-
英飛凌計劃對TRAVEO? T2G汽車MCU進行ISO/SAE 21434 產(chǎn)品合規(guī)認證
【2025年1月16日, 德國慕尼黑訊】道路車輛日益增加的聯(lián)網(wǎng)需求令網(wǎng)絡安全需求日益增長。為此，聯(lián)合國歐洲經(jīng)濟委員會（UNECE）通過了R155和R156法規(guī)，對汽車主機廠（OEM）的網(wǎng)絡安全要求做出規(guī)定。想要在受UNECE監(jiān)管的市場上銷售新車，主機廠必須持有有效的批準證書，且在整個供應鏈體系中落實網(wǎng)絡安全實踐，以盡可能降低車輛在全生命周期中遭遇攻擊的風險。
-
東芝宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存，Q3大規(guī)模出貨！
東芝在其官網(wǎng)宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1規(guī)范的嵌入式閃存，并計劃在下月向大客戶發(fā)送樣品，以便在今年第三季度大規(guī)模出貨。據(jù)悉，東芝JEDEC eMMC 5.1嵌入式閃存使用的是BiCS Fl
-
貿(mào)澤開售SanDisk iNAND 8251 嵌入式閃存 為移動AR和物聯(lián)網(wǎng)應用提供高效存儲
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)即日起備貨SanDisk的 iNAND® 8521嵌入式閃存 (EFD)。iNAND 8521 EFD采用3D NAND技術和UFS 2.1快速接口，具有出眾的讀寫性能，可為大多數(shù)輕薄型計算設備和數(shù)據(jù)密集型移動設備提供存儲解決方案。
-
關于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒
多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的
-
東芝推出基于ARM Cortex-M3微控制器
東芝公司旗下半導體與存儲產(chǎn)品公司今日宣布推出TXZ™系列的第一組產(chǎn)品—基于ARM Cortex-M3內核的M3H族微控制器，這一新系列產(chǎn)品采用基于65納米邏輯工藝的嵌入式閃存工藝制造。
-
Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽車級55nm嵌入式閃存技術已獲認證
· SST SuperFlash®技術與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美結合，實現(xiàn)低功耗、低成本、高可靠性、優(yōu)異數(shù)據(jù)保存性能和高耐用性兼具的卓越客戶解決方案· 通過硅驗證的優(yōu)化閃存IP模塊廣泛適用于各種應用
-
ST推出業(yè)內首款90nm技術嵌入式閃存的微控制器
日前，意法半導體(ST)宣布在基于ARM Cortex-M系列處理器內核的微控制器研發(fā)項目上取得突破，推出全球業(yè)內首款采用90nm技術嵌入式閃存的微控制器。目前幾乎沒有幾家公司研制
-
嵌入式閃存成就MAX 10 FPGA的系統(tǒng)價值
30年的低成本創(chuàng)新中國有句俗話叫“30年河東，30年河西”，Altera在1984年發(fā)布了第一款非易失PLD EP300器件，30年間，可編程器件在性能上不斷發(fā)展甚至挑戰(zhàn)摩爾定律，工藝技術也有了長足的進步，電子設計領
-
賽普拉斯和華力微電子展示可工作的采用55納米嵌入式閃存IP的硅光電池
21ic訊 嵌入式非易失性存儲器解決方案的領先供應商賽普拉斯半導體公司，與中國最先進的專業(yè)晶圓代工廠上海華力微電子公司(HLMC)日前共同宣布，雙方基于賽普拉斯55納米工藝節(jié)
-
賽普拉斯向UMC授權55納米嵌入式閃存技術
嵌入式非易失性存儲解決方案領導者賽普拉斯半導體公司與全球領先的半導體代工廠聯(lián)華電子公司(紐交所代號 UMC， 臺灣證券交易所代號 TWSE： 2303)日前聯(lián)合宣布，UMC獲得了賽
-
華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發(fā)展取得進一步成果
【導讀】華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝發(fā)展取得進一步成果 世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）今天宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設計公司的合作順利進行。基于華虹NEC的0
-
Altera公司與臺積公司在55納米嵌入式閃存工藝技術領域展開合作
【導讀】日前，北京 — Altera公司 (NASDAQ: ALTR)與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 (EmbFlash) 工藝技術上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車
-
Altera將采用臺積公司55納米嵌入式閃存工藝生產(chǎn)器件
【導讀】Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應用。 摘要： Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術生
-
英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40納米嵌入式閃存工藝建立開發(fā)和生產(chǎn)展開合作
【導讀】2013年5月2日，德國紐必堡/德累斯頓與新加坡訊——英飛凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝，簽訂一份合作技術開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方
-
飛索整合富士通資源 加速嵌入式閃存MCU研發(fā)
【導讀】飛索(Spansion)預定于2013年7～9月，完成富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模擬及混合信號部門購并，未來將加速整合該部門技術資源，以及自家的嵌入式電荷擷取(eCT)閃存技術，全力加速嵌入
-
宏力半導體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)
上海宏力半導體制造有限公司(宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。目前，宏力
-
安富利和閃迪聯(lián)手提供創(chuàng)新商用閃存存儲解決方案
全球閃存存儲解決方案領導者閃迪公司和全球領先技術經(jīng)銷商安富利公司(Avnet) 日前宣布，安富利將通過安富利電子營銷和安富利科技有限公司，為北美洲、歐洲、中東和非洲 (EMEA)、亞太和拉丁美洲1客戶提供范圍廣泛的閃
-
100萬次擦寫！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎。三星宣稱，基于其45nm e
-
全球首創(chuàng)45nm嵌入式閃存 100萬次擦寫！
三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎。三星宣稱，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性
-
英飛凌與GF合作開發(fā)40nm嵌入式閃存工藝
英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司宣布，雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝，簽訂一份合作技術開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。雙方合作的重點是立足于英飛凌的嵌入式閃存單元設計以及采用40納米工藝制造汽車單片機和安全微
