-
OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷
英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150
-
兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤
今天寫(xiě)兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。 第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大
-
兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤
今天寫(xiě)兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。 第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大
-
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ
SiC市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺(tái)。該款升級(jí)版平臺(tái)，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴(kuò)展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對(duì)市場(chǎng)更新的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)
-
利用保證的 SOA 在高電流熱插拔應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
引言 在高電流背板應(yīng)用中要求實(shí)現(xiàn)電路板的帶電插拔，這就需要兼具低導(dǎo)通電阻 (在穩(wěn)態(tài)操作期間) 和針對(duì)瞬態(tài)情況之高安全工作區(qū) (SOA) 的 MOSFET。通常，專(zhuān)為擁有低導(dǎo)通電阻而優(yōu)化的新式 MOSFET 并不適合高 SOA 熱插拔應(yīng)用。 LTC®4234 是一款針對(duì)熱插拔 (Hot SwapTM) 應(yīng)用的集成型解決方案，其允許電路板在帶電背板上安全地插入和拔出。該器件把一個(gè)熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器集成在單個(gè)封裝中，以滿(mǎn)足小型化應(yīng)用的要求。對(duì) MOSFET 的安全工作區(qū)進(jìn)行了生產(chǎn)測(cè)試，并保證其能承受熱插拔應(yīng)用中的應(yīng)力。
-
Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級(jí)結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET
其具有與E系列600V和650V MOSFET相同的優(yōu)點(diǎn)：高效率和高功率密度21ic電源網(wǎng)訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高壓MOSFET新增11顆新器件，這些器件適
-
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)逆變器、直流電機(jī)
-
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET
21ic訊 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)逆變器 (LEV) 、直
-
Vishay的SiZ340DT再度獲獎(jiǎng)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其3mm x 3mm封裝的SiZ340DT雙片MOSFET在《今日電子》雜志的第十二屆年度Top-10電源產(chǎn)品評(píng)獎(jiǎng)中一舉獲得十佳電源產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)等兩項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。
-
IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列 具備極低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變
-
Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET
采用PowerPAK® SC-70封裝，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、1
-
推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用需求
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離
-
IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用需求
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車(chē)逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、
-
IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 提供極低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴(kuò)充StrongIRFET系列，為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件，具有極低
-
IR 600V電流感測(cè)IC可大幅節(jié)省空間
國(guó)際整流器(IR)推出IR25750通用電流感測(cè)積體電路(IC)，并采精巧的SOT23-5L封裝，為高電流應(yīng)用提升整體系統(tǒng)效率及大幅節(jié)省空間。IR亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示，IR25750電流感測(cè)IC是新的組合區(qū)塊，利用功率金屬氧化物
-
Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V
-
為便攜產(chǎn)品選擇合適的低成本USB開(kāi)關(guān)
隨著通用串行總線(USB)在便攜或手持應(yīng)用中日趨流行，具有超低功耗的高質(zhì)量開(kāi)關(guān)在實(shí)現(xiàn)這種連接解決方案方面充當(dāng)著重要角色。受消費(fèi)者的需求驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)人員需要不斷創(chuàng)新、加速
-
Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有20 V(12V VGS和
-
Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效
-
Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
cai_mouse
wyiqing
00750
maoxiaobu
billwu
淡然淺笑不離ROY
楊文卿
baplmqj
林翊宸爸爸
孫玉其
yang316323692
xiaofei558008
racoy
af10000
heilongqq
masmin
