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OptiMOS 5 150 V大幅降低導通電阻和反向恢復電荷
英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進一步壯大了行業(yè)領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150
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兩個小的電路設計失誤
今天寫兩個電路設計失誤，第一個是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設計者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識。 第一個失誤的主要原因是，設計者錯誤估算了R1的大
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兩個小的電路設計失誤
今天寫兩個電路設計失誤，第一個是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設計者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識。 第一個失誤的主要原因是，設計者錯誤估算了R1的大
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領
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利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應用中實現(xiàn)低導通電阻
引言 在高電流背板應用中要求實現(xiàn)電路板的帶電插拔，這就需要兼具低導通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常，專為擁有低導通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應用。 LTC®4234 是一款針對熱插拔 (Hot SwapTM) 應用的集成型解決方案，其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測電阻器集成在單個封裝中，以滿足小型化應用的要求。對 MOSFET 的安全工作區(qū)進行了生產(chǎn)測試，并保證其能承受熱插拔應用中的應力。
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Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結技術的新款500V高壓MOSFET
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適
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IR針對工業(yè)應用新推出具有超低導通電阻的表面貼裝75V MOSFET
21ic訊 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機
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IR針對工業(yè)應用推出具有超低導通電阻的75V MOSFET
21ic訊 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器 (LEV) 、直
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Vishay的SiZ340DT再度獲獎
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其3mm x 3mm封裝的SiZ340DT雙片MOSFET在《今日電子》雜志的第十二屆年度Top-10電源產(chǎn)品評獎中一舉獲得十佳電源產(chǎn)品獎和最佳應用獎等兩項獎項。
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IR為工業(yè)應用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具備極低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變
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Vishay推出應用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導通電阻的MOSFET
采用PowerPAK® SC-70封裝，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、1
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推出具有超低導通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應用需求
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離
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IR推出具有超低導通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應用需求
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 提供極低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有極低
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IR 600V電流感測IC可大幅節(jié)省空間
國際整流器(IR)推出IR25750通用電流感測積體電路(IC)，并采精巧的SOT23-5L封裝，為高電流應用提升整體系統(tǒng)效率及大幅節(jié)省空間。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示，IR25750電流感測IC是新的組合區(qū)塊，利用功率金屬氧化物
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Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V
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為便攜產(chǎn)品選擇合適的低成本USB開關
隨著通用串行總線(USB)在便攜或手持應用中日趨流行，具有超低功耗的高質(zhì)量開關在實現(xiàn)這種連接解決方案方面充當著重要角色。受消費者的需求驅(qū)動，設計人員需要不斷創(chuàng)新、加速
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Vishay推出最低導通電阻的TrenchFET功率MOSFET
Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和
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Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導通電阻記錄
21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導通電阻記錄
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
