KBS報(bào)道,市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMEXchange的報(bào)告顯示,今年第一、二季度三星電子和海力士在國(guó)際市場(chǎng)上半導(dǎo)體內(nèi)存的占有率達(dá)到55.50%和53.1%,創(chuàng)歷史新高。 去年一至三季度,這兩家半導(dǎo)體公司的占有率持續(xù)維持在49%的水平。
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors,由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)推出最新的創(chuàng)新型硅調(diào)諧器,該產(chǎn)品具備業(yè)界集成度最高的雙流射頻系統(tǒng),可支持單纜和傳統(tǒng)衛(wèi)星接收。新型恩智浦TDA20136集成了雙8PSK衛(wèi)星調(diào)諧器與最
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(簡(jiǎn)稱臺(tái)積電)計(jì)劃收購(gòu)力晶半導(dǎo)體股份有限公司所持新日光能源科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱新日光) 11.2%的股權(quán)。據(jù)稱,臺(tái)積電董事會(huì)最早將于今日批準(zhǔn)該計(jì)劃,屆時(shí)該公司將成為
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體),專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一,發(fā)布其先進(jìn)的0.13微米嵌入式閃存制程。 宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)(由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)近日宣布國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備研發(fā)、營(yíng)銷、生產(chǎn)與服務(wù)商上海大亞科技有限公司采用高性價(jià)比的恩智浦CX24485單芯片、參考成熟的恩智浦STB150機(jī)頂
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開(kāi)發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開(kāi)發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制,確保強(qiáng)健地處
2009年8月7日,京芯半導(dǎo)體公司與飛思卡爾半導(dǎo)體公司、摩托羅拉在京簽署移動(dòng)通信核心技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議,紛紛擾擾的中國(guó)公司收購(gòu)飛思卡爾無(wú)線業(yè)務(wù)傳聞終于落下帷幕,與之前傳聞收購(gòu)不同,京芯公司支付5000萬(wàn)美元獲得了WCDM
臺(tái)積電公司和美國(guó)老牌半導(dǎo)體公司IDT(Integrated Device Technology)公司今天共同宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議,IDT目前在美國(guó)俄勒岡州Hillsboro市自有晶圓廠制造的所有產(chǎn)品將逐步移交給臺(tái)積電代工,IDT從此將轉(zhuǎn)型為無(wú)工
在“技術(shù)+資本”的長(zhǎng)期策略下,清華控股旗下的同方股份再次出手。8月12日,同方股份向上交所提交“發(fā)行股份購(gòu)買資產(chǎn)報(bào)告書(草案)”(下文簡(jiǎn)稱“《報(bào)告書》”)稱:同方擬收購(gòu)晶源電子3375萬(wàn)股股份。晶源電子目前的總股
市場(chǎng)研究公司iSuppli的報(bào)告指出,全球半導(dǎo)體庫(kù)存在連續(xù)四個(gè)季度的回落后已降至適當(dāng)?shù)乃?,這為下半年庫(kù)存重建及推動(dòng)銷售鋪平了道路。在2008年第三和第四季度分別下滑2.2%和6.6%之后,全球半導(dǎo)體制造商庫(kù)存量又在今年