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CTSC-200系列PLC在棉紡細紗機中的應(yīng)用
一、概述 目前，國產(chǎn)細紗機在國內(nèi)企業(yè)的使用率已經(jīng)占到90%左右，產(chǎn)品的產(chǎn)量、可靠性、穩(wěn)定性等性能指標已經(jīng)有了較大提升。細紗機配置上向前紡大卷裝、縮短工藝流程，紡紗少
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國產(chǎn)相變存儲器如何開啟產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用？
潛心相變存儲器研究15年，中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團隊在130納米技術(shù)節(jié)點相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來，通過和珠海艾派克微電子有限公司產(chǎn)學研用協(xié)同合
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3D NAND究竟出了什么問題？
3D NAND存儲器市場看俏，但幾個有關(guān)的技術(shù)問題和誤解也隨之而來...3D NAND存儲器自從2013年8月以來已經(jīng)成功地投入市場。雖然，3D NAND仍然比平面NAND更昂貴，但大家都期待
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詳解智能購物應(yīng)用中的存儲器
作者：Reuben George當今，物聯(lián)網(wǎng)(IoT)已對所有行業(yè)產(chǎn)生了影響，而且有望到2020年成為一個1.7萬億美元的市場。IoT領(lǐng)域建立在云計算以及由移動、虛擬和即時連接搭建的數(shù)據(jù)采
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基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究
摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細
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基于J750EX測試系統(tǒng)的SRAM VDSR32M32測試技術(shù)研究
作者：王鑫，王烈洋，占連樣，陳像，張水蘋，湯凡，黃小琥，李光摘要VDSR32M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的靜態(tài)隨機器(SRAM)用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取
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存儲器居功至偉，2017全球集成電路將重回兩位數(shù)增長
進入下半年，形勢已經(jīng)很明朗，全球集成電路行業(yè)將在2017年迎來大豐收，與年初相比，市場調(diào)研機構(gòu)給出的最新預測都大幅上調(diào)了增長預期。IC Insights在最新預測中就表示，20
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確寶SoC設(shè)計順利進行，硬件仿真不可少
在當今競爭激烈的形勢下，使富含嵌入式軟件的復雜電子設(shè)備更快面市，但是同時確保其更便宜更可靠，是一種相當冒險的做法。未經(jīng)徹底測試的硬件設(shè)計不可避免地導致返工，增加
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確寶SoC設(shè)計順利進行，硬件仿真不可少
在當今競爭激烈的形勢下，使富含嵌入式軟件的復雜電子設(shè)備更快面市，但是同時確保其更便宜更可靠，是一種相當冒險的做法。未經(jīng)徹底測試的硬件設(shè)計不可避免地導致返工，增加
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詳解嵌入式中參數(shù)存儲的一種方式
如果有幾個設(shè)置參數(shù)需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢?將不同的參數(shù)都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時寫入一次呢? 將參數(shù)存
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NAS存儲領(lǐng)銜安防網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)存儲十大技術(shù)
當人們提到安防網(wǎng)絡(luò)化應(yīng)用時大多想到的是網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控攝像機，其實監(jiān)控系統(tǒng)的構(gòu)成不僅限于前端產(chǎn)品，若沒有后端的存儲設(shè)備，那么龐大的圖像數(shù)據(jù)也只能成“浮云”。與
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惠普3PAR聯(lián)合存儲技術(shù)解析
IDC曾作出預測，在未來將會有更多的新應(yīng)用是對云環(huán)境而特別設(shè)計的，而這些虛擬化和云應(yīng)用的敏捷性需要通過多個存儲系統(tǒng)連為一體而實現(xiàn)。所謂存儲聯(lián)合，可減化額外的虛擬化設(shè)
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從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點
為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特
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華為P10內(nèi)存門仍在發(fā)酵，詳解幾種存儲技術(shù)的特點
隨著游戲與視訊應(yīng)用在行動裝置上的普及，以及手機處理器性能的提升，eMMC的性能已經(jīng)不能滿足行動裝置對于內(nèi)存讀寫性能的要求，新一代的通用閃存儲存(UFS)規(guī)格應(yīng)運而生。在高
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如何快速從eMMC轉(zhuǎn)移到UFS？
在高速數(shù)字接口中，并行總線越來越少。原因很簡單，隨著系統(tǒng)頻率的提升，并行總線在板級建置時已經(jīng)遭遇到實體瓶頸，抖動、串擾、信號偏移、傳輸路徑不完美等因素，都將大幅
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法
行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。
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嵌入式存儲器的設(shè)計方法和策略
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯
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“云存儲”理念深度剖析
全球數(shù)據(jù)量的猛增使得存儲日益成為一個更獨立的專業(yè)問題，越來越多的企業(yè)開始將存儲作為單獨的項目進行管理。同時，持續(xù)增長的數(shù)據(jù)存儲壓力帶動著整個存儲市場的快速發(fā)展。
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基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計改進方案
自問世以來，NAND閃存對ECC(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題，但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的
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主存儲器部件的組成與設(shè)計
1、主存儲器概述(1)主存儲器的兩個重要技術(shù)指標◎讀寫速度：常常用存儲周期來度量，存儲周期是連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如讀操作)所必需的時間間隔?！虼鎯θ萘浚和ǔ?/p>
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