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先導(dǎo)交付國(guó)內(nèi)首套G4.5代高遷移率氧化物靶材
金屬氧化物半導(dǎo)體因具備遷移率良好、穩(wěn)定性高、均勻性高、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是可能取代硅基薄膜晶體管的新一代溝道層半導(dǎo)體材料。在平板顯示領(lǐng)域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術(shù)方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
金屬氧化物半導(dǎo)體因具備遷移率良好、穩(wěn)定性高、均勻性高、制造成本低等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是可能取代硅基薄膜晶體管的新一代溝道層半導(dǎo)體材料。在平板顯示領(lǐng)域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術(shù)方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
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