2024年12月3日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書,探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì),以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
南京2024年8月16日 /美通社/ -- 8月15日,由中國(guó)電力發(fā)展促進(jìn)會(huì)主辦,南瑞集團(tuán)有限公司承辦的中國(guó)電力發(fā)展促進(jìn)會(huì)電力電子器件專業(yè)委員會(huì)(以下簡(jiǎn)稱"專委會(huì)")成立大會(huì)在南京召開。專委會(huì)的成立旨在促進(jìn)行業(yè)電力電子核心器件創(chuàng)新要素聚集和產(chǎn)業(yè)資源整...
通常來說,選用哪類器件取決于成本、效率的要求并兼顧開關(guān)頻率。如果要求硬開關(guān)在100kHz以上,一般只有MOSFET能夠勝任。用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級(jí))的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET、IGBT、超結(jié)MOSFET。其中MOSFET速度最快,但成本也最高。
隨著以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件逐漸接近其理論極限值,利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比 Si 和 GaAs 更優(yōu)異的特性,給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了新的生機(jī)。
變頻驅(qū)動(dòng)技術(shù)正在以出人意料的方式被用于解決各種運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用的挑戰(zhàn),并幫助企業(yè)提高生產(chǎn)效率和成本效益。 變頻驅(qū)動(dòng)技術(shù)已經(jīng)被用于控制許多機(jī)械任務(wù)以及自動(dòng)化的機(jī)器人,涵蓋了從制造、加工工廠到倉(cāng)
隨著IGBT等電力電子器件的功率不斷增大,應(yīng)用的范圍也隨之變得越來越廣,從電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器,到鐵路牽引、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車無不涉獵。但是電力電子器件不僅要工作在正常狀態(tài)下,有時(shí)候也需要工作在極端情況下,
電力電子裝置中相對(duì)來說工作時(shí)產(chǎn)生自身功耗最大的部分應(yīng)該是電力電子器件:晶閘管、整流管、IGBT等。這部分自身功耗以熱的形式表現(xiàn),使器件自身溫度升高。于是有了散熱器和風(fēng)機(jī)的強(qiáng)迫風(fēng)冷措施。用流動(dòng)空氣把器件上的
中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極管
北極星電網(wǎng)在線訊:中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)碳化硅大功率器件的批量生產(chǎn),在以美、歐、日為主導(dǎo)的半導(dǎo)體領(lǐng)域形成突破。業(yè)內(nèi)專家指出,這一突破有望緩解中國(guó)的能源危機(jī)。泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二極
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(一) 電力二極管結(jié)構(gòu)基本特性靜態(tài)特性 伏安特性動(dòng)態(tài)特性 零偏置、正向偏置、反向偏置三種形態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí),伏安特性隨時(shí)間變化。主要參數(shù)與選型參考依據(jù)正向平均電流 IF,其有效值為1.57IF。選擇二極管時(shí),應(yīng)按照
(一) 電力二極管結(jié)構(gòu)基本特性靜態(tài)特性 伏安特性動(dòng)態(tài)特性 零偏置、正向偏置、反向偏置三種形態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí),伏安特性隨時(shí)間變化。主要參數(shù)與選型參考依據(jù)正向平均電流 IF,其有效值為1.57IF。選擇二極管時(shí),應(yīng)按照
3月12日消息,國(guó)內(nèi)首片碳化硅半導(dǎo)體晶片已經(jīng)于日前在廈門順利“誕生”。更可喜的是,作為廈門市政府赴美國(guó)招商的重點(diǎn)項(xiàng)目,瀚天泰成電子科技廈門有限公司所提供的碳化硅半導(dǎo)體外延晶片填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域空白,公司同時(shí)
5月21日,江蘇宏微科技深圳分公司宣布正式成立。宏微科技秉承“宏圖之志,成于細(xì)微”的創(chuàng)業(yè)理念,深耕電力電子器件領(lǐng)域,其研發(fā)的FRED、VDMOS、IGBT分立器件及其模塊也已應(yīng)用到工業(yè)、新能源等各個(gè)領(lǐng)域。在成立大會(huì)上
由于全球金融危機(jī)和半導(dǎo)體行業(yè)的周期性波動(dòng),全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑,主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁復(fù)蘇并步入景
由于全球金融危機(jī)和半導(dǎo)體行業(yè)的周期性波動(dòng),全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量從 08年4季度到09年1季度經(jīng)歷了大幅下滑,主要經(jīng)濟(jì)體的半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁復(fù)蘇并步入景
據(jù)悉,在高壓變頻器中,約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器,這類產(chǎn)品的價(jià)格與質(zhì)量對(duì)高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對(duì)電力電子元器件行業(yè)的關(guān)注從來沒
近年來,我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高,應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,已逐漸成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國(guó)家的重視,國(guó)家對(duì)其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。
近年來,我國(guó)電力電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平不斷提高,應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛,已逐漸成為國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱產(chǎn)業(yè)之一。隨著電力電子器件產(chǎn)業(yè)日益受到國(guó)家的重視,國(guó)家對(duì)其生產(chǎn)企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)的扶持力度也在逐步加大。
摘要:?jiǎn)蝹€(gè)IGBT摸塊難以滿足風(fēng)力發(fā)電所需的大功率器件要求。本文闡述了采用串并聯(lián)的方法提高耐壓和擴(kuò)大容量以滿足風(fēng)力發(fā)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和大功率逆變器的要求,并對(duì)用于中壓風(fēng)力發(fā)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器的IGBT摸塊進(jìn)行了分析