μPC1651制作的超高頻振蕩器電路:
如圖所示為56~512kHz高頻振蕩器電路。它由高頻振蕩器、告警電路所組成。 1.技術(shù)指標: (1)頻率范圍:56~512kHz; (2)輸出電平:+5.5±ldB; (3)頻率準確度:不超過±20Hz; (4)告警信號:當停振時,告警燈亮,并
如圖所示為HCMOS集成電路組成的48MHz晶體振蕩器。晶體的基波頻率為l6MHz,但振蕩器強制工作于三次諧波。諧波振蕩器的關(guān)鍵是抑制晶體的基頻,圖中的并聯(lián)諧振電路在晶體的基頻下諧振,它和晶體SJT串聯(lián)后,對基頻的阻抗
如圖所示為60MHz晶體振蕩器,主要是由晶體振蕩電路和緩沖放大電路等組成。晶體三極管VT1為60MHz的晶體振蕩器,振蕩器的輸出送至晶體三極管VT2的緩沖放大器進行信號放大,它的發(fā)射極有較大的反饋,使振蕩器更穩(wěn)定。電
如圖所示為70MHz晶體振蕩電路。它由晶體振蕩器、緩沖放大器、選頻放大器等組成。它的主要功能是把晶體振蕩器輸出的弱信號,通過放大電路,再經(jīng)選頻放大后,輸出70MHz的基頻頻率信號。 元器件選擇: 三極管VTl:3DG5F
如圖所示為考畢茲振蕩器電路。它帶一個基頻率晶體,其頻率為1499kHz,晶體SJT并接在電容C2、C3兩端。射極分壓電阻R2、R3提供基本的反饋信號,反饋受電容分壓器C2、C3的控制。晶體SJT起振工作后輸入給三極管VT基極l49
如圖為70MHz并聯(lián)型晶體振蕩電路。振蕩器主要是由三極管VTl、晶體SJT及電容Cl、C5等元件組成。 元器件選擇: 電容Cl為20p,C2為100p,C3、C7為820p,C4為56p,C5、C8為47p,C6為47μF/50V。電 感Ll為22μH(色碼電感)
如圖所示的高頻振蕩器,可作為高頻信專發(fā)生器,選擇不同的電容值能夠在56~484kHz范圍內(nèi)產(chǎn)生一個高頻正弦波。該電路具有剃出波形好、頻率穩(wěn)定度高,輸出阻抗低等特點。 元器件選擇: 三極管VTl、VT2:3DG6D,65≤β《
如圖所示的12kHz中頻振蕩器由12kHz石英振蕩器、輸出電平調(diào)整、電平提升電路以及告警電路所組成。它采用新穎單管調(diào)諧變量器反饋式振蕩電路,在反饋回路中,串接了12kHz石英晶體諧振器,從而使振蕩頻率取決于l2kHz石英