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柵極電荷測量原理圖解析，十分有料！
在這篇文章中，小編將對MOS晶體管柵極電荷測量的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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關(guān)于功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)，你知道嗎？
伸縮門功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)?它有什么作用?本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗，即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。
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理解超級結(jié)技術(shù)
基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超
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MOS管柵極電阻在工業(yè)電源中的作用
1.是分壓作用2.下拉電阻是盡快泄放柵極電荷將MOS管盡快截止3.防止柵極出現(xiàn)浪涌過壓(柵極上并聯(lián)的穩(wěn)壓管也是防止過壓產(chǎn)生)4.全橋柵極電阻也是同樣機(jī)理，盡快泄放柵極電荷，
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開關(guān)電源上的MOS管選擇方法
今天我們在來一起學(xué)習(xí)下開關(guān)電源上面要怎么選擇MOS管吧，看下開關(guān)電源上面選用MOS管應(yīng)注意那些東西，哪些參數(shù)是MOS管在開關(guān)電源中起著決定性作用的，請往下看。MOS管最常見
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一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
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一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
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一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
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一種用于側(cè)光式WLED TV背光應(yīng)用的功率解決方案
電感和電容的設(shè)計(jì)是獲得快速瞬態(tài)響應(yīng)性能，以及在led背光應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)纖薄設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量儲(chǔ)存器件，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電
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基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電
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基準(zhǔn)工業(yè)級30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電
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IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算
摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動(dòng)器的合理設(shè)計(jì)對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅(qū)動(dòng)
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