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二極管反向恢復(fù)機理是什么？二極管反向恢復(fù)軟度介紹
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)矶O管的有關(guān)報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認(rèn)識，主要內(nèi)容如下。
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減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)過沖
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能，因此目前正在開關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實現(xiàn)更快的開關(guān)時間，從而顯著降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢源于 SiC 器件獨特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù)，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢。在快速反向恢復(fù)事件期間，設(shè)備可能會經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設(shè)備和整個系統(tǒng)帶來風(fēng)險。其他設(shè)計挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
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如何理解二極管的反向恢復(fù)過程？
二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復(fù)過程
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二極管的反向恢復(fù)過程
二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€反向恢復(fù)過程
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關(guān)于二極管的反向恢復(fù)過程
產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因――電荷存儲效應(yīng)產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時，載流子不斷擴散而存儲的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時Ｐ區(qū)空穴向Ｎ區(qū)擴散，Ｎ區(qū)電子向Ｐ區(qū)擴散，這樣，不僅使勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲，在Ｐ區(qū)內(nèi)存儲了電子
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