
Intersil公司宣布，推出雙路20A/單路40A降壓電源模塊ISL8240M，為基礎(chǔ)設(shè)施和嵌入式計算應(yīng)用的效率和功率密度設(shè)定了新的標(biāo)準(zhǔn)。ISL8240M的占位面積只有2.9 cm2，卻能提供高達(dá)100W輸出功率、大于90%的轉(zhuǎn)換效率以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)
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Intersil的最新電源模塊提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的功率密度、效率和熱性能
[導(dǎo)讀] 與Intersil的所有電源模塊一樣，ISL8240M也是一種全集成的交鑰匙解決方案，僅有17mm x 17mm大小，且只需要6個外圍被動器件。卓越的熱性能使其不需要散熱器，有助于進(jìn)一步簡化電源設(shè)計，以及降低設(shè)計與制造風(fēng)險
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