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AD轉(zhuǎn)換器位數(shù)對(duì)測(cè)量誤差是否有影響？設(shè)計(jì)個(gè)電路實(shí)證一下！
本文中，小編將對(duì)AD轉(zhuǎn)換器位數(shù)對(duì)測(cè)量誤差的影響予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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基于無(wú)線(xiàn)電高度表的音響告警信號(hào)測(cè)試
摘 要：為了保證飛機(jī)飛行安全，文中設(shè)計(jì)了基于無(wú)線(xiàn)電高度表的音響告警信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)音響告警信號(hào)電壓、頻率、響應(yīng)時(shí)間信號(hào)的測(cè)試。通過(guò)對(duì)音響告警信號(hào)的分析，提出了硬件電路分壓、比較和頻率信號(hào)采集的實(shí)現(xiàn)方法，可對(duì)音響告警信號(hào)等指標(biāo)進(jìn)行一次性準(zhǔn)確測(cè)試。在無(wú)線(xiàn)電高度表交檢及外場(chǎng)排故中對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行了驗(yàn)證與應(yīng)用，效果良好，為后續(xù)設(shè)計(jì)音響告警信號(hào)測(cè)試電路提供了參考與借鑒。
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STC8H8K64單片機(jī)可以申請(qǐng)啦！
2020年4月23日，拿到了剛剛出品的STC8H8K64U芯片，這款自己帶有8K內(nèi)存，還有12bitADC，外加豐富的定時(shí)器、各種總線(xiàn)接口，更適合的工業(yè)信號(hào)采集和控制應(yīng)用。它也會(huì)讓同學(xué)們?cè)谥谱髦悄苘?chē)車(chē)模作品更加如虎添翼。 ▲ 直接上墻的車(chē)模 現(xiàn)在，可以向宏晶公司申請(qǐng)?jiān)撔?/p>
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簡(jiǎn)單的鋰電池保護(hù)IC測(cè)試電路的設(shè)計(jì)
由于鋰電池的體積密度、能量密度高，并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓，因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性，鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路
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光電耦合器測(cè)試電路
光電耦合器運(yùn)用廣泛，筆者依據(jù)光電耦合器特性，設(shè)計(jì)一個(gè)方便的測(cè)試光電耦合器電路，該電路簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確，使用方便。電路原理： 當(dāng)電源接通后，LED不發(fā)光。按下S2，LED會(huì)發(fā)光。調(diào)RP，LED的發(fā)光強(qiáng)度會(huì)發(fā)生
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解讀二極管浪涌電流測(cè)試電路
該文講述了二極管正向浪涌電流測(cè)試的基本要求和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法，針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法存在的不足，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了采用信號(hào)控制、電容儲(chǔ)能和大功率場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電流驅(qū)動(dòng)的電路解決方案，簡(jiǎn)潔而又高效地實(shí)現(xiàn)了二極
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解讀二極管浪涌電流測(cè)試電路
該文講述了二極管正向浪涌電流測(cè)試的基本要求和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法，針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法存在的不足，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了采用信號(hào)控制、電容儲(chǔ)能和大功率場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電流驅(qū)動(dòng)的電路解決方案，簡(jiǎn)潔而又高效地實(shí)現(xiàn)了二極管正向浪涌電流的測(cè)試。
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運(yùn)算放大器參數(shù)測(cè)試的方法
現(xiàn)在經(jīng)常使用三種測(cè)試電路拓?fù)鋵?duì)運(yùn)算放大器DC參數(shù)進(jìn)行工作臺(tái)及生產(chǎn)測(cè)試。
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NE555典型應(yīng)用電路圖
NE555是應(yīng)用最為廣泛的時(shí)基集成電路，也是世界上生產(chǎn)最多的芯片，下面我們一起來(lái)看一看它的典型應(yīng)用吧。1.方波產(chǎn)生電路 2 . 震蕩器實(shí)踐電路 3.GIC PROBE WITH PULSE 邏輯脈
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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自動(dòng)收發(fā)轉(zhuǎn)換的RS-485接口電路及測(cè)試電路
圖l所示的虛線(xiàn)框中為接口電路，通過(guò)對(duì)真值表進(jìn)行分析，其發(fā)送和接收過(guò)程為：當(dāng)發(fā)送端DI=O時(shí)，DE/RE=1發(fā)送O電平，接收端RO=O;當(dāng)發(fā)送端DI=1時(shí)，DE/RE=0，VA=VB=2.5V，接收端由
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電感線(xiàn)圈短路測(cè)試電路
電感線(xiàn)圈短路測(cè)試電路
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此
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接收模塊測(cè)試電路
接收模塊測(cè)試電路
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此
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CD4518邏輯功能測(cè)試電路的研究
十進(jìn)制計(jì)數(shù)器CD4518的邏輯功能抽象，不易掌握，為此設(shè)計(jì)了CD4518邏輯功能的測(cè)試電路。通過(guò)電路的裝配與測(cè)試，推導(dǎo)出CD4518的邏輯功能。
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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專(zhuān)用高頻E類(lèi)功率放大器的測(cè)試的研究
本文簡(jiǎn)介了E類(lèi)功率放大器的原理，針對(duì)一款手機(jī)專(zhuān)用高頻E類(lèi)功率放大器設(shè)計(jì)了性能檢測(cè)電路，并介紹了測(cè)試所用的設(shè)備，最后對(duì)測(cè)試的結(jié)果進(jìn)行了分析，從而有效判定功率放大器是否合格。
