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三星研發(fā)8nm LPDDR5內(nèi)存，提速至7.3Gbps
去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級工藝，單顆容量8Gb(1GB)，去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透露，LPDDR5內(nèi)存計劃2020年商用。今年2月底，JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標準。
