采用PWM的電壓反相器設計電路

　本例描述了一種采用小型微控制器傳感器模塊的電路，它只有三個連接：5Vdc、一個RS-232傳輸數(shù)據(jù)輸出端、地。專用的單電壓電平轉(zhuǎn)換器或DC/DC轉(zhuǎn)換器可能太貴了，但設計仍需要提供1mA的±3V電壓，以驅(qū)動數(shù)據(jù)傳輸

零電壓同步的交流閃光電路

零電壓切換的小功率測試控制器

基于TOP234Y的電壓可調(diào)數(shù)控開關(guān)電源設計

引言　　隨著電源電子技術(shù)的高速發(fā)展，普通的開關(guān)電源逐漸顯示出了其在現(xiàn)代高科技產(chǎn)品設計中的眾多不足之處，尤其是開關(guān)電源的智能化要求。然而，數(shù)字控制開關(guān)電源卻在這方面突現(xiàn)了優(yōu)勢，數(shù)字控制易于采用先進的控制

F類與逆F類功率放大器的效率研究

摘要 為了對F類與逆F類功率放大器的效率進行研究，首先從理論方面對兩種放大器工作模式各自的效率進行了計算。通過計算可以看出，在相同的輸出功率下，因為晶體管導通內(nèi)阻的存在，逆F類功率放大器的效率優(yōu)于F類功率放

安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

Sept. 21, 2011 – 應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產(chǎn)品系列。 安森美半導體計算及消費產(chǎn)品部

安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產(chǎn)品系列。安森美半導體計算及消費產(chǎn)品部高級副總裁兼總經(jīng)理宋世榮(Bill Schromm)說：“我們的策略是繼續(xù)專注產(chǎn)品開發(fā)，幫助原設備

安森美半導體持續(xù)擴充其計算產(chǎn)品平臺方案

應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產(chǎn)品系列。安森美半導體計算及消費產(chǎn)品部高級副總裁兼總經(jīng)理宋世榮(Bill Schromm)說：“我們

高精度MOSFET設計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產(chǎn)品系列。安森美半導體計算及消費產(chǎn)品部高級副總裁兼總經(jīng)理宋世榮(Bill Schromm)說：“我們的策略是繼續(xù)專注產(chǎn)品開發(fā)，幫助原設備

安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產(chǎn)品系列。安森美半導體計算及消費產(chǎn)品部高級副總裁兼總經(jīng)理宋世榮(Bill Schromm)說：“我們的策略是繼續(xù)專注產(chǎn)品開發(fā)，幫助原設備

安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

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邏輯分析儀的原理及應用

作為數(shù)字設計驗證與調(diào)試過程中重要的工具，邏輯分析儀利用時鐘脈沖從測試設備上采集和顯示數(shù)位信號，能夠檢驗數(shù)字電路是否正常工作，幫助查找并排除故障，加快產(chǎn)品面市周期。邏輯分析儀只顯示兩個電壓等級（邏輯狀態(tài)

頻率 電壓變換器電路圖

頻率 電壓變換器02電路圖

高精度MOSFET設計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的

高精度MOSFET設計技巧

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開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設計

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設計

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零

開環(huán)推挽逆變器軟開關(guān)實現(xiàn)的設計

電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)有以下弊端:1、功率管開關(guān)損耗大,如圖1所示.MOSFET關(guān)斷時,D極電壓上升,溝道電流下降,存在著VI同時不為零