去年7月，三星就宣布成功開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(jí)工藝，單顆容量8Gb(1GB)，去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會(huì)上，三星人士透露，LPDDR5內(nèi)存計(jì)劃2020年商用。今年2月底，JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標(biāo)準(zhǔn)，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps)，直接翻番。

如果匹配高端智能機(jī)常見(jiàn)的64bit bus，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無(wú)壓力。

6.4Gbps的LPDDR5內(nèi)存遠(yuǎn)不是終點(diǎn)，三星作為全球第一大內(nèi)存芯片廠商，現(xiàn)在已經(jīng)在研究更高標(biāo)準(zhǔn)的LPDDR5芯片了，在VLSI 2019大會(huì)上，他們公布了8nm工藝的LPDDR5 Phy物理層芯片，一舉將速率提升到了7.3Gbps，而且功耗只有790mW。

除此之外，三星還在繼續(xù)提升LPDDR4X內(nèi)存的速率，目前LPDDR4X-4266Mbps內(nèi)存已經(jīng)有了，三星的目標(biāo)是5Gbps的LPDDR4X內(nèi)存。