金屬氧化物半導體因具備遷移率良好、穩(wěn)定性高、均勻性高、制造成本低等優(yōu)點，被認為是可能取代硅基薄膜晶體管的新一代溝道層半導體材料。在平板顯示領(lǐng)域，特別是在超高清，柔性顯示以及印刷顯示等新型顯示技術(shù)方面具有巨大的應用潛力。

集微網(wǎng)消息，由先導薄膜材料(廣東)有限公司研發(fā)生產(chǎn)的G4.5代線鑭系稀土摻雜金屬氧化物(Ln-IZO)靶材成功交付給華星光電，據(jù)先導集團官方消息，這是國內(nèi)首套G4.5代高遷移率氧化物靶材。

該靶材基于華南理工大學發(fā)明的薄膜晶體管用高遷移率稀土摻雜氧化物半導體材料，是新一代的TFT半導體溝道層材料，其先進的性能可滿足未來超高清顯示、柔性顯示對溝道層材料的應用需求。

2019年，先導薄膜材料(廣東)有限公司與華南理工大學、廣州新視界光電科技有限公司、深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司、廣東省半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院聯(lián)手組建了從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)品應用端的產(chǎn)學研用技術(shù)團隊。

該團隊以華南理工大學發(fā)光材料與器件國家重點實驗室曹鏞院士團隊所開發(fā)的新型稀土摻雜金屬氧化物靶材(Ln-IZO)技術(shù)為基礎(chǔ)，以先導薄膜的靶材開發(fā)與量產(chǎn)制備技術(shù)為核心，結(jié)合材料基礎(chǔ)研究、TFT器件工藝技術(shù)，開展了“薄膜晶體管用高遷移率氧化物半導體濺射靶材研究及應用”項目。經(jīng)過反復研發(fā)測試，開發(fā)出此G4.5的Ln-IZO靶材,交付華星光電上線使用，此為該項目的第一個重要成果。

Ln-IZO靶材摒棄傳統(tǒng)基于IGZO的多元摻雜體系，采用In2O3或SnO2等高遷移率氧化物半導體作為基體材料，可有效替代非晶硅及多晶硅及IGZO材料，在保證穩(wěn)定性的同時，確保高遷移率的優(yōu)勢，可實現(xiàn)器件的高分辨率、高響應速度、低能耗、低噪音，有效突破TFT器件關(guān)鍵材料技術(shù)，改善知識產(chǎn)權(quán)被動局面。